低功率消耗型薄膜气体传感器及其制造方法技术

一种低功率消耗型薄膜气体传感器及其制造方法。该气体传感器包括一个在其一侧的中部有一窗口的硅衬底、在硅衬底一侧上形成了除了窗口以外的掩模材料、在衬底另一侧上由一个腐蚀停止层和一个玻璃膜形成的支承膜、在支承膜上面对窗口并列配置的加热器和温度传感器、在支承膜上形成的层间绝缘膜以覆盖加热器和温度传感器、在层间绝缘膜上形成的传感膜电极，以及一个在层间绝缘膜上形成的传感膜以覆盖对一种特定气体进行检测的传感电极。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，特别涉及到一种薄膜气体传感器及其制造方法，这种传感器在将其加热器加热至一个特定温度以便增强其传感膜对一种特定气体的检测性能时能尽可能降低用于将其加热器加热至高温的功率消耗，该方法是利用一种热损失低的材料和结构来形成一个热生成部件的支承膜。气体传感器是用于检测某种特定气体存在的传感器，根据传感器上的传感膜来检测气体，有用于检测CO(一氧化碳)的传感器，有用于检测冰箱中的鱼类变坏时产生的(CH3)3N(三甲胺)气体的传感器，有用于检测蔬菜变坏时产生的CH3SH(甲硫醇)气体的传感器，以及有用于检测C2H5OH(乙醇)的传感器等等。通常，我们应当考虑作为气体传感器应当具备的基本要求是除了灵敏度高、选择性好和响应速度快之外，还应结构紧凑、功率消耗低。这种气体传感器的元件中装备有一个加热器，为的是增强传感膜对某种特定气体能有效地进行检测，加热器应当被加热到一个特定温度(通常为200℃至500℃)。此时，功率消耗应当尽可能降低。为了使功率消耗降低，作为产生热量的加热器本身的材料应当是效率高的，并且应当减少加热器产生热量时的外部损失。当加热器被加热到特定温度差△T时，通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功率消耗型薄膜气体传感器，包括：一硅衬底，在其一侧的中央部分有一个窗口；掩膜材料，在硅衬底的一侧除了窗口以外的部分形成；一个支承膜，由在衬底的另一侧上的一个腐蚀停止层和一个玻璃膜所形成；加热器和温度传感器，平行配置在面 对窗口的支承膜上，所述加热器和温度传感器具有一个固定长度的热生成部件；一个层间绝缘膜，形成于支承膜上以覆盖住加热器和温度传感器，传感膜电极形成于层间绝缘膜上；传感膜，形成于层间绝缘膜上，以便覆盖住传感膜电极，对一种特定气体进行检测。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1993-12-4 26474/19931.一种低功率消耗型薄膜气体传感器，包括一硅衬底，在其一侧的中央部分有一个窗口；掩膜材料，在硅衬底的一侧除了窗口以外的部分形成；一个支承膜，由在衬底的另一侧上的一个腐蚀停止层和一个玻璃膜所形成；加热器和温度传感器，平行配置在面对窗口的支承膜上，所述加热器和温度传感器具有一个固定长度的热生成部件；一个层间绝缘膜，形成于支承膜上以覆盖住加热器和温度传感器，传感膜电极形成于层间绝缘膜上；传感膜，形成于层间绝缘膜上，以便覆盖住传感膜电极，对一种特定气体进行检测。2.如权利要求1所述的薄膜气体传感器，其特征在于，采用氮化硅膜作为掩膜材料。3.如权利要求2所述的薄膜气体传感器，其特征在于，该氮化硅膜的厚度为500埃至2500埃。4.如权利要求1所述的薄膜气体传感器，其特征在于，利用氮化硅膜作为支承膜的腐蚀停止层。5.如权利要求4所述的薄膜气体传感器，其特征在于，该氮化硅膜的厚度为500埃至2500埃。6.如权利要求1所述的薄膜气体传感器，其特征在于，采用PSG(硼磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)或BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)膜中的任一种膜作为玻璃膜。7.如权利要求6所述的薄膜气体传感器，其特征在于，该玻璃膜的厚度为5000埃至3μm。8.如权利要求1所述的薄膜气体传感器，其特征在于，加热器和温度传感器都是由多金属层形成。9.如权利要求8所述的薄膜气体传感器，其特征在于，加热器和温度传感器都由Pt/Ta多金属层形成。10.如权利要求9所述的薄膜气体传感器，其特征在于，加热器和温度传感器的厚度为5000埃至3μm。11.如权利要求9所述的薄膜气体传感器，其特征在于，该铂膜用来增强铂膜和支承膜的玻璃膜之间的附着力。12.如权利要求11所述的薄膜气体传感器，其特征在于，该钽膜的厚度为200～700埃。13.如权利要求1所述的薄膜气体传感器，其特征在于，加热器热生成部件和温度传感器的长度小于支承膜宽度的1/...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹童铉，李圭晶，洪炯基，朴炫洙，权哲汉，申铉雨，
申请(专利权)人：株式会社金星社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]