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具有凹口浮动栅以及分级源区的可缩放的快闪EEPROM存储元件及其制造方法技术
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下载具有凹口浮动栅以及分级源区的可缩放的快闪EEPROM存储元件及其制造方法的技术资料
文档序号:3234059
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一种存储装置及其制造方法,包括在其间限定沟道区的源极以及漏极区。选择栅形成于沟道区的第一部分之上并与之绝缘。导电浮动栅设置在源极区域以及沟道区的第二部分上并且与之绝缘。在浮动栅底面形成一个凹口,该底面具有和源极区域的边缘相对准的边缘或者具有...
该专利属于积忆科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过积忆科技股份有限公司授权不得商用。
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