【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。更具体地说，本专利技术涉及制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法。近年来，对高密度和高速的低功耗半导体器件一直存在需求。这种常规半导体器件的一个代表是墙发射极式(Walled-emitter type)NPN双极晶体管。在NPN双极晶体管结构中，发射极区域由隔离膜环绕以使至少有一部分发射区与隔离膜周边接触。这种结构不仅可降低发射极与基极间的结电容，而且由于其发射极和基极自对准形式使晶体管小型化，还能满足对晶体管的高速、高密度和低功耗要求。日本专利公开第1-281769号公开了墙发射极式NPN双极晶体管的一个例子。然而，在这种结构的NPN双极晶体管中，由于离子注入到基区的杂质被隔离膜吸收，因杂质浓度的降低而在基区和隔离膜界面处形成一个耗尽层。结果，N-型发射区和N-型收集区就经由耗尽层而彼此连接，引起发射区和收集区之间产生不希望有的漏电流。另一方面，在半导体衬底上带有PNP双极晶体管的半导体器件中，注入到收集区的杂质在P+型收集区与隔离膜的界面处被隔离膜吸收，以致在收集区与隔离膜的界面处形成了一个耗尽层。在这一耗尽层中存在着大量界面电荷...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：步骤（１）在一个半导体衬底上形成一个电容器下电极；步骤（２）在所述电容器下电极上形成一个第一隔离膜；步骤（３）对所述第一隔离膜进行选择性腐蚀，以便除去将要形成电容器隔离膜的区域中的那部分第 一隔离膜，以形成第一开孔，同时有选择地除去所述第一隔离膜中将要形成所述电容器下电极之接触的那个区域，以形成一个第二开孔；步骤（４）在所述电容器下电极和第一隔离膜上形成一个用作电容器隔离膜的第二隔离膜；步骤（５）选择性地腐蚀所述第二隔 离膜，以便除去所述第二隔离膜中对应于所述第二开孔底部的部分和对应于所述第一隔离膜...
【技术特征摘要】
JP 1993-3-26 067217/93;JP 1993-4-14 087116/931.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤步骤(1)在一个半导体衬底上形成一个电容器下电极；步骤(2)在所述电容器下电极上形成一个第一隔离膜；步骤(3)对所述第一隔离膜进行选择性腐蚀，以便除去将要形成电容器隔离膜的区域中的那部分第一隔离膜，以形成第一开孔，同时有选择地除去所述第一隔离膜中将要形成所述电容器下电极之接触的那个区域，以形成一个第二开孔；步骤(4)在所述电容器下电极和第一隔离膜上形成一个用作电容器隔离膜的第二隔离膜；步骤(5)选择性地腐蚀所述第二隔离膜，以便除去所述第二隔离膜中对应于所述第二开孔底部的部分和对应于所述第一隔离膜之上的所述第二开孔周边的部分；以及步骤(6)在所述第一开孔中形成一个电容器上电极，同时在所述第二开孔中形成所述电容器下电极的一个接触电极。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述步骤(5)中进行的腐蚀操作是各向异性的，而且所述步骤(5)包括一个步骤，即把所述第二隔离膜中对应于所述第二开孔侧壁部分的那个部分保留下来。3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述步骤(5)中进行的腐蚀操作是各向同性的，而且所述步骤(5)包括一个步骤，即把所述第二隔离膜对应于所述第二开孔侧壁部分的那个部分除掉。4.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤步骤(1)在一个半导体衬底上形成一个电容器下电极；步骤(2)在所述电容器下电极上形成一个第一隔离膜；步骤(3)对所述第一隔离膜进行选择性腐蚀，以便把将要形成电容器隔离膜的那个区域的所述第一隔离膜清除掉，以形成一个第一开孔，然后在所述第一开孔的底部形成一个用作电容器隔离膜的第二隔离膜，同时选择性地腐蚀所述第一隔离膜，以便把将要形成所述电容器下电极接触的区域内的所述第一隔离膜除掉以形成一个第二开孔；以及步骤(4)在所述第一开孔中形成一个电容器上电极，同时在所述第二开孔中形成一个所述电容器下电极的接触电极。5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，所述步骤(3)包括下列步骤选择性地腐蚀所述第一隔离膜，以便把将要形成电容器隔离膜的区域内和将要形成上述电容器下电极接触的区域内的所述第一隔离膜清除掉以形成所述第一和第二开孔；以及在所述第一和第二开孔的底部形成一个用作电容器隔离膜的第二隔离膜，然后清除掉将要形成所述电容器下电极接触的区域内的所述第二隔离膜。6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：平井健裕，田中光男，堀敦，下村浩，堀川良彦，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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