半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一半导体装置，包括电连接半导体装置的金属导线至外壳引线的焊接块，以及一覆盖该焊接块和金属导线的钝化层。该焊接块或金属导线具有钝角或圆形拐角。钝化层中的裂纹的产生得到显著抑制，从而提高了半导体装置的可靠性。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，更具体地说，涉及具有焊接块和金属导线的半导体装置。 一般来说，在半导体装置的最终金属层的图形成形之后，晶片的整个上表面均淀积一钝化层。这是一层防止晶片在后续的组装和封装过程中遭受机械和化学损坏的绝缘保护层。广泛使用的一种钝化层包括磷硅玻璃(PSG)层，该层对钠离子和其它快扩散金属杂质具有良好的吸收性能，和一层具有良好机械性能的PECVD氮化硅膜。在成形之后，将此钝化层腐蚀出窗口，以暴露出一组形成在钝化层之下的特殊的金属化图形。这些金属图形一般位于电路的周边，称之为焊接块。这些焊接块的典型尺寸为约100×100微米，相隔50-100微米。导线连接或焊接到焊接块的金属表面，然后接入芯片的管壳。用这种方法在芯片和管壳引线之间形成连接。 在常规的半导体装置中，形成金属图形以使金属导线为矩形，焊接块为正方形。附图说明图1A和1B示出常规焊接块的图形，这些焊接块经金属线及金属导线的图形与电路电连接。该常规的焊接块和金属导线之间有矩形拐角B1、B2和B3。如上所述，在半导体装置的焊接块和金属导线形成后，将一钝化层敷于其上。接着是热处理步骤。在这种情况下，很有可能在覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体装置，包括：一焊接块，用于将半导体装置的金属导线电连接到所述半导体装置的管壳引线；以及一覆盖住所述焊接块和所述金属导线的钝化层；其特征在于：所述金属导线在其与焊接块间的接点处形成一钝角或圆角拐角，以抑制在后续的热处理步骤中在所述钝化层中产生裂纹。

【技术特征摘要】
KR 1991-11-7 91-197521、半导体装置，包括一焊接块，用于将半导体装置的金属导线电连接到所述半导体装置的管壳引线；以及一覆盖住所述焊接块和所述金属导线的钝化层；其特征在于所述金属导线在其与焊接块间的接点处形成一钝角或圆角拐角，以抑制在后续的热处理步骤中在所述钝化层中产生裂纹。2、根据权利要求1的半导体装置，其特征在于所述金属导线或所述焊接块由选自铝、钼、钨、金、铜及其合金构成的一组材料中任一种构成的。3、根据权利要求1的半导体装置，其特征在于所述钝化层是由二氧化硅层、PSG层、掺硼或磷原子的二氧化硅层以及氮化硅层构成的一组中选出的单一材料层或由两层或更多层构成的组合层。4、半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：河定，慎烘，金永郁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]