【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片制造领域，涉及珪片检测工艺，尤其涉及一种检测通孔 阻挡层是否穿透的方法。
技术介绍
刻蚀工艺的最后 一 步是进行刻蚀纟企查以确保刻蚀质量。这种检查通常是 在有图形的硅片上刻蚀和去胶全部完成以后进行的，传统的方法是用白光或 紫外光手动显微镜来检查缺陷，如检查污点和大的颗粒沾污。手动显纟效镜已 大量被自动检测系统所取代，特别是对有深亚微米图形的关键层的检查。先 进的测量仪器能够自动检测带图形骨片的图形缺陷和变形。其中，很重要的检查之一是对通孔(VIA)阻挡层(st叩layer)的检查， 检测其是否被穿透，以确保硅片的质量。若通孔的阻挡层没有足够的厚度保 护其底部的金属层，金属层将很容易被破坏。现有的对阻挡层的检测方法通常是用F旧-TEM (聚焦离子束-透射电子 显微镜)检测；检测时，需要把硅片对通孔做横向切割，使检测过程过于繁 瑣。且这种方法只对小部分硅片做检测， 一方面破坏了一部分硅片，另一方 面才企测的正确性不够精确
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种简便易行、用于检测通孔阻挡层是否穿透的方法。为了实现上述目的，本专利技术提供，该方法使用关4定尺寸扫描电子显微镜^r测通孔阻挡层是否穿透，其包括所 述电子显孩i镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶 视图；量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺 寸；判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。作为本专利技术的一种优选方案，所述电子显微镜扫描通孔上方的步骤前还 包括使硅片的表面带电荷的步骤。作为本专利技术的一种优选方案，所述使硅片的...
【技术保护点】
一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，其特征在于，该方法使用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔阻挡层是否穿透，其包括： 所述电子显微镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶视图； 量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶 视图量测通孔的关键尺寸； 判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。
【技术特征摘要】
1、一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，其特征在于，该方法使用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔阻挡层是否穿透，其包括所述电子显微镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶视图；量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺寸；判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。2、 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子显微镜扫描通孔上 方的步骤前还包括使硅片的表面带电荷的步骤。3、 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使硅片的表面带电荷的 步骤中使用600...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈满华，周鸣，赵林林，孙武，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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