清洗机台以及清洗方法技术

本发明专利技术实施例提供一种清洗机台以及清洗方法，其中，清洗机台包括：湿法清洗模块，用于对晶圆执行湿法清洗工艺；干法清洗模块，用于对晶圆执行干法清洗工艺；输送模块，用于将晶圆输入至湿法清洗模块或干法清洗模块中，或用于将湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输出；传送模块，用于将晶圆从湿法清洗模块传送至干法清洗模块，或用于将晶圆从干法清洗模块传送至湿法清洗模块；处理模块，用于抽取传送模块中的气体；本发明专利技术实施例提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。形成的半导体结构的稳定性。形成的半导体结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
清洗机台以及清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片制造领域，特别涉及一种清洗机台以及清洗方法。

技术介绍

[0002]目前在半导体接触结构的形成过程中，由于无法精确把控刻蚀的时间，往往会造成过刻蚀的问题，从而形成刻蚀缺陷；由于刻蚀缺陷的存在，极大地影响了形成的半导体接触结构的导电性。
[0003]相关技术中，填充形成的刻蚀缺陷需要通过不同的清洗工艺的结合运用，例如干法清洗工艺和湿法清洗工艺的结合运用，然而采用不同清洗工艺对半导体结构进行清洗时，切换清洗工艺的等待时间较长，无法保证填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。
[0004]本专利技术通过设计一种特殊的机台，以减少干法清洗工艺与湿法清洗工艺结合运用中，不同清洗工艺之间的等待时间，从而提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种清洗机台以及清洗方法，提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供了一种清洗机台，包括：湿法清洗模块，用于对晶圆执行湿法清洗工艺；干法清洗模块，用于对晶圆执行干法清洗工艺；输送模块，用于将晶圆输入至湿法清洗模块或干法清洗模块中，或用于将湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输出；传送模块，用于将晶圆从湿法清洗模块传送至干法清洗模块，或用于将晶圆从干法清洗模块传送至湿法清洗模块；处理模块，用于抽取传送模块中的气体。
[0007]与相关技术相比，通过将干法清洗和湿法清洗集成到一个机台中，然后传送模块对需要进行干法清洗工艺或湿法清洗工艺的半导体结构进行快速转换，减少半导体结构在进行不同清洗工艺之间的等待时间，从而提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。
[0008]另外，清洗机台还包括：传送模块与干法清洗模块连接的第一通道，传送模块与湿法清洗模块连接的第二通道；传送模块包括：承载单元，用于承载从湿法清洗模块传送至干法清洗模块的晶圆，或用于承载从干法清洗模块传送至湿法清洗模块的晶圆；第一阻隔单元，用于打开或关闭第一通道，当承载单元需要与干法清洗模块进行晶圆传输，打开第一通道；第二阻隔单元，用于打开或关闭第二通道，当承载单元需要与干法清洗模块进行晶圆传输，打开第二通道；控制单元，用于打开或关闭第一阻隔单元和第二阻隔单元。
[0009]另外，传送模块包括具有第一开口和第二开口的容器，第一开口用于承载单元与干法清洗模块进行晶圆传输，第二开口用于承载单元与湿法清洗模块进行晶圆传输；第一阻隔单元包括设置在第一开口的第一挡板；第二阻隔单元包括设置在第二开口的第二挡板；控制单元连接第一挡板和第二挡板，用于控制第一挡板或第二挡板，以打开第一开口或第二开口。本专利技术实施例给出的一种传输模块的具体实现方法。
[0010]另外，传送模块包括具有第一开口和第二开口的容器，第一开口用于承载单元与
干法清洗模块进行晶圆传输，第二开口用于承载单元与湿法清洗模块进行晶圆传输；第一阻隔单元包括通过铰链弹性连接在第一开口一侧的第一挡板；第二阻隔单元包括通过铰链弹性连接在第二开口一侧的第二挡板；控制单元连接承载单元，当承载单元与干法清洗模块进行晶圆传输，承载单元向第一开口移动以带动第一挡板打开，当承载单元与湿法清洗模块进行晶圆传输，承载单元向第二开口移动以带动第二挡板打开。本专利技术实施例给出的另一种传输模块的具体实现方法。
[0011]另外，输送模块包括：第一输送单元，连接湿法清洗模块或干法清洗模块的其中一者，用于将晶圆输入至第一输送单元连接的湿法清洗模块或第一输送单元连接的干法清洗模块中；第二输送单元，连接湿法清洗模块或干法清洗模块的另外一者，用于将第二输送单元连接的湿法清洗模块或第二输送单元连接的干法清洗模块中的晶圆输出。通过第一输送单元和第二输送单元分别连接湿法清洗模块和干法清洗模块；晶圆从一端进入机台，从另一端输出机台，提高了晶圆制程的效率，从而增加产能。
[0012]另外，传送模块包括：第一传送单元，用于将晶圆从湿法清洗模块传送至干法清洗模块；第二传送单元，用于将晶圆从干法清洗模块传送至湿法清洗模块。
