【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有较高击穿电压的齐纳二极管,为此本专利技术还涉及 一种齐纳二极管的制造方法。
技术介绍
齐纳二极管是一个多子器件,单位时间通过PN结的多子数起伏较小,所以齐纳二极管的噪声很低。并且,齐纳二极管是利用多子隧道效应(tunneling effect)工作,隧道效应本质上是一种量子跃迁,所以,齐 纳二极管的工作频率非常高。另外,温度对多子浓度的影响很小,因此, 齐纳二极管的工作温度范围很大。但是,传统的齐纳二极管的PN结的两 边都是重掺杂,已经是简并半导体,两边掺杂的杂质的浓度峰值是一一对 应的(peak to peak),因此,这种齐纳二极管的击穿电压很难做高。例如,如图1所示,现有的横向齐纳二极管结构包括N型硅衬底101, 在所述衬底101上形成有P型阱区102,且在该P型阱区102上形成有P 型重掺杂区103和N型重掺杂区104,所述P型重掺杂区103与N型重掺 杂区104为背靠背结构,并且所述P型重掺杂区103中P型杂质浓度的峰 值与所述N型重掺杂区104中N型杂质浓度的峰值在同一处(peak to peak),因此使得这种齐纳二极管的击穿电压很低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种齐纳二极管,可提高齐纳二极的击穿电压,为此本专利技术还涉及一种齐纳二极管的制造方法。为解决上述技术问题,在一个实施例中,本专利技术提供了一种齐纳二极管,包括衬底301,在所述衬底301上形成有P型阱区302,在所述P型阱区 302上形成有P型重掺杂区303和N型轻掺杂区304,且所述P型重掺杂区303 和^1型轻掺杂区304相邻呈横向背靠背 ...
【技术保护点】
一种齐纳二极管,包括:衬底(301),在所述衬底(301)上形成有P型阱区(302),其特征在于,在所述P型阱区(302)上形成有P型重掺杂区(303)和N型轻掺杂区(304),且所述P型重掺杂区(303)和N型轻掺杂区(304)相邻呈横向背靠背的P+/N-结构;在所述N型轻掺杂区(304)以及邻近该N型轻掺杂区(304)的所述P型重掺杂区(303)的部分还形成有一N型重掺杂区(305)。
【技术特征摘要】
1、一种齐纳二极管,包括衬底(301),在所述衬底(301)上形成有P型阱区(302),其特征在于,在所述P型阱区(302)上形成有P型重掺杂区(303)和N型轻掺杂区(304),且所述P型重掺杂区(303)和N型轻掺杂区(304)相邻呈横向背靠背的P+/N-结构;在所述N型轻掺杂区(304)以及邻近该N型轻掺杂区(304)的所述P型重掺杂区(303)的部分还形成有一N型重掺杂区(305)。2、 根据权利要求l所述齐纳二极管,其特征在于,所述N型重掺杂区 (305)与所述P型重掺杂区(303)的重叠部分的长为在O. 2 0. 5um。3、 一种齐纳二极管,包括衬底(401),在所述衬底(401)上形成 有P型阱区(402),其特征在于,在所述P型阱区(402)上形成有P型重掺 杂区(403) 、 N型轻掺杂区(404)以及重叠区(405);在所述重叠区(405) 和N型轻掺杂区(404)上还形成有一N型重掺杂区(406)。4、 根据权利要求3所述齐纳二极管,其特征在于,所述重叠区(405) 的长度为0.2 1.0um。5、 一种制造权利要求l所述齐纳二极管的方法,其特征在于,包括步骤(1) 在N型的硅衬底(301)上形成一P型阱区(302);(2) 在所述P型阱区(302)上进行选择性P型重掺杂及选择性N型轻掺 杂,从而在所述P型阱区(302)上形成相邻且呈横向背靠背的 +/^结构? 型重掺杂区(30...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱文生,吕赵鸿,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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