具有凹口浮动栅以及分级源区的可缩放的快闪EEPROM存储元件及其制造方法技术

一种存储装置及其制造方法，包括在其间限定沟道区的源极以及漏极区。选择栅形成于沟道区的第一部分之上并与之绝缘。导电浮动栅设置在源极区域以及沟道区的第二部分上并且与之绝缘。在浮动栅底面形成一个凹口，该底面具有和源极区域的边缘相对准的边缘或者具有设置在源极区域之上的边缘。导电控制栅与浮动栅相邻设置。通过使源极区域终结于通过凹口提供的更厚的绝缘区域的下方来增加源极结的击穿电压。替换的，浮动栅的较低部分完全地形成在源极区域上，用于产生边缘区域以控制沟道区的相邻部分。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电可擦除且可编程只读非易失性存储器(EEPROM)单元或 更具体地说涉及快闪EEPROMo本专利技术还涉及包括若干以这种存储单元的行 和列为矩阵的形式布置的这种EEPROM存储单元的存储器阵列。
技术介绍
一种现有技术的快闪存储器装置是叠层栅快闪EEPROM，其中单个叠层 栅晶体管组成存储单元。它编程为传统的UV可擦除EPROMJ吏用向浮动栅 注射热电子的机制，并且M Fowler-Nordheim隧道效应机制从浮动栅至鹏极区 :^iS行擦除。这种装置具有以下缺点(1)擦除灵敏度过高,其中即使当存储单 元的栅极被取消选定并且在地电位被偏置时，存储单元可以被擦除至一个负的 阈值电压，从而使存储单元处于导电状态,，以及(2)高的编程电流，其需要 舰制虫的电源电压来对存储单繊4彌程，例如参见美国专利4698787。第二种类型快闪存储器装置使用分割栅配置。这种配置消除了擦除灵敏 度过高，这是因为即使浮动栅是被过擦除，沟道中的导电需要在另一部分沟道 之上的控制栅偏置。然而，编程和擦除机制和叠层栅配置是相同的。这种配 置的缺点是它增加了存储单元的尺寸并且由于分割栅配置其可能要承受本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电可擦除且可编程存储器装置，包括：　第一导电类型的半导体材料的衬底；　在衬底中形成的具有一定距离间隔并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第一和第二区域，其间具有沟道区；　形成于沟道区的第一部分之上并与之绝缘的导电选择栅；　具有底面的导电浮动栅，所述底面设置在第一区域以及沟道区的第二部分之上并且通过绝缘材料与之绝缘，其中凹口形成在所述底面之上，该底面具有与第一区域的边缘相对准的边缘或者具有设置在第一区域之上的边缘；以及　导电控制栅，具有相邻于浮动栅设置的第一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：CS詹，TP严，
申请(专利权)人：积忆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[]