热沉封接结构的半导体功率管壳制造技术

一种热沉封接结构的半导体功率管壳，是在构成半导体功率管壳的陶瓷腔体与无氧铜底座间垫入机械强度高、导热性能好、热膨胀系数和陶瓷腔体非常匹配的热沉封焊制成的。结构简单、机械强度高、气密性好、可靠性高、散热性好，较好地解决了膨胀系数不一致的陶瓷腔体和无氧铜底座直接封接不适应环境温度变化的问题。使用该热沉封接结构的半导体功率管壳作壳体的半导体器件可广泛用于航空航天业、军事工程、大型电子系统。（*该技术在2003年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体功率管壳、特别是一种热沉封接结构的半导体功率管壳。半导体器件的壳体是半导体器件的一个重要组成部分，它不仅保护着半导体器件的芯片免受外部有害环境的污染，而且对器件的热性能、电性能和可靠性均起着极为关键的作用，特别是航空、航天、军事工程、大型电子系统用的半导体器件，其壳体的性能和质量直接影响着半导体器件的性能和可靠性，直接关系到产品的成品率和制造成本，现行的半导体功率管，其管壳(如附附图说明图1所示)由陶瓷制做的腔体4、盖板3、引线2和导热性能好的无氧铜底座1焊接制成，由于陶瓷腔体4和无氧铜底座1材料的膨胀系数不一致，在环境温度变化的情况下，会产生陶瓷炸裂、封接处破坏等弊端，损坏管壳的气密性和芯片的特性，所以，这样封装结构的半导体器件用于航空、航天、军事工程、大型电子系统是极不可靠的。本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，而提供一种热沉封接结构的半导体功率管壳。本技术的目的可以通过这样的技术方案来实现即在构成半导体功率管壳的陶瓷腔体4与无氧铜底座1间垫入机械强度高、导热性能好、热膨胀系数和陶瓷腔体4非常匹配的垫沉5，使陶瓷腔体4与无氧铜底座1的封接获得成功，适本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热沉封接结构的半导体功率管壳，具有引线２、盖板３，其特征在于：它是由陶瓷材料制做的腔体４、盖板３、引线２、无氧铜底座１和封焊在陶瓷腔体４与无氧铜底座１间的热沉５焊接制成的。

【技术特征摘要】
1.一种热沉封接结构的半导体功率管壳，具有引线2、盖板3，其特征在于它是由陶瓷材料制做的腔体4、盖板3、引线2、无氧铜底座1和封焊在陶瓷腔体4与无氧铜底座1间的热沉5焊接制成的。2.根据权利要求1所述的热沉封接结构的半导体功率管壳，其特征在于腔体4为BeO陶瓷腔体。3.根据权利要求1所述的热沉封接结构的半导体功率管壳，其特征在于腔体4为A...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓忠敏，
申请(专利权)人：机械电子工业部第十三研究所，
类型：实用新型
国别省市：13[中国|河北]