晶圆刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆刻蚀设备。晶圆刻蚀设备包括：反应室，具有反应腔室、进气孔及排气部，进气孔通过反应腔室与排气部连通；基座，基座设置在反应腔室内，以用于承载待刻蚀晶圆；其中，进气孔的延伸方向呈螺旋状；或者，进气孔包括相互连通的第一孔段和第二孔段，第一孔段的延伸方向和第二孔段的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，第一预设夹角A大于90

【技术实现步骤摘要】
晶圆刻蚀设备


[0001]本技术涉及半导体加工
，具体而言，涉及一种晶圆刻蚀设备。

技术介绍

[0002]目前，在制作集成电路的过程中，需要对晶圆进行一系列的处理，这其中就包括晶圆的刻蚀。具体地，将晶圆放入刻蚀环境(刻蚀腔室)，然后向刻蚀腔室内通入工艺气体，按照需求对晶圆的表面进行刻蚀并最终形成所需要的晶圆形貌。
[0003]然而，在晶圆刻蚀设备对晶圆进行刻蚀的过程中，存在刻蚀腔室内壁上的离子掉落在晶圆上而导致晶圆刻蚀不足的现象，影响晶圆的加工质量。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种晶圆刻蚀设备，以解决现有技术中晶圆刻蚀设备易导致晶圆刻蚀不足而影响晶圆加工质量的问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种晶圆刻蚀设备，包括：反应室，具有反应腔室、进气孔及排气部，进气孔通过反应腔室与排气部连通；基座，基座设置在反应腔室内，以用于承载待刻蚀晶圆；其中，进气孔的延伸方向呈螺旋状；或者，进气孔包括相互连通的第一孔段和第二孔段，第一孔段的延伸方向和第二孔段的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀设备，其特征在于，包括：反应室(10)，具有反应腔室(13)、进气孔(11)及排气部，所述进气孔(11)通过所述反应腔室(13)与所述排气部连通；基座(20)，所述基座(20)设置在所述反应腔室(13)内，以用于承载待刻蚀晶圆；其中，所述进气孔(11)的延伸方向呈螺旋状；或者，所述进气孔(11)包括相互连通的第一孔段(111)和第二孔段(112)，所述第一孔段(111)的延伸方向和所述第二孔段(112)的延伸方向之间呈第一预设夹角A设置，所述第一预设夹角A大于90
°
。2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀设备，其特征在于，所述反应室(10)包括：顶壁(12)，所述进气孔(11)贯穿所述顶壁(12)上，所述顶壁(12)包括相互连接的顶壁体(121)和冷却板(122)，所述冷却板(122)位于所述顶壁体(121)的外侧；周壁，所述周壁的第一侧与所述顶壁(12)连接；底壁，所述周壁的第二侧与所述底壁连接，所述顶壁(12)、所述周壁及所述底壁围绕形成所述反应腔室(13)；其中，所述第一侧和所述第二侧相对设置。3.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀设备，其特征在于，第一孔段(111)和第二孔段(112)的连接处位于所述顶壁体(121)的内表面和外表面之间，所述外表面朝向所述冷却板(122)设置。4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀设备，其特征在于，所述进气孔(11)还包括第三孔段(113...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊峰，豆海清，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：