封装前的焊线架结构及其半导体功率晶体封装结构制造技术

本实用新型专利技术封装前的焊线架结构主要由晶粒座、第一焊接区、有效焊接面积大于第一焊接区的第二焊接区、支撑晶粒座的支架，并利用此焊线架结构完成封装的本实用新型专利技术半导体功率晶体封装结构。虽然在本实用新型专利技术封装前的焊线架结构中，两个焊接区域的焊接面积有差异性，但因支架偏心地经过此二焊接区之间而延伸至晶粒座，所以支架为无偏斜直条状，同时焊接区域的外观也无缺角。因此，本实用新型专利技术焊线架结构具有较大的焊接区域。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装前的焊线架结构，尤指特殊设计的支架、焊接 区的焊线架结构。
技术介绍
请参阅图1A现有封装前的焊线架结构的局部立体示意图，现有封装前的 焊线架结构IO主要由晶粒座12、有效焊接面积相当的第一焊接区14a、第二 焊接区14b、以及支撑晶粒座12的支架16所组成。这其中支架16笔直地经 过第一焊接区14a及第二焊接区14b之间而延伸至晶粒座12，使晶粒座12获 得支撑。如图1B所示，焊接过程是将晶粒18贴设于晶粒座12上，并将数条 第一焊线5a、第二焊线5b分别焊接第一焊接区14a与晶粒18的第一接点18a 之间，以及第二焊接区14b与第二接点18b之间。在上述结构中，由于此类产品的特性，该第一焊线5a的数目、线径远多 于第二焊线5b,例如第一焊线5a多为粗铝线(6mil 20mil)，而第二焊线5b 多为细铝线(lmil 5mil)或金线，因此所须的焊接面积并不相同，传统结构中 第一焊接区14a及第二焊接区14b面积相同，造成焊接过程的困扰。另外为 了提升焊接的合格率，又粗铝线作业需较大之压着力量，需利用其它工具施 压第一焊接区14a表面的对角处，如此相对减少第一焊接区14a可利用的焊 接面积，最后造成焊线数目不足，使部份最后成品的电性未达需求。但是如 果放弃加压方式，虽然焊线数目可达需求，但焊线架在焊接过程容易产生晃 动，焊接质量不良，使耗材增加，造成制造成本提高。为了解决上述之问题，有些厂商采取另一种焊线架结构。如图2A所示， 在此结构中此焊线架结构20主要由晶粒座22、第一焊接区24a、第二焊接区 24b以及支撑晶粒座22的支架26所組成，如图2B所示，但于该支架26在接 近晶粒座22的区域则形成具有稍微偏斜的偏斜部26a,在第一焊接区24a、第二焊接区24b也形成平行偏斜部26a的斜面，如此使得第一焊接区24a的有 效焊接面积大于第二焊接区24b。当晶粒18贴设于晶粒座22时，会让数第一 焊线5a焊接于第一焊接区24a与第一接点18a更为方便，虽第二焊接区24b 缩小，却也不会影响第二焊线焊5b焊接于第二焊接区24b与第二接点18b的 品质。在此结构中虽使第一焊接区24a面积增加，但若扣除对角的压着则增 加量有限，产品合格率虽可提升，但结果仍不令人满意，而此导线架具有偏 斜部的设计在制造生产过程并不方便，增加构件的生产成本。
技术实现思路
本技术提供一种封装前的焊接结构，以解决焊线架焊接面积小，在 焊接过程容易产生晃动，焊接质量差，使耗材增加和制造成本高提等的问题。本技术的主要目的是提供一种封装前的焊线架结构，其特征在于， 包括 一晶粒座， 一晶粒承载于该晶粒座； 一第一焊接区，供至少为一条的 第一焊线wire bond焊接的区域； 一第二焊接区，供至少为一条的第二焊线焊 接的区域，且该第一焊接区的有效焊接面积大于该第二焊接区；以及一支架， 为无偏斜直条状，并偏心地经过该第一焊接区、该第二焊接区之间而延伸至 该晶粒座，使该晶粒座在完成封装前获得支撑。本技术的主次要目的是提供一种半导体功率晶体封装结构，其特征 在于，包含 一晶粒，具有一第一接点、 一第二接点； 一晶粒座，用以承载 该晶粒； 一第一焊接区，供至少为一条的第一焊线wire bond焊接于前述晶粒 的第一接点，并延伸出一第一悍接脚； 一第二焊接区，供至少一条的第二焊 线焊接前述晶粒的第二接点，并延伸出一第二焊接脚；以及一支架，为无偏 斜直条状，并偏心地经过该第一焊接区、该第二焊接区之间而延伸至该晶粒 座，使该晶粒座在完成封装前获得支撑； 一封装体，包覆住该晶粒、该晶粒 座、该第一焊接区、该第二焊接区、部分该支架，且曝露出该第一焊接脚、 该第二焊接脚。与现有技术相比，本技术具有以下优点本技术焊线架结构具有较大的焊接区域;提供一种具有封装前的焊接结构，能区分出大小不同的焊接区域，焊接过程稳定，能提高焊接质量，减少耗材和制造成本。