半导体器件及其制造法制造技术

本发明专利技术半导体器件之所以在高温环境中或高温高湿环境中显示出极好的电气性能．是因为以反应层厚度大于等于０．２（微米）的方式，将铝焊线的端部连接于铜或铜合金引线电极．本发明专利技术提供的半导体器件制造方法，由于采用了将铝焊线连接于铜或铜合金引线框架的键合区进行热处理，而使得铜或铜合金与铝的反应层厚度大于等于０．２（微米）的步骤，因而能够容易地制作，可在高温环境中或高温高湿环境中显示极好电气性能的高可靠半导体器件．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
半导体器件３０，包括有：安装在引线框架２０的固定区上的半导体芯片２２，该引线框架材料选自一组包括铜和铜合金的材料；在所述引线框架２０上形成的引线电极２５；一端连接于所述半导体芯片焊接区２４，另一端连接于所述引线电极２５的焊线２３；以及密封所述半导体芯片２２、所述焊接区２４和所述焊线２３的对脂密封材料２６，其密封方式使所述引线框架２０的一部分及所述引线电极２５的一部分通向外部，其特征在于，所述焊线２３由铝构成，在与所述引线电极２５所连接的部分上，反应层６０厚度大于等于０．２（微米）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马场博之，松崎，隆，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]