一种用于晶圆清洗的两相流喷射装置和清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶圆表面清洗技术领域，具体为一种用于晶圆清洗的两相流喷射装置和清洗方法，其包括载台、旋转支杆、固定于旋转支杆上的转臂、固定于转臂上的两相流喷嘴，液体管道和气体管道。该装置采用低温助推气体对晶圆表面进行预冷却，将晶圆表面温度降低至接近液体二氧化碳微液滴温度后，再向晶圆表面喷射二氧化碳微液滴，该方法有效消除了莱顿弗罗斯特现象，令二氧化碳液滴进入晶圆表面高深宽比结构内部成为可能；进一步地，采用两相流喷嘴可以在喷嘴和晶圆表面形成低温环境，起到稳定二氧化碳液滴，提高液滴撞击晶圆表面速度的效果，实现了晶圆表面清洗效果的有效提升。实现了晶圆表面清洗效果的有效提升。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆清洗的两相流喷射装置和清洗方法


[0001]本专利技术涉及晶圆清洗
，具体为一种用于晶圆清洗的两相流喷射装置和清洗方法。

技术介绍

[0002]晶圆清洗对于芯片制造意义重大，如果清洗不达要求，残留的沾污杂质将导致芯片失效。晶圆清洗贯穿硅片制造、晶圆制造、封装三大环节。随着晶圆制程不断发展，晶圆表面微结构尺寸逐渐减小，由于超纯水表面张力大，导致晶圆表面高深宽比结构内部难以得到有效清洗，利用低表面张力液体对晶圆表面清洗成为新的技术发展方向。
[0003]液体二氧化碳的表面张力不足超纯水的10％，可以有效避免因表面张力过高导致的微结构清洗困难。现有专利202011630195.X和202011630247.3均提出了一种采用液体二氧化碳的晶圆清洗装置和晶圆清洗方法。
[0004]但上述专利中，晶圆表面温度为常温或采用加热方式将晶圆表面温度提升至常温以上，导致晶圆表面温度与液体二氧化碳液滴温度之间差异过大，当超低温二氧化碳液滴接近晶圆表面时，将产生莱顿弗罗斯特现象(Leidenfrost Phenomenon)，在二氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆清洗的两相流喷射装置和清洗方法，其特征在于，其包括载台、旋转支杆、固定于旋转支杆上的转臂、固定于转臂上的两相流喷嘴，液体管道和气体管道；其中，液体管道连接液体二氧化碳储罐和两相流喷嘴，气体管道连接助推气体储罐和两相流喷嘴，液体管道和气体管道上还设有控制阀门；其中，助推气体为温度在
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10℃至
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70℃之间的低温二氧化碳气体或低温氮气；其中，液体二氧化碳储罐内的液体二氧化碳温度在
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56℃至
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79℃之间；其中，两相流喷嘴为内部混合式或外部混合式两相流喷嘴，其作用是利用高速流动的助推气体将液体二氧化碳雾化破碎为液滴粒径Dn50在5μm至50μm之间的细小液滴。2.根据权利要求1所述的用于晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王培，
申请(专利权)人：上海纯元环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：