【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]晶圆制造是制约超大规模集成电路(即芯片,IC,Integrated Circuit Chip)产业发展的关键环节。随着集成电路特征尺寸持续微缩，晶圆表面质量要求越来越高，因而晶圆制造过程对缺陷尺寸和数量的控制越来越严格。逻辑芯片制程中，当特征尺寸从14nm发展至7nm时，19nm以上污染物的控制范围也从100减小至50颗，逐步逼近清洗技术和量测技术极限。污染物是造成晶圆表面质量下降甚至产生缺陷的重要因素，因此需要采用清洗技术去除晶圆表面污染物，从而获得超清洁表面，特别是在化学机械抛光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)的后清洗干燥中，容易遇到液痕缺陷(亦称为水痕，water mark)，这将导致氧化物厚度的局部变化，严重影响芯片制造良率。
[0003]清洗晶圆的箱体内部是一个湿度很大的环境，易在箱体顶部凝结液滴，并且在清洗过程中还会有液体被甩到箱体顶盖上，导致当晶圆清洗结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括箱体及其内部的清洗组件，所述箱体具有顶盖、侧壁和底板，顶盖包括顶盖基座和维护门，顶盖基座上设有与维护门匹配的开口，维护门可拆卸地安装在开口处以便于维护清洗组件，维护门的下表面由中间向两侧倾斜，顶盖基座的下表面也由中间向两侧倾斜，以引导在顶盖下表面形成的液体倾斜流下，从而避免所述液体直接滴落在晶圆表面造成污染。2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述顶盖基座包括框体、盖板和两侧的斜板，盖板上设有所述开口，框体围绕所述开口固定在盖板上方，两个斜板固定在盖板下方并分别位于所述开口两侧。3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述维护门插入所述框体进行安装。4.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述盖板在开口的周侧设有集水槽，所述集水槽位于所述框体内侧，用于在维护门插入框体后收集沿维护门的下...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘飞，王江涛，刘远航，刘健，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。