光敏半导体器件制造技术

一种对辐射敏感的半导体器件，特别是一种确定发光点位置的光电探测器。该器件包括一具有至少两个对辐射敏感的二极管的半导体本体和放大由发光点产生的光电流的装置。该装置配有在半导体本体为对辐射敏感的二极管占据的部位外的晶体管。各晶体管供一对辐射敏感的二极管专用且连接到该二极管上，同时至少各晶体管起作用的部分彼此在半导体本体中配置得比它们专用的二极管密。本发明专利技术还涉及包括这种半导体光电探测器的聚焦设备。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对辐射敏感的半导体器件，该器件有一半导体本体，该半导体本体含有至少两个对辐射敏感的二极管，在二极管上可使发光点成象，该器件还具有增强该发光点所产生的光电流用的装置。本专利技术还涉及一种含有这种光敏器件的聚焦设备。西德公开专利DE-A3706252即介绍了上述那种光敏半导体器件。这类器件曾在许多领域中以不同的方式使用过。更具体地说，它们是用在读取和记录光信息的领域中，例如用在DOR(光学直接记录)、VLP(密纹电视唱片)和CD(激光唱片)设备上，还用以检测信息载体媒质(这里指的是DOR、VLP或CD片)在径向和轴向上的偏移。在这类的一个用途中，对辐射敏感的半导体器件是用作例如傅科聚焦系统的部件，特别是如“菲利浦技术评论“1981/1982年第40卷，第9期，第266-272页上所介绍的那样。在这种情况下，聚焦在CD或电视录象片上并为该片所反射的激光射束为半透明的镜面所偏转，并由若干楔形棱镜分成两个射束，在半导体圆片上各射束在光电探测器的两个彼此为一狭条所隔开的光电二极管上成象为发光点。借助于一电路可从两光电二极管的信号差获得循迹误差信号，用该信号作为控制信号来稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对辐射敏感的半导体器件，该器件具有一个含有至少两个对辐射敏感的二极管的半导体本体，发光点可在二极管上成象，还具有供增强该发光点所产生的光电流用的装置，其特征在于，所述装置包括一些配置在半导体本体为光电二极管所占据的部位外面的晶体管， 各晶体管是供某一对辐射敏感的二极管专用的，并连接到该二极管上，而且至少各晶体管起作用的各部分在半导体本体中彼此配置得比它们专用的对辐射敏感的二极管密。

【技术特征摘要】
NL 1989-6-2 89014011.一种对辐射敏感的半导体器件，该器件具有一个含有至少两个对辐射敏感的二极管的半导体本体，发光点可在二极管上成象，还具有供增强该发光点所产生的光电流用的装置，其特征在于，所述装置包括一些配置在半导体本体为光电二极管所占据的部位外面的晶体管，各晶体管是供某一对辐射敏感的二极管专用的，并连接到该二极管上，而且至少各晶体管起作用的各部分在半导体本体中彼此配置得比它们专用的对辐射敏感的二极管密。2.如权利要求1所述的对辐射敏感的半导体器件，其特征在于，各晶体管在半导体本体中彼此配置得尽可能...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁纳斯皮特勒斯玛丽亚比尔霍夫，乔布弗朗西斯卡斯皮特勒斯范米尔，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]