【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种晶片,包括热电路,所述热电路安装在晶片的一侧上,以能够对晶片进行自加热或自冷却,从而对在所述晶片的表面上形成的半导体器件执行加热工艺或冷却工艺,并且所述热电路与所述半导体器件交换热量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:李永远,
申请(专利权)人:株式会社JOEUN技术,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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