引线框架用复合材料制造技术

本发明专利技术涉及一种集成电路引线框架用复合材料，其特征是选用纯铜Ｑ１９５材料，厚度比是：Ｃｕ∶Ｑ１９５∶Ｃｕ＝１０～１５％∶７０～８０％∶１０～１５％，经爆炸焊接、热轧、冷轧工艺，制得在Ｑ１９５钢层的两面各包覆上一薄层纯铜，成品厚度为０．２～０．４ｍｍ，此Ｃｕ／Ｑ１９５／Ｃｕ复合材料同美国的Ｃｕ／ＳＳ４３０／Ｃｕ复合材料相比，机械物理性能与之相当，其导热率约高出２倍，而成本则降低一半，这种复合材料主要用做冲制集成电路引线框架。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属LC(集成电路)引线框架用复合材料领域。引线框架材料是现代电子工业不可缺少的材料。引线框架材料的发展大致经历了从Fe-Ni-Co可代合金到FeNi42合金再到铜合金的三个阶段。集成电路的发展对引线框架材料的性能提出了更高的要求，即在具有高的强度的同时又具有高导电导热性。80年代初，美国德克萨斯仪器分司开发了铜包不锈钢引线框架材料，它是在铁素体430不锈钢芯层的两面复以高纯铜.其厚度比是10％铜80％430不锈钢/l0％铜，其导热率达到98.7w/mk，其导电率达到37.41％1ACS，其抗拉强度达到621MPa，约为铜合金CDA194的1.4倍。但是，由于430不锈钢的导热性较差，使得这种复合材料的导热率仅只有铜合金CDA194的2/5，而且，由于这种材料冲制引线框架后余下的边角料难以回收利用，致使制取单片引线框架的成本远高于铜合金。见(Copper-cladstainless stell outperforms other lead-Frame materials.International semiconductor，1982，3)本专利技术的目的是提供一种经爆炸焊接＋热轧＋冷轧工艺制得导热率高，价格低的复合引线框架材料的材料种类及配比。本专利技术所采用技术方案是选用T3工业纯铜板(铜含量99.7％)、国产Q195铜板(含C 0.06～0.12％、Mn0.25～0.5％、Si≤0.03％、S≤0.05％、P≤0.045％、Fe余量)。各层和的厚度比是Cu 10～15％∶Q195 70～80％∶Cu 10～15％，经铜板、钢板的表面处理→爆炸焊接→热轧→冷轧工艺制得，复合材料成品厚度为0.2～0.4mm。本专利技术所得到的Cu/Q195/Cu复合材料的机械物理性能同美国Cu/SS430/Cu相当，但其导热率约为Cu/SS430/Cu复合材料的2倍，使复合材料的导热性能相应得到改善、提高，且Cu/Q195/Cu复合材料的成本仅为Cu/SS430/Cu的一半。实施例选用厚度比为Cu∶Q195∶Cu＝12.5％∶75％∶12.5％的纯铜板和Q195钢，铜板和钢板分别经表面处理后，采用爆炸焊接＋热轧＋冷轧工艺，使其成为在Q195钢层的两面各包复一薄层纯铜的成品厚度为0.2mm的复合材料，复合材料性能对比如下 Cu/Q195/Cu复合材料主要用于制做集成电路引线框架。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜钢铜复合材料，其特征是芯层为Ｑ１９５钢板，在Ｑ１９５钢层的两面各复一纯铜层。

【技术特征摘要】
1.一种铜钢铜复合材料，其特征是芯层为Q195钢板，在Q195钢层的两面各复一纯铜层。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张沪，张福勤，屈菊兰，文洁，
申请(专利权)人：冶金工业部长沙矿冶研究院，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]