一种在切割晶片１０时和切割晶片１０后支撑晶片芯片１１的支撑基部或卡盘２０。所述支撑基部包括岛２１的阵列，该岛的上表面在支撑基部的主表面上凸出，用于与在晶片上的或者从晶片上单切的芯片的阵列对齐。所述岛之间的间隔不小于用于切割晶片的激光的切口，或者刀刃的宽度。为了激光切割，所述岛的上表面在所述主表面之上有足够的高度，使得用于切割晶片的激光束３０的能量在岛之间的通道里被分散而基本不会加工所述支撑基部。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在将基片分割成芯片时用于基片的支撑装置，具体地涉及一种在将晶片基片单切(singulation)为独立的集成电路芯 片时，特别是使用激光时，用于半导体晶片基片的支撑装置。
技术介绍
在已知的用于使用芯片锯将半导体晶片分成单独的芯片的单切晶 片过程中，所述晶片首先安装在由切割框架支撑的切割带(通常通过 粘接层将晶片附着在其上的聚氯乙烯(PVC)或者聚烯烃材料)上，并 且被添加至类似地安装的晶片堆中。接着，安装的晶片被切割锯装置 中的处理系统从类似地安装的晶片堆中取出，并传送至在切割时用于 支撑的平板状卡盘。随着自动化显示或基于操作者的对带有切割锯刃 的晶片的芯片之间的晶片行距的对准，所述刃在X和Y方向上沿着所 述晶片行距经由晶片的一侧至相反的一侧，其切穿晶片但是不穿过所 述带。由此产生了通过粘合剂附着在由带框架支撑着的安装带上的独 立芯片的阵列。该具有单切芯片的带框架被传送至芯片拾取器，并且随着粘合剂 的热或紫外线的释放，芯片销用于从带上推动芯片以允许通过芯片拾 取器拾取单独的芯片。最近，激光己经被用以替代机械式晶片锯来单切晶片，这样，激 光切割过程适合一些类型的带，例如，聚烯烃带。该己知过程存在一些缺陷。带和带框架的使用增加了单切过程的 成本。薄晶片(厚度小于100微米的晶片)十分脆并且从晶片安装到 芯片分离的处理中在晶片和独立芯片上施加巨大应力和应变。本专利技术至少改善了现有技术的上述缺点。具体地，本专利技术避免了 切割过程、尤其是基于激光的切割过程中对带的需要。
技术实现思路
根据本专利技术的第一个方面，提供了一种用于在切割晶片时和切割 晶片后支撑该晶片的芯片的支撑基部，其特征在于所述支撑基部包 括岛阵列，该岛的上表面在所述支撑基部的主表面上凸出，用于与在 所述晶片上的、或者从所述晶片上被单切的芯片的阵列对齐，其中所 述岛之间的间隔不小于用于切割所述晶片的激光的切口，并且其中所 述岛的上表面在所述主表面之上有足够的高度，使得用于切割所述晶 片的激光束的能量在所述岛之间的通道里消散而基本不会加工所述支 撑基部。方便地，在所述主表面以上的所述岛的所述上表面的高度比所述 激光束的聚焦深度更大。有利地，所述支撑基部是真空卡盘，使得可通过局部真空将所述 芯片保持在所述支撑基部上。方便地，在切割后所述芯片可通过所述局部真空被保持在所述支 撑基部上，用于随后的加工。可选地，所述支撑基部是中空的以支撑半导体晶片，其中将该半 导体晶片的活性表面朝向所述支撑基部。对于本专利技术地第二个方面，提供了一种切割晶片的方法，其特征 在于包括以下步骤提供激光束；提供支撑基部，所述支撑基部包括 岛的阵列，其中所述岛的上表面在所述支撑基部的主表面上凸出，用 于与在所述晶片上的芯片的阵列对齐；将所述晶片设置在所述支撑基 部上，同时将所述岛的阵列与所述芯片的阵列对齐；及当通过激光光 束从所述晶片上单切(singulating)所述芯片时支撑各所述岛上的所 述芯片，使得在穿过所述晶片后，所述激光束的能量散失在所述岛之 间的通道中而基本不加工所述支撑基部。有利地，提供支撑基部的步骤包括提供真空卡盘，且将所述晶片 安装在所述支撑基部上的步骤包括通过局部真空将所述晶片保持在所 述支撑基部上。方便地，通过局部真空将所述单切芯片保持在所述支撑基部上， 以用于单切之后的加工。有利地，将所述单切芯片保持在所述支撑基部上，以至少用于清洗、湿法蚀刻、干法蚀刻、二氟化氙蚀刻、芯片试验、芯片拾取中的一项。可选地，所述支撑基部是中空的；所述晶片被安装在所述支撑基部上，其中所述晶片的活性表面朝向所述支撑基部并且从与所述活性 侧相反的后侧切割所述晶片。附图说明下面通过举例的方式、并参考附图对本专利技术进行详细说明，其中图1是用于本专利技术中的晶片的俯视图2视根据本专利技术的支撑基部或卡盘的俯视图3是图2中3 — 3线的横剖视图；和图4是图2中支撑基部或卡盘的侧视图。