半导电无缝带制造技术

技术编号:8270910 阅读:169 留言:0更新日期:2013-01-31 02:59
本发明专利技术提供一种半导电无缝带,其用含叔胺的聚酰胺酸溶液得到,所述叔胺的沸点为200℃以上,酸解离常数pKa为4~9,其中所述叔胺选自咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑和N-甲基咪唑,以及其中所述聚酰胺酸溶液包含如下物质中的至少一种:含成分A和成分B的重复结构的共聚物,在所述成分A中BPDA和PDA通过酰亚胺键结合,在所述成分B中BPDA和DDE通过酰亚胺键结合;以及下列聚合物的共混物:含所述成分A作为重复单元的聚合物和含所述成分B作为重复单元的聚合物。所述半导电无缝带具有优异的耐挠曲性,并且在驱动过程中不易引起从带末端开始的开裂,因而能够用作例如电子照相记录装置中的中间转印带。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导电无缝带,所述半导电无缝带能够优选用作照相记录装置如彩色复印机、激光打印机或传真机中的光敏带、中间转印带以及转印运输带。
技术介绍
至今,作为用于根据电子照相法而形成和记录图像的设备,已经熟知的有彩色复印机、激光打印机、图像打印机、传真机、其多功能打印机等。在这类设备中,为了延长设备的寿命,已经对中间转印法等方法进行了研究,在所述中间转印法中,把在具有记录材料如调色剂的图像载体如光敏鼓上形成的图像转印到印刷纸上。而且,为了所述设备的微型化,还对使用转印运输带的方法进行了研究,在所述方法中转印带还起到传送印刷纸的作用。作为用作中间转印带、转印运输带等的带,已经提出了这样的中间转印带,在所述中间转印带中把导电填料分散到具有优异的机械性能和耐热性的聚酰亚胺树脂中(参见,例如专利文献I和2)。专利文献I JP-A-5-77252专利文献2 JP-A-10-6311
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而,尽管把至今提出的含聚酰亚胺树脂的半导电带用作彩色激光打印机中的中间转印带等,但是其耐久性不够。这是因为在聚酰亚胺树脂中大量填料的存在降低所述带的耐挠曲性(flexure resistance)。由于这个原因,在把所述带用作中间转印带的情况下,存在在驱动过程中易于从所述带的边缘部分开始产生裂纹的问题。为了解决所述带边缘部分开裂的问题,使用为了补强的目的向所述带的边缘部分粘贴压敏粘合带的方法。然而,这种方法引起所述带的产率降低以及成本增加。因此,本专利技术的目的是提供一种耐挠曲性优异的半导电无缝带,且在把所述带用作照相记录装置中的中间转印带等的情况下在驱动过程中不易产生从所述带的边缘部分开始的裂纹。解决所述问题的手段作为广泛研究的结果,本专利技术人发现,通过下述的半导电无缝带能够实现上述目的,由此完成了本专利技术。通过使用含叔胺的聚酰胺酸溶液得到了本专利技术的半导电无缝带,所述叔胺的沸点为200°C以上,酸解离常数PKa为4 9 (4彡pKa ( 9)。已经发现,叔胺是决定半导电无缝带、尤其是聚酰亚胺带中的聚酰胺特性的重要因素,尤其是在本专利技术中,其沸点和酸解离常数对所述带的耐挠曲性具有大的影响。具体地,已经发现当使用沸点低的叔胺时,因为在除去溶剂时把叔胺与溶剂一起蒸发掉而难以形成稳定的聚酰亚胺带,而且当使用PKa小的叔胺时,对耐挠曲性的改进效果小。因此,通过使用含满足上述要求的叔胺的聚酰胺酸溶液,可以提供耐挠曲性优异的半导电无缝带。关于这一点,用于评价耐挠曲性的方法将在下面进行说明。在本专利技术中,作为上述聚酰胺酸溶液,优选使用包含如下物质的聚酰胺酸溶液含成分A和成分B的重复结构的共聚物,在所述成分A中作为四元羧酸残基的全芳香族骨架和作为二元胺残基的对苯撑骨架通过酰亚胺键结合,在所述成分B中作为四元羧酸残基的全芳香族骨架和作为二元胺残基的二苯醚骨架通过酰亚胺键结合;和/或含所述成分A作为重复单元的聚合物和含所述成分B作为重复单元的聚合物的共混物。也就是,在本专利技术中已经发现,在制造无缝带中,为了提高所述带的耐挠曲性,聚酰胺酸溶液优选为包含形成刚性骨架(rigid skeleton)的成分和形成挠性骨架(flexibleskeleton)的成分的共聚物或所述成分各自聚合物的共混物的聚酰胺酸溶液。具体地,作为 形成刚性骨架的成分,可以提及成分A,在所述成分A中作为四元羧酸残基的全芳香族骨架和作为二元胺残基的对苯撑骨架通过酰亚胺键结合。而且,作为形成挠性骨架的成分,可以提及成分B,在所述成分B中作为四元羧酸残基的全芳香族骨架和作为二元胺残基的二苯醚骨架通过酰亚胺键结合。通过使用这类聚酰胺酸溶液能够得到聚酰亚胺树脂。在制造聚酰亚胺无缝带中,通过使用聚酰胺酸溶液可以提供耐挠曲性更优异的半导电无缝带,所述聚酰胺酸溶液含包括这些成分重复单元的共聚物和/或包括具有成分A作为重复单元的聚合物与具有成分B作为重复单元的聚合物的混合物的共混物。