多层电极、交叉点存储器阵列制造技术

本发明专利技术提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及一种多层电极、 一种存储装置及其制造方法。其它示例 实施例涉及一种多层电极、 一种交叉点电阻存储器阵列及其制造方法。
技术介绍
半导体存储装置可以包括在电路中连接的多个存储单元。在作为传统的半导体存储装置的示例的动态随机存取存储器(DRAM)中，单位存储单元 可以包括一个开关和一个电容器。DRAM可以具有增加的集成密度和较快的 操作速度。然而，当电源关闭时，DRAM丢失所有存储的数据。相反，即使 在电源关闭时也可以保持存储的数据的非易失性存储装置的示例可以为闪速 存储装置。然而，与DRAM相比，闪速存储装置具有较低的集成密度和较慢 的操作速度。非易失性存储装置的示例包括磁性随机存取存储器(MRAM)、铁电随 机存取存储器(FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)和电阻随机存取存 储器(RRAM )。 RRAM利用过渡金属氧化物的电阻根据特定条件而改变的可 变电阻特性。由一种金属形成的金属层可以用作电阻存储装置的电极。关于 这一点，可以-使用贵金属层，例如，Pt。
技术实现思路
示例实施例提供了 一种多层电极、 一种交叉点电阻存储器阵列及其制造 方法。其它示例实施例提供了一种多层电极、 一种交叉点电阻存储器阵列及 其制造方法，其中，由于具有多层结构的电极结构，交叉点电阻存储器阵列 可以防止或减少压降。根据示例实施例， 一种交叉点存储器阵列可以包括多条第一电极线， 彼此平行布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行布置；第 一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极 线和第二电极线中的至少 一种具有包括第 一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。根据示例实施例，一种制造交叉点存储器阵列的方法可以包括以下步骤 提供彼此平行布置的多条第一电极线；提供与第一电极线交叉并且彼此平行 布置的多条第二电极线；在第一电极线和第二电极线之间的交叉处形成第一 存储器电阻器，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一 导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。第一导电层的电阻率可以低于第二导电层的电阻率。第一导电层可以由 从A1、 Mo、 Cu和Ag中选择的任何一种形成。第二导电层可以是由贵金属 形成的层或者是包含贵金属的合金层。贵金属可以是从Pt、 Au、 Pd、 Ir和 Ag中选择的任何一种。第二导电层可以位于第一导电层上，或者第一导电层 可以位于第二导电层上。第二导电层可以沿着线图案延伸。第二导电层可以 被构造为位于交叉处的点图案。所述阵列还可以包括位于第 一 电极线和第二电极线之间的交叉处并且用 于调节流向第 一存储器电阻器的电流的第 一开关结构。所述阵列还可以包括 位于第一存储器电阻器和第一开关结构之间的第一中间电极。第一存储器电 阻器、第一中间电极、第一开关结构和第二电极线可以顺序形成在第一电极 线上。第一开关结构、第一+间电极、第一存储器电阻器和第二电极线可以 顺序形成在第一电极线上。第一开关结构可以是从二极管、阈值开关器件和 变阻器中选择的任何一种。所述二极管可以是氧化物二极管。第一存储器电阻器可以包括从Ni氧化物、Cu氧化物、Ti氧化物、Co氧 化物、Hf氧化物、Zr氧化物、Zn氧化物、W氧化物、Nb氧化物、TiNi氧化 物、LiNi氧化物、Al氧化物、InZn氧化物、V氧化物、SrZr氧化物、SrTi 氧化物、Cr氧化物、Fe氧化物和Ta氧化物中选^f的至少一种。所述阵列还 可以包括多条第三电极线，与第二电极线交叉并且彼此平行布置；第二存 储器电阻器，位于第二电极线和第三电极线之间的交叉处，其中，第三电极 线可以具有包括第 一导电层和第二导电层的多层结构。所述阵列还可以包括位于第二电极线和第三电极线之间的交叉处并且用 于调节流向第二存储器电阻器的电流的第二开关结构。所述阵列还可以包括 位于第二存储器电阻器和第二开关结构之间的第二中间电极。第二存储器电 阻器、第二中间电极、第二开关结构和第三电极线可以顺序形成在第二电极 线上。第二开关结构、第二中间电极、第二存储器电阻器和第三电极线可以顺 序形成在第二电极线上。第二开关结构可以是从二极管、阈值开关器件和变 阻器中选择的任何一种。所述二极管可以是氧化物二极管。所述阵列可以是具有一个二极管-一个电阻器(1D-1R)的单元结构的多层交叉点阵列装置。第一存储器电阻器可以包括从较高电阻状态可逆地转换为较低电阻状态、或 者从较低电阻状态可逆地转换为较高电阻状态的元件。第 一存储器电阻器可 以包括从较高电阻状态不可逆地转换为较低电阻状态的元件。根据示例实施例， 一种多层电极可以包括第一导电层；第二导电层， 由贵金属形成。第一导电层的电阻率可以低于第二导电层的电阻率。第一导 电层可以由从A1、 Mo、 Cu和Ag中选择的任何一种形成。第二导电层可以 是由贵金属形成的层或者是包含贵金属的合金层。贵金属可以是从Pt、 Au、 Pd、 Ir和Ag中选择的任何一种。第二导电层可以位于第一导电层上，或者第 一导电层可以位于第二导电层上。第一导电层可以沿着线图案延伸，第二导 电层可以沿着线图案延伸，或者可以被构造为至少一个点图案。附图说明通过结合附图在下面进行的详细描述，示例实施例将更容易被理解。图 1A至图7表示这里描述的非限制性的示例实施例。图1A和图1B均为示出根据示例实施例的存储装置的单元装置的剖视图2和图3是根据示例实施例的交叉点电阻存储器阵列的透视图； 图4A和图4B是图3中的存储器阵列的电^^图； 图5是根据示例实施例的存储器阵列的平面现象的透^L图7是根据示例实施例的存储器阵列的透视图。应该注意到，这些图意图用来示出特定示例实施例中采用的方法、结构 和/或材料的一般特点，并且用来对下面提供的书面描述进行补充。然而，这特点，并且不应该被解释为限定或限制示例实施例所包括的数值或性质的范 围。例如，为了清晰起见，可以缩小或者夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和相对位置。在不同的图中，意图使用类似或相同的标号来指示 存在类似或相同的元件或特征。具体实施例方式在下文中，将通过参照附图解释示例实施例来详细描述示例实施例。在 图中，为了清晰起见，夸大了层或区域的厚度和宽度。应该理解，当元件被称作"连接"或"结合"到另一元件时，该元件可以直 接连接或直接结合到其它元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称 作"直接连接"或"直接结合"到另一元件时，不存在中间元件。相同的标号始 终表示相同的元件。如这里使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关列出项 的任意和所有组合。应该理解，尽管这里可以使用术语"第一"、"第二，，等来描述各种元件、 组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该 受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与其 它元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导 的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被定义为第二 元件、组件、区i或、层或部分。为了便于描述，这里可以使用空间相对术语例如，"下面"、"下方"、 "在......下面"、"上方"、"上面"等来描述如图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交叉点存储器阵列，包括：　多条第一电极线，彼此平行布置；　多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行布置；　第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，　其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包 括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李昌范，朴永洙，李明宰，斯蒂法诺维奇詹瑞克，金起焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]