高亮度白光二极管制造技术

一种高亮度白光二极管，包括支架（１０）、导线（３０）、晶片（４０）和包围晶片（４０）顶面及周边侧面的荧光粉（２０），并且所述晶片（４０）的底面与支架上的碗底（１１）之间设有荧光粉（５０）。所述晶片（４０）是蓝光晶片，采用ＩｎＧａＮ材料。所述荧光粉（２０）为ＹＡＧ荧光粉。所述荧光粉（５０）为ＹＡＧ荧光粉。同现有技术相比，本高亮度白光二极管，其亮度高出许多。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管，尤其涉及发白光的二极管。
技术介绍
现有技术的白光LED(发光二极管)，比如在中国专利ZL 97238703.X和ZL 00260518.X中公开的LED结构，是在发光晶片的顶面及四个侧面包围荧光粉。发光晶片的底面通过封装基板上加绝缘胶固定于支架上的碗底。现有的LED结构，由于发光晶片本身是透明的，由发光晶片产生的光的一部分会照射到晶片的底面，因为绝缘材料的缘故而损耗掉。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于减少由发光晶片产生的光在晶片的底面上的损耗，以提高白光LED的亮度。本技术解决上述技术问题采用的技术方案是，设计制造一种高亮度白光二极管，包括支架、导线、晶片和包围晶片顶面及周边侧面的荧光粉，并且所述晶片的底面与支架上的碗底之间设有荧光粉。所述晶片是蓝光晶片，采用InGaN(氮铟镓)材料。所述荧光粉为YAG(钇铝石榴石)荧光粉。同现有技术相比较，本技术的高亮度白光二极管，其亮度高出许多。附图说明图1为本技术高亮度白光二极管之最佳实施例的结构示意图。具体实施方式以下结合附图所示之最佳实施例作进一步详述。如图1所示的本技术高亮度白光二极管，包括电极支架10、导线30、透光体(图中未示出)、晶片40和包围晶片40顶面及周边四个侧面的荧光粉20，并且所述晶片40的底面与支架上的碗底11之间设有荧光粉50。所述导线30为金线。所述晶片40是蓝光晶片，采用InGaN材料。所述荧光粉20为YAG荧光粉。所述荧光粉50为YAG荧光粉。本技术是在封装基板上点荧光粉，然后固晶，最后在晶片表层加YAG荧光粉，理由在于晶片的发光面为顶面及四个侧面，部分光线会经晶片的顶面反射到晶片的底部，这些发射蓝光会激发晶片底部的荧光粉，产生波长为555纳米的淡黄色光，由于晶片为透明衬底，由底部产生的光可良好地透射出来，从而增加LED的整体发光亮度。采用本技术高亮度白光二极管，相对现有白光二极管，亮度可以由7850-8500mcd(毫烛光)增加到8250-9200mcd，亮度增加明显。以上所述之最佳实施例意在具体说明本技术的思路在发光晶片的底面和碗底之间添加荧光粉，以降低底部的光损耗，增加LED亮度。本技术之实施，并不限于以上最佳实施例所公开的方式，凡基于上述设计思路，进行简单推演与替换，得到的具体的白光LED，都属于本技术的实施。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高亮度白光二极管，包括支架（１０）、导线（３０）、晶片（４０）和包围晶片（４０）顶面及周边侧面的荧光粉（２０），其特征在于：　　　　所述晶片（４０）的底面与支架上的碗底（１１）之间设有荧光粉（５０）。

【技术特征摘要】
1.一种高亮度白光二极管，包括支架(10)、导线(30)、晶片(40)和包围晶片(40)顶面及周边侧面的荧光粉(20)，其特征在于所述晶片(40)的底面与支架上的碗底(11)之间设有荧光粉(50)。2.如权利要求1所述的高亮度白光二极管，其特征在于所述晶片(40)是蓝光晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯荣美，段永成，冯智军，
申请(专利权)人：深圳市蓝科电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]