芯片封装结构制造技术

一种芯片封装结构，是直接在芯片上形成环氧基紫外负性光刻胶厚膜光阻做为绝缘层，再于此绝缘层上覆防焊层，可在芯片上进行曝光显影后，提供高深宽比线路凹槽，除了可制作厚度大于１５微米以上的结构外，其具备的高强度特性，亦可直接用于结构组件上，使之具有良好的结构特性，在硬度较一般光阻为高且与芯片黏着性佳之优势下，与传统使用的材料相比，不仅可节省制造流程，更加便于形成中空结构。如此使本创作可应用于晶圆晶方级尺度型芯片尺寸构装，可在提升厚度的同时，亦使结构的可靠性增加。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片封装结构，尤指应用于晶圆晶方级尺度型芯片尺寸构装并藉由 直接在芯片上形成环氧基紫外负性光刻胶(SU8)厚膜光阻作为绝缘层，可制作厚度大于15 微米(ym)以上的结构，在提升厚度的同时，亦使结构可靠性增加的芯片封装结构。技术背景随着中国台湾半导体产业的蓬勃发展及国科会与经济部的资助下，愈来愈多人力与物力 投入晶圆晶方级尺度型芯片尺寸构装的发展。在一般已知的芯片封装技术中，其内部所使用的绝缘层材料多为聚亚酰安(Polyimide， PI)、苯基环丁烯(Benzocyclobutene， BCB)或聚苯并恶唑(polybenzoxazole， PB0)等 聚合物绝缘层，在制程中，由于上述该等绝缘层材料本身的特性，仅能沉积5um 7奈米( nm)的厚度，实很难沉积厚度足够厚的绝缘层，因此于布线时，很容易因承受不住应力而产 生裂纹，无法提高封装时的可靠性，使得产品良率降低。故， 一般无法符合使用者于实际使 用时所需
技术实现思路
本技术所解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种芯片封装结构， 可直接在芯片上形成SU8厚膜光阻作为绝缘层，可制作厚度大于15um以上的结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构，其包括一芯片、三绝缘层、数个线路凹槽、一防焊层及一金属层，其特征在于：所述芯片上具有数个芯片座；该三绝缘层分别为被覆于该芯片上的第一绝缘层、被覆于该第一绝缘层上的第二绝缘层、以及被覆于该第二绝缘层上的第三绝缘层；该线路凹槽设置于该芯片上及该第一至第三绝缘层内，其中至少一线路凹槽内含有一个芯片座；该防焊层涂布于第三绝缘层表面，并覆盖该线路凹槽的预定部份；该金属层形成于该芯片座上或该线路凹槽中，并含有数个金属接点，各金属接点连接该防焊层，并电性连接该芯片的芯片座。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：璩泽明，马嵩荃，
申请(专利权)人：茂邦电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]