在附图中，相同的附图标记代表相同的部件。具体实施例方式对于附图1，直径为D的晶片10在其上形成矩形芯片11的规则阵 列，所述芯片具有如图1和表1第1列所示的尺寸dx乘以dy，和节距 X、 Y。所述芯片被Y方向的行距12以宽度sx和X方向的行距13以宽 度sy间隔开。为清楚起见，所有在晶片10上的芯片11尺寸相同，但 是本专利技术并不局限于相同尺寸的芯片、或矩形形状的芯片、或规则阵 列。<table>table see original document page 6</column></row><table>表l:晶片和卡盘参数的定义参照图2至图4，根据本专利技术，适用于支撑晶片10的卡盘20的俯 视图如图2所示。图3示出了图2中在y方向沿线3 — 3的剖视图。所 述卡盘20是具有类似于晶片10的直径D的直径C的圆盘，其中所述 晶片的上主面设置有突出的矩形岛21的阵列，其与晶片10上芯片11 的阵列对应且对齐地排列。这些岛21分别具有尺寸Wx乘以Wy，以及 节距Px和Py，如图2和表1的第2列所示。所述岛21被y方向的通 道22以宽度kx和被x方向的通道23以宽度ky间隔开。所述岛21的目的是在切割时和切割后支撑单独的芯片11。对于图 4，在激光切割时的卡盘20的使用允许激光束30通过并且在加工时在 卡盘岛21之间的通道22、 23中散失能量。下列因素与卡盘20的设计相关。1. 岛的尺寸为了支撑芯片11但允许激光束30在岛21之间通过，通常，岛的 尺寸Wx、 Wy必须分别地最大程度上与芯片尺寸dx、 dy—致。然而，在有些情形中激光加工设备提供了减小的切口的可能性。 在这些晶片行距12、 13并未减小以利用该减小的切口的示例中，所述岛的尺寸会比芯片的尺寸大，但是不大于芯片尺寸加上所述晶片行距 12、 13与由激光形成的切口之间的差的一半。通常，岛的尺寸应小于芯片的尺寸。Wx<dx且Wy<dy2. 岛的切口随着对岛的尺寸Wx、 Wy的要求，优选岛切口为kx、 ky，比如在一 特定轴线中的两个岛的最近的边之间的距离至少分别与相应的晶片行 距sx， sy同样大。在任何情况下，所述岛的间隔必须至少与激光切口 或锯刃宽度一样大。这用来确保，在激光切割中，在切割或切削过程 中激光束通常散失进岛21之间的通道22、 23的底部内，或者，在使 用时，锯刃并不在岛上蚀刻。岛的切口应当与晶片行距相同或比晶片行距更大。Px—Wx二kx^sx禾口 Py—Wy = ky》sy3. 岛的高度通道22、 23的深度或者岛21之间的沟槽，即岛的高度，应当比 "加工深度"大，即，对于距离光束聚焦或收敛的平面一定距离d的 激光束30强度的聚焦深度被减小到制成卡盘20的加工材料的强度之 下。如图4所示。聚焦的深度dof，优选地比岛21的高度h小。除上述需求之外，优选卡盘20被构造成即使是当从切割机移走时 允许真空保持。此外，卡盘20优选被设计成当将一个或多个芯片11 从卡盘20移走时，空气流足够用来使所有其它的仍安装在卡盘20上 的芯片11保持局部真空，以保持卡盘上剩下的芯片直至被移走，例如， 被芯片拾取器移走。在一实施例中，卡盘20方便了后续的过程，例如为了移入清洗台 等的后续工艺，允许在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于在切割晶片时和切割晶片后支撑该晶片的芯片的支撑基部，其特征在于：所述支撑基部包括岛阵列，该岛的上表面在所述支撑基部的主表面上凸出，用于与在所述晶片上的、或者从所述晶片上被单切的芯片的阵列对齐，其中所述岛之间的间隔不小于用于切割所述晶片的激光的切口，或者刀刃的宽度，并且其中所述岛的上表面在所述主表面之上有足够的高度，使得用于切割所述晶片的激光束的能量在所述岛之间的通道里消散而基本不会加工所述支撑基部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰塔利，比利迪金，理查德F托夫特尼斯，约翰奥哈洛伦，
申请(专利权)人：XSIL技术有限公司，
类型：发明
国别省市：IE[爱尔兰]
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