【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
在130nm以下的半导体工艺制程中，金属铜已被广泛用作互连线路材料。 Cu互连线路的化学机械抛光(CMP)是现今全面平坦化工艺中广泛应用的技术。 不同的制程对铜的抛光速率有着不同的技术要求。采用工艺条件的优化来调节 铜的去除速率是业界常用的方法。已有很多文献报道不同的抛光液配方，以达 到不同的选择比来调节Cu的表面形貌和去除速率。在Cu的化学机械抛光过程中，分两个阶段快速去除阶段和软着陆阶段(如 图1所示)。快速去除阶段需要很高的铜的去除速率和较高的抛光均一性，软着 陆阶段要求比较低的去除速率和较好的表面形貌。通过双氧水的浓度来调节铜 去除的快慢是工艺上常用的手段，如果对双氧水的浓度比较敏感，就可以通过 双氧水快速提高去除速率，可以实现快速去除阶段的在线调控，以达到工艺要 求。而软着陆阶段可以降低双氧水的浓度来降低金属铜的去除，并添加表面活 性剂使得抛光停止在阻挡层上。图1是大马士工艺示意图。化学机械抛光过程中，Cu的去除速率对双氧水浓度变化的敏感程度直接影 响化学机械抛光工艺的可控性，从而影响抛光性能的稳定性。对双...
【技术保护点】
一种化学机械抛光液，其特征在于含有：磨料、双氧水、水和下述络合剂中的一种或多种：三氮唑、碳原子上含有给电子取代基的三唑化合物、嘧啶、嘧啶衍生物、哌嗪和哌嗪衍生物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，陈国栋，包建鑫，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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