【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种放电管芯片，特别是一种半导体放电管半导体芯片。现有的半导体放电芯片是利用双向可控硅的特性制成，它是一个五层半导体双向对称结构，如附图说明图1所示，101为引脚线焊接到芯片的金属层，102为发射区，103、104为基区，105为控制极，当101两端加上一电压时，105腾空，当电压较低时101两端截止，而当101两端电压较大至某一值Vbe时101两端导通，随101两端电压为零时，101两端又截止，用上述芯片作为电子通信设备的保护器件时，Vbe即是开始保护的电压，当外侵电压不超过Vbe时，芯片处于绝缘状态，当外侵电压超过Vbe时，芯片立即导通将外侵的过电压泄放入地，对电子设备起到了保护作用，由于外侵电压的电压值及时间电流的随机性，作为放电管必须要有大范围的耐压耐流，响应时间要快，开通延迟时间要短，而将双向可控硅作为半导体放电芯片还有缺陷。本技术的目的是解决现有技术中半导体放电芯片耐压耐流范围小，响应时间要慢，开通延迟时间要长的问题。本技术技术方案设计半导体放电管半导体芯片，包括第一导电型长基区中间层，第一导电型长基区中间层掺杂为高斯分布，其特征在于第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层，金属化层边缘有钝化层，第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区，第二导电型短基区掺杂为高斯分布，第二导电型短基区内有一掺杂为余误差分布的第二导电型层，第二导电型短基区内有第一导电型发射区，第一导电型发射区掺杂为高斯分布，第一导电型发射区内有一掺杂为余误差分布的第一导电型层，第一导电型发射区内有若干短路点连接第二导电型短基区与第一导电型长基区中间...
【技术保护点】
半导体放电管半导体芯片，包括第一导电型长基区中间层，第一导电型长基区中间层掺杂为高斯分布，其特征在于：第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层，金属化层边缘有钝化层，第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区，第二导电型短基区掺杂为高斯分布，第二导电型短基区内有一掺杂为余误差分布的第二导电型层，第二导电型短基区内有第一导电型发射区，第一导电型发射区掺杂为高斯分布，第一导电型发射区内有一掺杂为余误差分布的第一导电型层，第一导电型发射区内有若干短路点连接第二导电型短基区与第一导电型长基区中间层外侧面的金属化层，第二导电型短基区外侧有环槽。
【技术特征摘要】
1.半导体放电管半导体芯片，包括第一导电型长基区中间层，第一导电型长基区中间层掺杂为高斯分布，其特征在于第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层，金属化层边缘有钝化层，第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区，第二导电型短基区掺杂为高斯分布，第二导电型短基区内有一掺杂为余误差分布的第二导电型层，第二导电型短基区内有第一导电型发射区，第一导电型发射区掺杂为高斯分布，第一导电型发射区内有一掺杂为余误差分布的第一导电型层，第一导电型发射区内有若干短路点连接第二导电型短基区与第一导电型长基区中间层外侧面的金属化层，第二导电型短基区外侧有环槽，2.按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于第一导电型长基区中间层两侧的第二导电型短基区为180度对称，按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片...
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