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本发明公开了一种齐纳二极管及其制造方法，实现了将横向齐纳二极管和纵向齐纳二极管结合起来的齐纳二极管结构，从而大大提高了齐纳二极管的击穿电压，并有效改善了齐纳二极管的耐压性能。...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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