一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统及方法技术方案

本发明专利技术提供了一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统及方法，获取测试模式、测试参数和分选条件，根据上述信息，生成相应的控制指令；控制定位扎针单元运动，移动至待测芯片上方并扎针；根据控制指令，进行双脉冲测试或/和栅电荷测试；获取参数测试单元的测试数据，提取当前在测芯片的动态参数，根据预先设定的分选归档条件对在测芯片归类。本发明专利技术能够对半导体器件的晶圆进行动态特性测试和芯片分选。导体器件的晶圆进行动态特性测试和芯片分选。导体器件的晶圆进行动态特性测试和芯片分选。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统及方法


[0001]本专利技术属于功率器件封装测试
，具体涉及一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统及方法。

技术介绍

[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
[0003]以SiCMOSFET为代表的第三代半导体器件性能优异，其在高压、高温、高频、大功率及抗辐射等场合都具有较大的应用潜力，采用SiC材料替代传统Si材料是功率器件行业主要技术趋势之一。在DC/DC转换器、光伏逆变器、有源桥逆变器等典型的应用场合，SiCMOSFET作为开关管，能够很好满足高频的工作要求，从而大幅度提高能量转换效率，同时减少电感器等无源器件的尺寸，有助于开发更轻量化和更高效的系统。
[0004]为了验证SiCMOSFET高频下工作特性，不论是在器件设计研发阶段，还是系统应用设计阶段，都必须对SiCMOSFET进行动态测试，考察其在特定工况下的开关性能。
[0005]但是，当前业界对SiCMOSFET的测试分选仍是基于静态特性的分选测试，并不对其进行晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统，其特征是：包括：定位扎针单元，包括承片台、位于承片台上方的探针，以及位于探针上方的图像采集模块，所述承片台和探针之间可以相对运动，所述图像采集模块用于对承片台上的芯片进行识别和定位；控制单元，被配置为获取测试模式、测试参数和分选条件，根据上述信息，生成相应的控制指令，以控制定位扎针单元的运动，以及参数测试单元的测试；参数测试单元，包括双脉冲测试或/和栅电荷测试模块，分别被配置为根据控制单元的控制指令，进行双脉冲测试或/和栅电荷测试；数据处理单元，被配置为获取参数测试单元的测试数据，提取当前在测芯片的动态参数，然后根据预先设定的分选归档条件对在测芯片归类，并将归类信息反馈至控制单元。2.如权利要求1所述的一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统，其特征是：所述承片台的上部设置有真空吸孔，承片台顶部为高电导率材料层，用于和芯片漏极直接接触。3.如权利要求1所述的一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统，其特征是：所述承片台的下部设置有可移动机构，所述可移动机构用于带动所述承片台相对于所述探针三维运动或/和旋转运动。4.如权利要求1所述的一种半导体器件晶圆动态参数测试分选系统，其特征是：所述探针包括用于固定的针卡，以及可拆卸连接在针卡上的探针组。5.基于权利要求1
‑
4中任一项所述的系统的工作方法，其特征是：包括以下步骤：(1)获取测试模式、测试参数和分选条件，根据上述信息，生成相应的控制指令；(2)控制定位扎针单元运动，探针移动至待测芯片上方并扎针；(3)根据控制指令，参数测试单元进行双脉冲测试或/和栅电荷测试；(4)数据处理单元获取参数测试单元的测试数据，提取当前在测芯片的动态参数，根据预先设...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰欣，谢国芳，杨月，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：