【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法及在其中使用的研磨液。更具体地说，本专利技术涉及的一种制造半导体方法中，包括将绝缘膜平面化的步骤，及在其中使用的研磨液。为了再增加半导体集成电路器件的集成度，需要进一步缩小互连的尺寸并提供多层结构。在每一互连之间设有一层间绝缘膜，以获得互连的多层结构。如果该层间的表面不是平面，则在层间绝缘膜上形成的互连处会产生台阶部分。这将引起例如断连的缺陷。因此，层间绝缘膜的表面(器件的表面)必须尽可能地平坦。将器件表面弄平的技术称为平面化。在缩小尺寸和提供互连的多层结构中，这种平面化技术变得日益重要。下面是两种已知的常规平面化法。作为第一种方法，使用SOG(旋涂玻璃)膜是公知的。使用SOG膜的平面化技术将在下面叙述。SOG膜在平面化技术中是公知的最常用的层间绝缘膜。近年来，在平面化技术的发展中特别受到瞩目的是利用层间绝缘膜材料的流体性质。“SOG膜”是一种通用术语，它所指的膜主要由一溶液组成，其中有硅化合物溶解在有机溶剂中，而氧化硅由该溶液形成。在形成SOG膜中，首先，将具有溶解在有机溶剂中的硅化合物的溶液以滴状施加在旋转的衬底上。...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 将杂质引进第一绝缘膜，以及 在引进所说杂质后，抛光所说第一绝缘膜以进行平面化。
【技术特征摘要】
JP 1997-1-23 10426/97;JP 1996-8-30 230826/961.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤将杂质引进第一绝缘膜，以及在引进所说杂质后，抛光所说第一绝缘膜以进行平面化。2.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤在衬底上形成第一绝缘膜，在所说第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，在形成所说第二绝缘膜之前或之后，将杂质至少引进到所说第一绝缘膜的表面，以及至少抛光所说第二绝缘膜以进行平面化。3.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说平面化步骤包括通过抛光所说第一和第二绝缘膜以进行平面化的步骤。4.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说第二绝缘膜包括由等离子CVD法形成的氧化硅膜。5.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说引进杂质的步骤包括下列步骤在杂质引进到所说第一绝缘膜之前，于器件表面上形成光刻胶，以及经所说光刻胶膜将杂质引进所说第一绝缘膜。6.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，它还包括在所说抛光后于器件表面上形成第三绝缘膜的步骤。7.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，它还包括在形成所说第一绝缘膜之前于器件表面上形成第四绝缘膜的步骤。8.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说第一绝缘膜包括一含至少1％碳的氧化硅材料。9.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说第一绝缘膜包括一种材料其由纯化水和所说第一绝缘膜形成的接触角不超过30°。10.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说第一绝缘膜包括无机SOG膜。11.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说抛光是用化学机械抛光法进行的。12.根据权利要求11制造半导体器件的方法，其特征在于，在所说抛光步骤中使用了表面活性剂。13.根据权利要求2制造半导体器件的方法，其特征在于，所说引进杂质的步骤包括用注入法将杂质引进所说第一绝缘膜的步骤。14.根据权利要求13制造半导体器件的方法，其特征在于，所说杂质包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上恭典，冈山芳央，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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