【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光加工,特别是含至少相当大部分硅的实体的激光加工。
技术介绍
硅与所有的卤素剧烈反应生成四卤化硅。因此,硅与氟、F2、氯、Cl2、溴、Br2和碘、I2反应,分别生成氟化硅、SiF4、氯化硅、SiCl4、溴化硅、SiBr4和碘化硅、SiI4。与氟的反应在室温下进行,而其他反应要求加热到300℃以上。从US5266532A和US5322988A获悉,卤化碳的存在加快了硅的烧蚀速度。卤化碳-硅反应的例子是卤化碳和硅之间的反应不是自发的。该反应只有在高于硅的熔融阈值的能量下才会发生,因此非常具有定位性并适用于单步硅微细加工应用,例如晶圆切割(wafer dicing)、通孔(vias)和表面图案化。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供与现有技术相比改进的硅加工。按照本专利技术的第一个方面,提供了一种用激光束加工硅体(silicon body)的方法,包括下列步骤在硅体的至少一个加工位置提供液体卤化物环境;将激光束对准在液体卤化物环境中的硅体的加工位置;在硅体的加工位置附近用激光束局部加热液体卤化物,加热程度足以在加工位置引发硅体和液体卤化物之间的化学反应;用激光束在加工位置加工硅体,由此在加工位置引发化学反应。有利地,提供液体卤化物环境的步骤包括提供一种液体卤化碳环境。方便地,对准激光束的步骤包括对准UV波长的激光束。或者,对准激光束的步骤包括对准绿色可见光波长的激光束。方便地,提供液体卤化物环境的步骤包括提供一个用于容纳液体卤化物的环境模拟箱。优选地,提供液体卤化物的步骤包括提供一种冷冻的液体卤化物。有利地,提供冷冻的液体卤化物的步骤包括在 ...
【技术保护点】
一种用激光束(6)加工硅体(W)的方法,包括下列步骤:a.在所述硅体的至少一个加工位置提供液体卤化物环境;b.将激光束对准在所述液体卤化物环境中的硅体的加工位置;c.在所述硅体的加工位置附近用激光束局部加热液体卤化物 ,加热程度足以在该加工位置引发硅体和液体卤化物之间的化学反应;和d.用激光束在所述加工位置加工硅体,由此在所述加工位置引发化学反应。
【技术特征摘要】
IE 2002-8-6 2002/0655;GB 2002-10-22 0224585.01.一种用激光束(6)加工硅体(W)的方法,包括下列步骤a.在所述硅体的至少一个加工位置提供液体卤化物环境;b.将激光束对准在所述液体卤化物环境中的硅体的加工位置;c.在所述硅体的加工位置附近用激光束局部加热液体卤化物,加热程度足以在该加工位置引发硅体和液体卤化物之间的化学反应;和d.用激光束在所述加工位置加工硅体,由此在所述加工位置引发化学反应。2.如权利要求1所述的方法,其中所述提供液体卤化物环境的步骤包括提供一种液体卤化碳环境。3.如权利要求1或2所述的方法,其中所述对准激光束的步骤包括对准UV波长的激光束。4.如权利要求1或2所述的方法,其中所述对准激光束的步骤包括对准绿色可见光波长的激光束。5.如上述权利要求任何一项所述的方法,其中所述提供液体卤化物环境的步骤包括提供一个用于容纳液体卤化物的环境模拟箱(2)。6.如上述权利要求任何一项所述的方法,其中所述提供液体卤化物的步骤包括提供一种冷冻的液体卤化物。7.如权利要求5所述的方法,其中所述提供冷冻液体卤化物的步骤包括在加工之前、之中和之后控制冷冻的液体卤化物的温度。8.如上述权利要求任何一项所述的方法,其中所述提供液体卤化物环境的步骤包括提供用于至少向加工位置输送液体卤化物的气溶胶喷嘴装置。9.如上述权利要求任何一项所述的方法,其中所述提供液体卤化物环境的步骤包括提供一种含有选自氟、氯、溴和碘的卤素的卤化碳。10.如上述权利要求任何一项所述的方法,其中所述加工硅体的步骤包括控制硅体的温度以通过控制硅体的热负荷来充分防止对硅体的热损伤。11.一种激光加工设备(1),包括一个激光器;将来自激光器的激光束(6)对准加工位置的装置(10);在...
【专利技术属性】
技术研发人员:A博伊尔,M法萨瑞,
申请(专利权)人:XSIL技术有限公司,
类型:发明
国别省市:IE[爱尔兰]
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