减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法技术

本发明专利技术公开了一种减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法，包括：首先在常规的源漏注入后，通过光刻，使有源区边缘的光刻胶被显影掉，并对暴露的有源区边缘再进行一次追加离子注入，使有源区边缘的结深加深，有效的防止结漏电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种浅沟槽隔离工艺的方法，特别涉及一种在浅沟槽隔离工艺源漏注入时。
技术介绍
电路静态功耗主要由晶体管的亚阈值电流和结漏电组成。随着集成电路的不断发展，电路的集成度越来越高，单个电路中集成的晶体管越来越多，要降低电路静态功耗，必须降低单个晶体管的亚阈值电流和结漏电。对于采用浅槽隔离的集成电路制造工艺，在源漏注入时，通过光刻程序去除待注入的有源区表面的光刻胶层，对曝露的有源区进行离子注入。由于浅沟槽区截面呈倒梯形，浅槽边缘的场氧会对杂质注入造成阻挡，导致PN结在有源区边缘会较浅，因此会产生较大的结漏电。图1为常规的源漏注入后形成的结，可见在靠近有源区两侧边缘的位置，由于浅槽边缘的场氧对杂质注入造成了阻挡，因此形成的结较浅，比较容易发生结漏电。
技术实现思路
本专利技术其通过在第一次源漏注入后再加一次只针对有源区边缘的注入，提供了一种。本专利技术的特点是，在常规的源漏注入后，增加一次对有源区边缘的离子注入，所述有源区边缘是指所述有源区与邻近场区交界处向所述场区延伸场区长度0.1到100微米的场区区域。上述方法的实现工艺包括如下步骤(1)通过第一次光刻，去除半导体基底上所有待注入的同型有源区的光刻胶，曝露出所述有源区；(2)对曝露的所述有源区进行第一次离子注入； (3)去除所述第一次光刻后剩余的光刻胶；(4)通过第二次光刻，去除所述有源区的边缘区域的光刻胶，曝露出所述有源区边缘区域；(5)对曝露的所述有源区边缘区域进行第二次离子注入；和(6)去除所述第二次光刻后剩余的光刻胶。上述第一次和第二次离子注入时注入N+型或P+型同型离子，其类型由所述有源区源漏类型决定。上述第二次离子注入的注入方向与所述场区与有源区表面垂直方向的夹角为0°至45°，注入能量为10千电子伏特(kev)至10兆电子伏特(Mev)，为第一次离子注入的注入剂量的1至10倍。本专利技术通过在第一次源漏注入后再加一次只针对有源区边缘的注入，从而加深有源区边缘的结深，有效防止结漏电。附图说明图1为常规的源漏注入后形成的PN结的结构示意图；图2为利用本专利技术一种形成的PN结的结构示意图。其中1为光刻胶；2为场区；3为有源区。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。N+离子注入首先通过光刻，去除半导体基底上所有待注入的N+型有源区的光刻胶，曝露出该有源区。其次，如图1所示，对曝露的该有源区进行一次N+离子注入，注入角度为0°。其次去除光刻后剩余的光刻胶。其次再通过光刻，去除该有源区与场区交界处到向场区方向延伸场区长度1/2的范围内的有源区边缘区域的光刻胶，曝露出该有源区边缘区域。再次，如图2所示，对曝露的有源区边缘区域再进行一次N+离子注入，实施例中，注入能量分别为10千电子伏特(kev)、5兆电子伏特(Mev)和10兆电子伏特(Mev)，注入方向与所述场区与有源区表面垂直方向的夹角为0°至45°，注入剂量分别为相应N+离子注入剂量的1倍、5倍和10倍。最后去除剩余的光刻胶，形成充分注入离子的N+型有源区。使用同样的方法的P+型离子注入首先通过光刻，去除半导体基底上所有待注入的P+型有源区的光刻胶，曝露出该有源区。其次，如图1所示，对曝露的该有源区进行一次P+离子注入，注入角度为0°。其次去除光刻后剩余的光刻胶。其次再通过光刻，去除该有源区与场区交界处到向场区方向延伸场区长度1/2的范围内的有源区边缘区域的光刻胶，曝露出该有源区边缘区域。再次，如图2所示，对曝露的有源区边缘区域再进行一次P+离子注入，实施例中，注入能量分别为10千电子伏特(kev)、5兆电子伏特(Mev)和10兆电子伏特(Mev)，注入方向与所述场区与有源区表面垂直方向的夹角为0°至45°，注入剂量分别为相应P+离子注入剂量的1倍、5倍和10倍。最后去除剩余的光刻胶，形成充分注入离子的P+型有源区。P+离子与N+离子的注入顺序无特别要求。实际操作中，可先进行P+离子注入，再进行N+离子注入；也可先进行N+离子注入，再进行P+离子注入；甚至可以仅进行P+离子注入或仅进行N+离子注入。本专利技术通过在N+和P+源漏注入后分别再加一次只针对有源区边缘的注入，使有源区边缘的结深加深，有效的防止结漏电。权利要求1.一种，其特征在于，在常规的源漏注入后，增加一次对有源区边缘的离子注入，所述有源区边缘是指所述有源区与邻近场区交界处向所述场区延伸场区长度0.1到100微米的场区区域。2.根据权利要求1所述的，其特征在于上述方法的实现工艺包括如下步骤(1)通过第一次光刻，去除半导体基底上所有待注入的同型有源区的光刻胶，曝露出所述有源区；(2)对曝露的所述有源区进行第一次离子注入；(3)去除所述第一次光刻后剩余的光刻胶；(4)通过第二次光刻，去除所述有源区的边缘区域的光刻胶，曝露出所述有源区边缘区域；(5)对曝露的所述有源区边缘区域进行第二次离子注入；和(6)去除所述第二次光刻后剩余的光刻胶。3.根据权利要求2所述的，其特征在于所述第一次和第二次离子注入时注入N+型或P+型同型离子，其类型由所述有源区源漏类型决定。4.根据权利要求2所述的，其特征在于所述第二次离子注入的注入方向与所述场区与有源区表面垂直方向的夹角为0°至45°。5.根据权利要求2所述的，其特征在于所述第二次离子注入的注入能量为10千电子伏特(kev)至10兆电子伏特(Mev)。6.根据权利要求2所述的，其特征在于所述第二次离子注入的注入剂量为所述第一次离子注入的注入剂量的1至10倍。全文摘要本专利技术公开了一种，包括首先在常规的源漏注入后，通过光刻，使有源区边缘的光刻胶被显影掉，并对暴露的有源区边缘再进行一次追加离子注入，使有源区边缘的结深加深，有效的防止结漏电。文档编号H01L21/265GK1825558SQ200510023989公开日2006年8月30日 申请日期2005年2月22日 优先权日2005年2月22日专利技术者顾学强 申请人:上海集成电路研发中心有限公司, 上海华虹(集团)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法，其特征在于，在常规的源漏注入后，增加一次对有源区边缘的离子注入，所述有源区边缘是指所述有源区与邻近场区交界处向所述场区延伸场区长度０．１到１００微米的场区区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾学强，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，上海华虹集团有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]