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本发明提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的阱，其形成于半导体衬底中；晶体管，其形成于阱中；第二导电类型的扩散区，其形成于半导体衬底中，以覆盖阱的侧面和底面；端子，其形成于半导体衬底上扩散区的外部；以及导电区，其...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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