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本实用新型涉及一种半导体放电管半导体芯片，包括第一导电型长基区中间层，其掺杂为高斯分布，其特征在于：第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层，金属化层边缘有钝化层，第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区，其掺杂为高斯分布，第...
该专利属于吴平靖所有，仅供学习研究参考，未经过吴平靖授权不得商用。

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