在本专利技术中,作为聚酰胺酸溶液,优选使用由5 95wt%的成分A构成单元和95 5wt%的成分B构成单元构成的聚酰胺酸溶液。也就是,在本专利技术中已经发现,在制造无缝带中,为了提高所述带的耐挠曲性,优选使用聚酰胺酸溶液并优选所述聚酰胺酸溶液由形成刚性骨架的成分和形成挠性骨架的成分以预定比例构成。具体地,通过使用聚酰胺酸溶液来制造聚酰亚胺无缝带,可以提供耐挠曲性更优异的半导电无缝带,所述聚酰胺酸溶液包含上述比例的作为形成刚性骨架的成分A的构成单元和作为形成挠性骨架的成分B的构成单元。有益效果如上所述,根据本专利技术,可以形成耐挠曲性优异且在驱动过程中不易产生从带的边缘部分开始的裂纹的半导电无缝带。因此,能够提供即使用于照相记录装置中也具有预定表面电阻值和耐挠曲性优异的中间转印带等。具体实施例方式下面将对实施本专利技术的方式进行说明。 本专利技术涉及用作中间转印带等的半导电无缝带,其构成如下。本专利技术的半导电无缝带包含用上述聚酰胺酸溶液得到的聚酰亚胺树脂,且可包含导电填料。关于本专利技术半导电带的电阻值,在将其用作照相记录装置中的中间转印带的情况下,表面电阻率优选为IO8 IO14 Ω / 口,更优选为101° IO13 Ω / 口。作为导电填料,能够使用无机化合物如炭黑、铝、镍、氧化锡和钛酸钾以及包含聚苯胺和聚乙炔作为代表的导电聚合物。特别地,考虑到电阻控制和电阻降低,重要的是将各种导电材料均匀地分散到带中。因此,在使用炭黑等的情况下,必须选择具有优异分散性能的炭黑并必须适当选择分散方法。而且,在使用导电聚合物等的情况下,期望将其溶于与溶解树脂材料的溶剂相同的溶剂中。根据导电材料的种类,能够适当选择这些不同导电材料的含量,但是基于构成所述带的树脂的量优选为约5 50wt%,更优选为7 40wt%。当所述含量小于5wt%时,电阻的均匀性降低且在持续使用期间表面电阻率有时会降低得很明显。另一方面,当其含量超过50wt%时,难以获得期望的电阻值且成型制品变脆,因此不优选所述情况。作为代表性导电填料的炭黑,即使当其混入量少时,也能够赋予导电性,但是为了获得预定的电阻值,其混入量按100重量份的聚酰亚胺树脂计优选为约20 30重量份。当炭黑混入量超过所述范围时,耐挠曲性降低。当所述量低于所述范围时,电阻值随炭黑混入量的变化变大,使得其很难得到预定的电阻值。而且,如上所述,在聚酰亚胺带中已经揭示,聚酰胺酸溶液中叔胺的沸点和酸解离常数对所述带的耐挠曲性具有大的影响。具体地,通过使用沸点为200°C以上且酸解离常·数PKa为4以上且9以下的叔胺,得到了耐挠曲性优异的聚酰亚胺带,因此优选所述情况。在这种情况中,关于叔胺的沸点,当使用沸点低的叔胺时,由于在除去溶剂时会将叔胺与溶剂一起蒸发因此叔胺不能稳定地保持在膜上,所以在许多情况下,在接下来的酰亚胺化步骤中未获得期望的效果。而且,关于叔胺中的酸解离常数,值越大,碱性越强,通常反应性越高。然而,当使用PKa大的胺时,尽管反应性变高,但是在许多情况下未提高耐挠曲性。而且,作为高反应性的负面影响,当将所述胺与聚酰胺酸溶液混合时,常温下的储存稳定性下降。另一方面,当使用PKa小的胺时,因为反应性变低,对耐挠曲性的影响小。作为具体的叔胺,可使用异喹啉、咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、N-甲基咪本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导电无缝带,其用含叔胺的聚酰胺酸溶液得到,所述叔胺的沸点为200℃以上,酸解离常数pKa为4~9,其中所述叔胺选自咪唑、2?乙基?4?甲基咪唑、2?苯基咪唑和N?甲基咪唑,其中所述聚酰胺酸溶液包含如下物质中的至少一种:含成分A和成分B的重复结构的共聚物,在所述成分A中BPDA和PDA通过酰亚胺键结合,在所述成分B中BPDA和DDE通过酰亚胺键结合;以及下列聚合物的共混物:含所述成分A作为重复单元的聚合物和含所述成分B作为重复单元的聚合物。

【技术特征摘要】
1.一种半导电无缝带,其用含叔胺的聚酰胺酸溶液得到,所述叔胺的沸点为200°C以上,酸解离常数PKa为4 9, 其中所述叔胺选自咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑和N-甲基咪唑, 其中所述聚酰胺酸溶液包含如下物质中的至少一种 含成分A和成分B的重复结构的共聚物,在所述成分A中BPDA和PDA通过酰亚胺键结合,在所述成分B中BP...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡边义宣
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:

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