半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的阱，其形成于半导体衬底中；晶体管，其形成于阱中；第二导电类型的扩散区，其形成于半导体衬底中，以覆盖阱的侧面和底面；端子，其形成于半导体衬底上扩散区的外部；以及导电区，其与阱相接触，阱通过导电区和半导体衬底与端子欧姆接触，导电区的杂质浓度水平超过半导体衬底的杂质浓度水平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及一种，特别涉及一种包含场效应晶体管的。
技术介绍
随着近年来对提高半导体器件性能的需求，也产生对于提高这些半导体器件中使用的例如金属氧化物半导体(MOS)晶体管这样的场效应晶体管(FET)性能的需求。典型的，MOS晶体管具有如下结构在称为阱的扩散层中形成源极区和漏极区，该扩散层以相反导电类型扩散区的形式形成于半导体衬底中。为了提高这些MOS晶体管抗噪声的性能，提出使用一种所谓的三阱(triple well)结构，在该结构中，用作器件区的阱以被相反导电类型的杂质扩散区围绕的方式形成于衬底中。通过这种结构，将形成器件区的阱与其他电路或其半导体衬底的影响隔离开。在这种三阱技术中，人们提出在三阱外部设置一个端子，并通过形成的导电区控制三阱内部阱的电势，以使三阱内部与外部端子导通(专利文献1)。参考文献专利文献1日本特开专利申请10-199993。图1是示出了使用MOS晶体管20的传统半导体器件10的结构图，其中在图1的下部以平面图示出了半导体器件10，而在图1的上部示出了沿平面图中的线A-A’得到的半导体器件10的剖面图。应当注意，在平面图中略去了剖面图所示结构的某些部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：第一导电类型的半导体衬底；所述第一导电类型的阱，其形成于所述半导体衬底中；晶体管，其形成于所述阱中；第二导电类型的扩散区，其形成于所述半导体衬底中，以覆盖所述阱的侧面和底面；　 　端子，其形成于所述半导体衬底上所述扩散区的外部；以及导电区，其与所述阱相接触，所述阱通过所述导电区和所述半导体衬底与所述端子欧姆接触，所述导电区的杂质浓度水平超过所述半导体衬底的杂质浓度水平。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中琢尔，野村浩，入山靖德，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]