封装方法技术

本发明专利技术公开了一种封装方法，包括：提供基板；在所述基板上形成胶粘层；提供若干个芯片，所述芯片上形成有键合层；将所述芯片置于所述基板上，使得键合层与胶粘层相对设置，实现芯片和基板的键合；与粘结层相比，所述键合层具有更高粘结强度，具有良好的耐化学性、耐酸碱性和耐高温性等特性，而且采用所述键合层后，键合工艺对剪切力的要求降低，在较短的工艺时间内，即可实现所述基板和所述芯片的完全键合，所述芯片在所述基板上发生漂移的概率也较低。低。低。

【技术实现步骤摘要】
封装方法
[0001]本申请为申请号201810883152.9、申请日2018.08.06、专利技术名称“封装方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装方法。

技术介绍

[0003]随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。其中，系统级封装(System in Package，SIP)是将多个具有不同功能的有源元件、无源元件、微机电系统(MEMS)、光学元件等其他元件，组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，允许异质IC集成。相比于系统级芯片(System on Chip，SoC)，系统级封装的集成相对简单，设计周期和面市周期更短，成本较低，可以实现更复杂的系统，是一种较为普遍的封装技术。
[0004]目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用晶圆级系统封装(Wafer Level System in Package，WLPSiP)和面板级系统封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成胶粘层；提供若干个芯片，所述芯片上形成有键合层；将所述芯片置于所述基板上，使得键合层与胶粘层相对设置，实现芯片和基板的键合。2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，将所述芯片置于所述基板上后，还包括：对所述基板和芯片进行预键合处理。3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的工艺为热压键合或加压键合。4.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的工艺为热压键合，所述预键合处理的步骤包括：对所述芯片和基板中的至少一个进行第一加压处理，且在进行所述第一加压处理的同时，对所述芯片和所述基板进行第一加热处理。5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，在所述第一加压处理的步骤中，对所述芯片背向所述基板的表面进行所述第一加压处理；在所述第一加热处理的步骤中，对所述芯片背向所述基板的表面、以及所述基板背面进行所述第一加热处理。6.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，对所述基板和芯片进行预键合处理的步骤中，所述预键合处理的工艺时间为1秒至30秒，所述第一加压处理的压力为100牛顿至400牛顿，所述第一加热处理的工艺温度为150摄氏度至250摄氏度。7.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的步骤还包括：在所述第一加压处理和第一加热处理之前，进行第一抽真空处理，使所述预键合处理的工艺压强达到预设压强。8.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，对所述基板和芯片进行预键合处理的步骤中，所述预设压强为5千帕至一个标准大气压。9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：在所述基板上形成封装层，所述封装层覆盖所述若干芯片和基板表面。10.如权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述封装层的形成方法包括：提供薄膜型封装材料；将所述芯片置于所述基板上后，将所述薄膜型封装材料置于所述若干个芯片上，使所述基板和所述若干个芯片通过键合层和胶粘层实现键合，并使所述封装材料填充于所述若干个芯片之间且覆盖所述芯片侧壁，以及所述若干个芯片和基板之间且覆盖所述若干个芯片，所述封装材料用于作为封装层。11.如权利要求9所述的封装方法，其特征在于，采用热压合工艺使所述基板和所述若...

【专利技术属性】
技术研发人员：石虎，刘孟彬，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：