一种在切割晶片１０时和切割晶片１０后支撑晶片芯片１１的支撑基部或卡盘２０。所述支撑基部包括岛２１的阵列，该岛的上表面在支撑基部的主表面上凸出，用于与在晶片上的或者从晶片上单切的芯片的阵列对齐。所述岛之间的间隔不小于用于切割晶片的激光的切...

基板（３０）用一个具有存储激光切割方案文件的相关存储器的程序控制脉冲激光束（３５）装置切割。该文件包括了脉冲速率Δｔ，脉冲能量密度Ｅ和脉冲空间重叠中的选定组合来加工基板的一个单层或不同层（３１，３２，３３，３４）上不同类型的材料，同时限...

用ＵＶ或绿色激光束６在冷冻的液体卤化物环境中加工硅体Ｗ。在加工部位附近用激光束局部加热液体卤化物足以引发硅体和液体卤化物之间的反应，这种反应加快了加工速度，提高了加工质量并减少了激光加工生成的碎片。

通过为硅工件提供卤素环境以形成用于激光加工的活性助气，用波长小于０．５５微米的激光束４通过激光器２对硅工件５进行加工。该激光束以高于硅的消融阈值的功率密度聚焦在硅工件上，以便使该助气在激光束的焦点或其附近与硅工件反应，从而提高加工速度并...

待激光加工的工件（１２）的一个表面受到表面活性剂薄膜（１１）的保护，避免在使用激光束（１４）进行的激光加工中所产生的碎屑（１５）对该表面的粘附。优选地，该表面活性剂薄膜随后连同沉积其上的碎屑（１５１）一并被去除。

一种用于对在激光加工时释放有害物质的材料（１５）进行加工的激光加工装置，包括真空抽吸系统（２４，２５）以抽吸至少一部分从装置的加工区域释放的有害物质。至少一个第一容置区（３６）包围所述加工区域以容纳任何未抽吸的释放出的有害物质的沉积物。...