【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体元件,且特别是有关于一种芯片封装体。
技术介绍
在半导体产业中,集成电路(integrated circuits,IC)的生产,主要可分为三个阶段集成电路设计(IC design)、集成电路的制作(IC process)及集成电路的封装(IC package)。在集成电路的制作中,芯片(die)是经由晶片(wafer)制作、形成集成电路以及切割晶片(wafer sawing)等步骤而完成。晶片具有一有源面(active surface),其泛指晶片的具有有源元件(activedevice)的表面。当晶片内部的集成电路完成之后,晶片的有源面更配置有多个芯片接垫(die pad),并且晶片的有源面更由一保护层(passivation layer)所覆盖。保护层暴露出每一芯片接垫,以使最终由晶片切割所形成的芯片,可经由芯片接垫而向外电连接于一承载器(carrier)。承载器例如为一导线架(leadframe)或一封装基板(package substrate),而芯片可以线焊(wirebonding)或倒装芯片接合(flip chip bonding ...
【技术保护点】
一种芯片封装体,其特征在于包括: 一芯片,具有一有源面、多个芯片接垫与一第一保护层,该些芯片接垫配置于该有源面上,且该第一保护层配置于该有源面上,而该第一保护层具有多个第一开口,其分别暴露出该些芯片接垫; 一封装基板,具有一基板面、多个基板接垫与一第二保护层,该些基板接垫配置于该基板面上,而该第二保护层配置于该基板面上且具有一第二开口,其暴露出该些基板接垫与部分该基板面;以及 多个凸块,分别配置于该些芯片接垫上,各该凸块经由一压合工艺以连接至该些基板接垫之一上,且该芯片与该封装基板藉由该些凸块而互相电连接,其中该第一保护层与该些基板接垫之间的距离小于50微米。
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装体,其特征在于包括一芯片,具有一有源面、多个芯片接垫与一第一保护层,该些芯片接垫配置于该有源面上,且该第一保护层配置于该有源面上,而该第一保护层具有多个第一开口,其分别暴露出该些芯片接垫;一封装基板,具有一基板面、多个基板接垫与一第二保护层,该些基板接垫配置于该基板面上,而该第二保护层配置于该基板面上且具有一第二开口,其暴露出该些基板接垫与部分该基板面;以及多个凸块,分别配置于该些芯片接垫上,各该凸块经由一压合工艺以连接至该些基板接垫之一上,且该芯片与该封装基板藉由该些凸块而互相电连接,其中该第一保护层与该些基板接垫之间的距离小于50微米。2.如权利要求1所述的芯片封装体,其特征在于,该些凸块的熔点至少以摄氏50度的温差高于该压合工艺的一操作温度。3.如权利要求1所述的芯片封装体,其特征在于,该些基板接垫之一局部埋入该些...
【专利技术属性】
技术研发人员:何昆耀,宫振越,
申请(专利权)人:威盛电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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