【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请是专利技术专利申请CN94105222.2的分案申请。本专利技术涉及一种热电(温差)式冷却装置，特别是涉及一种用于热电式冷冻机的热电式冷却装置。本专利技术还涉及一种适用于该热电式冷却装置的半导体的制备方法及使用了该热电式冷却装置的热电式冷冻机。在热电式冷却装置中，那种在输入电能后即可将所需物体致冷的冷却装置称作珀尔帖装置或热电式冷却装置，并被用于如小型冷却箱之类装置中。作为无须使用如“氟里昂(Freon)”或“氟伦(Flon)”等含氯氟烃的任何冷却介质的冷却装置，上述装置日益引起人们关注。通常的热电式冷却装置的结构如图35所示。即，在用氧化铝之类材料制成的吸热侧绝缘衬底100上，通过一吸热侧焊锡层101形成一个吸热侧电极102。在该吸热侧电极102上，同时形成一P型半导体层103和一个n型半导体层104。散热侧电极105使得该P型半导体层103和该n型半导体层104互相连接。在该散热侧电极105之上，通过散热侧焊锡层106形成了一个由氧化铝之类材料制成的散热侧绝缘衬底107。许多个这种P型半导体层103和n型半导体层104交替地间置于上述的吸热侧的绝缘衬底10...
【技术保护点】
适用于热电式冷冻机用热电式冷却装置的半导体的制备方法，所述热电式冷冻机用热电式冷却装置包括以下部件：多个并列设置的Ｐ型半导体层（１０）和ｎ型半导体层（１１）；具有吸热侧电极（８）的第一内导热体（ＫＣＰ；１７），所述电极置于该Ｐ型和ｎ型半导体层（１０，１１）的吸热侧一端的外侧；置于第一内导热体（ＫＣＰ；１７）外侧的第一外导热体（ＫＣ；４）；具有散热侧电极（１２）的第二内导热体（ＫＨＰ；１７），所述电极置于该Ｐ型和ｎ型半导体层（１０，１１）的散热侧一端的外侧；及置于第二内导热体（ＫＨＰ；１７）外侧的第二外导热体（ＫＨ；６），所述Ｐ型半导体层（１０）和所述ｎ型半导体层（１１）通过...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1993-5-6 105526/93;JP 1993-9-30 244786/931.适用于热电式冷冻机用热电式冷却装置的半导体的制备方法，所述热电式冷冻机用热电式冷却装置包括以下部件多个并列设置的P型半导体层(10)和n型半导体层(11)；具有吸热侧电极(8)的第一内导热体(KCP；17)，所述电极置于该P型和n型半导体层(10，11)的吸热侧一端的外侧；置于第一内导热体(KCP；17)外侧的第一外导热体(KC；4)；具有散热侧电极(12)的第二内导热体(KHP；17)，所述电极置于该P型和n型半导体层(10，11)的散热侧一端的外侧；及置于第二内导热体(KHP；17)外侧的第二外导热体(KH；6)，所述P型半导体层(10)和所述n型半导体层(11)通过所述的吸热侧电极(8)及散热侧电极(12)在电学上串联；其中，所述的P型半导体层(10)和n型半导体层(11)具有至少0.08cm的平均厚度t，而所述P型半导体层(10)和n型半导体层(11)的平均品质因数(Z)控制在至少2.7×10-3(/K)；所述第一内导热体(KCP；17)的热导(KCP)控制在对每cm2的P型和n型半导体层的横截面面积为8—20W/℃cm2范围；所述第一外导热体(KC；4)的热导(KC)控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为3—10W/℃cm2范围；所述的第二内导热体(KHP；17)的热导(KHP)控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为8—20W/℃cm2；所述的第二外导热体(KH；6)的热导(KH)控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为3—10W/℃cm2，而以吸收热量JQ与输入电能P之比(JQ/P)定义的有效系数(COP)至少为0.6，制备方法的特征在于烧结制造半导体的粒状陶瓷混合物，同时在该粒状陶瓷混合物上通以预定电压，以在该粒状陶瓷混合物的颗粒间产生等离子体放电，从而激活微粒表面，并从微粒表面除去淀积的氧化物和吸附的气体。2.适用于热电式冷冻机用热电式冷却装置的半导体的制备方法，所述热电式冷冻机用热电式冷却装置包括以下部件多个并列设置的P型半导体层(10)和n型半导体层(11)；具有吸热侧电极(8)的第一内导热体(KCP；17)，所述电极置于该P型和n型半导体层(10，11)的吸热侧一端的外侧；置于第一内导热体(KCP；17)外侧的第一外导热体(KC；4)；具有散热侧电极(12)的第二内导热体(KHP；17)，所述电极置于该P型和n型半导体层(10，11)的散热侧一端的外侧；及置于第二内导热体(KHP；17)外侧的第二外导热体(KH；6)，所述P型半导体层(10)和所述n型半导体层(11)通过所述的吸热侧电极(8)及散热侧电极(12)在电学上串联；其中，所述的P型半导体层(10)和n型半导体层(11)具有0.08～0.15c...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边日出男，酒井一成，久野文雄，大泽敦，手塚弘房，
申请(专利权)人：莎莫波尼克株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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