[0013]另外，传送模块还包括：第三传送单元，连接输送模块和湿法清洗模块或干法清洗模块的其中一者，用于将第三传送单元连接的湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输送至输送模块，以供输送模块将湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输出。通过第三传送单元保证晶圆在从输送模块输出的过程中，仍然能够保证连接的湿法清洗模块或干法清洗模块的环境不受影响。
[0014]另外，湿法清洗模块包括：缓冲室，用于放置待清洗的晶圆；连接缓冲室的多个清洁室，用于对放置在清洁室内的晶圆进行湿法清洗工艺。
[0015]另外，干法清洗模块包括：等待室，用于放置待清洗的晶圆；连接等待室的多个反应室，用于对放置在反应室内的晶圆进行干法清洗工艺。
[0016]另外，干法清洗模块还包括：处理室，用于对放置在处理室内的晶圆进行退火处理；输送模块还包括冷却装置，输送模块将清洗机台中的晶圆输出前，冷却装置还用于对晶圆进行冷却处理。
[0017]本专利技术实施例还提供了一种清洗方法，应用于上述清洗机台，包括：获取待清洗的晶圆，以及晶圆的清洗过程；基于晶圆的清洗过程判断待清洗的晶圆是否需要进行干法清洗工艺和湿法清洗工艺，以及干法清洗工艺和湿法清洗工艺的清洗顺序；基于清洗顺序，控制晶圆在清洗机台上的位置，以完成对晶圆的清洗；其中，若待清洗的晶圆需要执行干法清洗工艺，则将晶圆移动到清洗机台的干法清洗模块中，以完成对晶圆的干法清洗工艺；若待清洗的晶圆需要执行湿法清洗工艺，则将晶圆移动到清洗机台的湿法清洗模块中，以完成对晶圆的湿法清洗工艺。
[0018]相比于相关技术而言，通过将干法清洗工艺和湿法清洗工艺集成到一个机台中执行，减少半导体结构在进行不同清洗工艺之间的等待时间，从而提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。
附图说明
[0019]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，除非有特别申
明，附图中的图不构成比例限制。
[0020]图1至图3为本专利技术第一实施例提供的清洗机台的结构示意图；
[0021]图4为本专利技术第一实施例提供的一种传送模块的实现方式的结构示意图；
[0022]图5为本专利技术第一实施例提供的另一种传送模块的实现方式的结构示意图；
[0023]图6为本专利技术第一实施例输送模块的结构示意图；
[0024]图7为本专利技术第一实施例提供的湿法清洗模块的结构示意图；
[0025]图8为本专利技术第一实施例反应室排布的结构示意图；
[0026]图9为本专利技术第一实施例提供的干法清洗模块的结构示意图；
[0027]图10为本专利技术第二实施例提供的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
[0028]目前，填充形成的刻蚀缺陷需要通过不同的清洗工艺的结合运用，例如干法清洗工艺和湿法清洗工艺的结合运用，然而采用不同清洗工艺对半导体结构进行清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗机台，其特征在于，包括：湿法清洗模块，用于对晶圆执行湿法清洗工艺；干法清洗模块，用于对晶圆执行干法清洗工艺；输送模块，用于将晶圆输入至所述湿法清洗模块或所述干法清洗模块中，或用于将所述湿法清洗模块或所述干法清洗模块中的晶圆输出；传送模块，用于将晶圆从所述湿法清洗模块传送至所述干法清洗模块，或用于将晶圆从所述干法清洗模块传送至所述湿法清洗模块；处理模块，用于抽取所述传送模块中的气体。2.根据权利要求1所述的清洗机台，其特征在于，还包括：所述传送模块与所述干法清洗模块连接的第一通道，所述传送模块与所述湿法清洗模块连接的第二通道；所述传送模块包括：承载单元，用于承载从所述湿法清洗模块传送至所述干法清洗模块的晶圆，或用于承载从所述干法清洗模块传送至所述湿法清洗模块的晶圆；第一阻隔单元，用于打开或关闭所述第一通道，当所述承载单元需要与所述干法清洗模块进行晶圆传输，打开所述第一通道；第二阻隔单元，用于打开或关闭所述第二通道，当所述承载单元需要与所述干法清洗模块进行晶圆传输，打开所述第二通道；控制单元，用于打开或关闭所述第一阻隔单元和所述第二阻隔单元。3.根据权利要求2所述的清洗机台，其特征在于，所述传送模块包括具有第一开口和第二开口的容器，所述第一开口用于所述承载单元与所述干法清洗模块进行晶圆传输，所述第二开口用于所述承载单元与所述湿法清洗模块进行晶圆传输；所述第一阻隔单元包括设置在所述第一开口的第一挡板；所述第二阻隔单元包括设置在所述第二开口的第二挡板；所述控制单元连接所述第一挡板和所述第二挡板，用于控制所述第一挡板或所述第二挡板，以打开所述第一开口或所述第二开口。4.根据权利要求2所述的清洗机台，其特征在于，所述传送模块包括具有第一开口和第二开口的容器，所述第一开口用于所述承载单元与所述干法清洗模块进行晶圆传输，所述第二开口用于所述承载单元与所述湿法清洗模块进行晶圆传输；所述第一阻隔单元包括通过铰链弹性连接在所述第一开口一侧的第一挡板；所述第二阻隔单元包括通过铰链弹性连接在所述第二开口一侧的第二挡板；所述控制单元连接所述承载单元，当所述承载单元与所述干法清洗模块进行晶圆传输，所述承载单元向所述第一开口移动以带动所述第一挡板打开，当所述承载单元与所述湿法清洗模块进行晶圆传输，所述承载单元向所述第二开口移动以带动所述第二挡板打开。5.根据权利要求1所述的清洗机台，其特征在于，所述输送...

【专利技术属性】
技术研发人员：郗宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：