【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种化合物半导体组件电极结构,尤其涉及一种氮化镓系化合物半导体组件电极结构。化合物半导体组件在通讯及显示器方面有广泛的用途。近年来由于对蓝光光源的需求,氮化镓系III-V族化合物半导体(GaN based III-V compound semiconductor device)更是成为研发的重点。氮化镓系III-V族化合物半导体一般主要组成成份为氮化铟镓、氮化铝镓及氮化铝铟镓。目前为氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体使用的最有效的基板为三氧化二铝单晶基板,但是由于此种基板并不导电,因此制作组件,例如发光二极管时,其正极(p-contact)及负极(n-contact)均需在同一面上,且经由欧姆接触层(ohmic contact layer)连接至发光二极管的电洞层(p-type layer)及电子层(n-type layer)。日本Nichia公司在美国专利第5,563,422号中揭示了一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的制造方法,其是将金属薄膜镀在电洞层上,并加以退火(annealing)处理以增加电洞流的扩散,此外还提出将两个电极设计于芯片的对角线两端,以使用一个方形组件的最大空间来放置电极。然而在电流由负极流到正极时,各点距离不同,无法达到相同的电流量,因此可以明显看到发光二极管晶粒的亮度自负极到正极端会呈现由亮到暗的现象。因此本技术的目的是提供一种氮化镓系化合物半导体组件电极结构,以改善发光不均的现象。为达到此目的,本技术的一种氮化镓系化合物半导体组件电极结构,其包含一化合物半导体组件,位于透明导电层上的一正极及一位于露出的电子层表面,亦即 ...
【技术保护点】
一种化合物半导体组件电极结构,其包含一化合物半导体组件,位于透明导电层上的一正极及一位于露出的电子层表面,亦即未被台地状电洞层覆盖的电子层表面上的负极;所述的化合物半导体组件包含一基板,覆盖于此基板上的电子层,覆盖于此电子层的部份表面上的台地状电洞层,覆盖在此电洞层上的透明导电层;其特征在于:该电极结构的负极包含一个将正极围绕的围绕部份,此围绕部份是位于露出的电子层表面周缘。
【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体组件电极结构,其包含一化合物半导体组件,位于透明导电层上的一正极及一位于露出的电子层表面,亦即未被台地状电洞层覆盖的电子层表面上的负极;所述的化合物半导体组件包含一基板,覆盖于此基板上的电子层,覆盖于此电子层的部份表面上的...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋盈彻,刘文明,
申请(专利权)人:华上光电股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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