附图说明图IA为现有封装前的焊线架结构的立体示意图；图IB为现有封装前的焊线架结构的平面示意图，此时晶粒已放置其中， 并以数焊线连接； 图2A为另一现有封装前的焊线架结构的立体示意图； 图2B另一现有封装前的焊线架结构的平面示意图，此时晶粒已放置其中，并以数焊线连接； 图3A为本技术封装前的焊线架结构的立体示意图； 图3B为本技术封装前的焊线架结构的平面示意图，此时晶粒已放置其中，并以数焊线连接； 图4A为本技术半导体功率晶体封装前的结构平面示意图； 图4B为本技术半导体功率晶体封装结构的立体图。 主要组件符号说明如下5a第一焊线5b第二焊线10、 20、 30焊线架结构12、 22、 32晶粒座14a、 24a、 34a第一焊接区14b、 24b、 34b第二焊接区16、 26、 36支架26a偏斜部18晶粒18a第一接点18b第二接点40a第一焊接脚杨第二焊接脚42基座部42a孑L洞50封装体60半导体功率晶体封装结构具体实施方式图3A 图3B为本技术封装前的焊线架结构的示意图。如第图3所示， 本技术封装前的焊线架结构30主要由晶粒座32、第一焊接区34a、第二 焊接区34b以及支撑晶粒座32的支架36所组成，且第一焊接区34a的有效 焊接面积大于第二焊接区34b。但为了让支架36仍可以延伸至晶粒座32,该 支架36是采偏移晶粒座36中心(中间)位置的方式，即采偏心方式延伸基 座部至42处，两侧采直条状平行在经过第一焊接区34a、第二焊接区34b之 间，使第一焊接区34a有效焊接面积大幅增加。如图3B所示，晶粒座32有了支架36的支持，便可将晶粒18贴设于晶 粒座32上，并将数条第一焊线5a、至少为一条的第二焊线5b分别焊接第一 焊接区34a与晶粒18的第一接点18a之间、以及第二焊接区34b与第二接点 18b之间。此外，第一焊接区34a、第二焊接区34b、支架36均由基座部42延伸而 出，且由基座部42延伸至第一焊接区34a、第二焊接区34b分别为第一接脚 40a、第二接脚40b。基座部42含有孔洞42，而孔洞42可供制程装置进行定 位以有利于连续制程。以下将继续说明如何利用上述本技术封装前的焊 线架结构30完成封装。图4A为本技术半导体功率晶体封装前的结构示意图，如图所示， 本技术半导体功率晶体封装结构60主要由晶粒座32、第一焊接区34a、 第二焊接区34b、支撑晶粒座32的支架36以及封装体50所组成。在本技术半导体功率晶体封装结构60的封装体50主要如图4A所示， 包覆住了晶粒18、晶粒座32、第一焊接区34a、第二焊接区34b、部分支架 36，且如图4B所示曝露出第一焊接脚40a、第二焊接脚40b，而支架36可在 完成封装后裁断，而棵露的支架36也偏移封装体50的中心位置。封装体50 可为树脂或其它绝缘材料。通过以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本技术的特以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本实用 新型所申请的权利要求的范畴内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装前的焊线架结构，其特征在于，包括：　　　　一晶粒座，一晶粒承载于该晶粒座；　　　　一第一焊接区，供至少为一条的第一焊线ｗｉｒｅ　　ｂｏｎｄ焊接的区域；　　　　一第二焊接区，供至少为一条的第二焊线焊接的区域，且该第一焊接区的有效焊接面积大于该第二焊接区；以及　　　　一支架，为无偏斜直条状，并偏心地经过该第一焊接区、该第二焊接区之间而延伸至该晶粒座，使该晶粒座在完成封装前获得支撑。

【技术特征摘要】
1、一种封装前的焊线架结构，其特征在于，包括一晶粒座，一晶粒承载于该晶粒座；一第一焊接区，供至少为一条的第一焊线wire bond焊接的区域；一第二焊接区，供至少为一条的第二焊线焊接的区域，且该第一焊接区的有效焊接面积大于该第二焊接区；以及一支架，为无偏斜直条状，并偏心地经过该第一焊接区、该第二焊接区之间而延伸至该晶粒座，使该晶粒座在完成封装前获得支撑。2、 如权利要求l所述封装前的焊线架结构，其特征在于，该第一焊线、 该第二焊线分别焊接至该晶粒的 一第一接点、 一第二接点。3、 如权利要求l所述封装前的焊线架结构，其特征在于，该第一焊接 区、该第二焊接区、该支架均由一基座部延伸而出，且由该基座部延伸至该 第一焊接区、该第二焊接区分别为一第一接脚、 一第二接脚。4、 如权利要求l所述封装前的焊线架结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明芬，萧简湘，
申请(专利权)人：勤益股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]