制造高电压器件的方法技术

一种制造高电压器件的方法，按照该方法，通过在形成具有垂直型漂移区的对称高电压器件的过程中平坦化栅极，可以减少由在源极和漏极之间进行隔离所需的区域。因此，在沟槽中形成高度低于氧化物隔离件的栅极，从而减少用于在源极和漏极之间进行隔离的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造，更具体地，涉及一种制造高电压 器件的方法。尽管本专利技术适于很宽的应用范围，但是本专利技术尤其适 合具有垂直漂移区(drift region )的对称高电压器件(symmetric high voltage device )。
技术介绍
高电压器件在漏4及中需要有轻掺杂(lightly doped )漂移区以具 有耐高电压性(high voltage resistance )。漂移区可能在尺寸上占据 高电压器件的最大部分。随着高电压器件所需的耐电压性变的越 高，漂移区需要在水平方向上变的更宽。当提供了耐高电压性时， 应该将沟道区(channel region )的长度构造得4艮长以防止击穿 (punch-through )。沟道长度占据了高电压器件的第二大部分。参照图1，高电压器件可以包括在p型半导体衬底IO的预定区 中形成的轻掺杂漂移区11。在半导体4于底10上和/或上方形成棚-才及 氧化层12。在半导体4t底10上和/或上方形成与部分漂移区11相 对应的场氧化层13,其中该场氧化层13用于场板(field plate )。在 4册才及氧化层12和场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　在半导体衬底中形成隔离开的一对垂直型漂移区；　在所述半导体衬底中形成氧化层，并且所述氧化层与部分所述漂移区重叠；　在所述漂移区中和在所述漂移区之间的所述半导体衬底中形成沟槽；　在所述沟槽的侧壁上形成 氧化物隔离件；　在所述沟槽中以及在所述氧化层上形成栅极；　平坦化所述栅极；以及然后　分别在所述漂移区中形成源极和漏极。

【技术特征摘要】
KR 2007-12-3 10-2007-01244171. 一种方法，包括在半导体衬底中形成隔离开的一对垂直型漂移区；在所述半导体衬底中形成氧化层，并且所述氧化层与部分所述漂移区重叠；在所述漂移区中和在所述漂移区之间的所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽的侧壁上形成氧化物隔离件；在所述沟槽中以及在所述氧化层上形成栅极；平坦化所述栅极；以及然后分别在所述漂移区中形成源极和漏极。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，通过化学机械抛光来刻蚀 所述栅极。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀所述栅极以使所述栅 极具有比所述氧化物隔离件的高度低的高度。4. 才艮据4又利要求1所述的方法，其中，形成所述沟槽以^吏所述沟 槽具有比所述氧化层的宽度小的宽度。5. 4艮据4又利要求1所述的方法，其中，形成所述氧化层以l吏所述 氧化层具有比所述漂移区之间的间隔大的宽度。6. 根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟槽以使所述沟 槽具有比所述漂移区的深度小的深度。7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物隔离件包括用 于高电压器件的场^^。8. 根据权利要求1所述的方法，其中，通过各向异性干法刻蚀来 形成所述氧化物隔离件。9. 一种器件，包括一对垂直型漂移区，隔离开地形成在半导体衬底中；沟槽，在所述漂移区中和在所述漂移区之间的所述半导 体4于底中形成；绝缘层图样，分别形成在所述漂移区中，并位于所述沟 槽的最上部；隔离件，形成在所述沟槽的侧壁和所述绝缘层图样的暴 露的侧壁上；栅极，形成在所述沟槽中；以及源扭^口漏4及，分别形成在所述漂寿多区中。10. 根据权利要求9所述的器件，其中，所述冲册才及具有比所述隔离 件的高度低的高度。11. 根据权利要求9所述的器件，其中，所述绝缘层图样...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜舜京，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]