【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件及集成电路表面有机钝化用新设备。聚酰亚胺是由聚酰胺酸加热至300℃亚胺化成环聚合后所获得的。在亚胺化的过程中会产生大量低分子结构的聚缩水，必须及时地加以排除，並使亚胺化“由里及表”地进行，这是获得高质量聚酰亚胺的技术关键所在。现有的亚胺化设备。按其加热方式可分为1、电阻丝烘箱法是一种采用普通电阻丝加热的医用或工业用恒温箱。该装置在300℃的高温下工作易使烘箱内漆层剥落，造成沾污，烘箱的温度分布均匀性差，热过冲大，热量传递是“由表及里”不利于聚酰胺酸亚胺化排水，同时也易造成被钝化的半导体芯片上的铝层氧化。2、远红外烘箱法此法与电阻丝烘箱法不同之处仅在于把电阻丝换成了远红外线辐射板，虽然解决了热传递“由里及表”的问题，但仍存在上述方法的其它缺点。3、管式扩散炉法此法比起上面两种方法要清洁，沾污小。但传递仍属“由表及里”方式，不利亚胺化的彻底进行，也存在易使半导体芯片铝层氧化的缺点。本专利技术的目的在于制造出一种新的亚胺化装置，该装置选用了穿透力强，波长在2～15μm范围内的远红外线加热板作为热辐射源，用抽真空减压和连续充氮气的方法来产生“由里及表...
【技术保护点】
一种真空远红外线充氮亚胺化装置由真空远红外炉［１７］，程序加热温度补偿控制仪［１８］，半导体精密控温仪［１６］、机械真空泵［１９］构成。其特征在于所述的远红外炉采用两块对置的远红外辐射板［２］和氮气喷嘴管［１４］。
【技术特征摘要】
1.一种真空远红外线充氮亚胺化装置由真空远红外炉〔17〕，程序加热温度补偿控制仪〔18〕，半导体精密控温仪〔16〕、机械真空泵〔19〕构成，其特征在于所述的远红外炉采用两块对置的远红外辐射板〔2〕和氮气喷嘴管〔14〕。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述的远红外炉在两块...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。