外延生长装置的工艺腔室制造方法及图纸

一种外延生长装置的工艺腔室，其是反应处理半导体基板的工艺腔室，具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在所述工艺腔室中，所述基座上载置所述半导体基板；指板晶圆升降机，配置在所述基座的下方并且被构成为可在所述轴构件的轴向方向上移动；升降销，随着所述指板晶圆升降机接近所述基座，使所述半导体基板从所述基座的上表面向上方位移；所述基座中形成有所述升降销穿过的贯通孔。过的贯通孔。过的贯通孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延生长装置的工艺腔室


[0001]本专利技术涉及外延生长装置的工艺腔室。

技术介绍

[0002]以往，在半导体制造装置中，已知有通过热处理等在半导体基板上进行成膜的工艺腔室。
[0003]作为这样的工艺腔室，在专利文献1中公开了具有用于取出半导体基板的可上升的基座的构成。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2014
‑
222693号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]但是，在专利文献1记载的专利技术中，由于基座上升，因此存在工艺腔室整体在上下方向上增大的问题。
[0009]因此，本专利技术的目的在于提供一种能够抑制上下方向增大的外延生长装置的工艺腔室。
[0010]解决课题的技术方案
[0011]为解决上述课题，本专利技术的外延生长装置的工艺腔室为反应处理半导体基板的工艺腔室，其具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在工艺腔室中，基座上载置半导体基板；指板晶圆升降机，配置在基座的下方并且被构成为可在轴构件的轴向方向上移动；升降销，随着指板晶圆升降机接近基座，使半导体基板从基座的上表面向上方位移。基座中形成有升降销穿过的贯通孔。
[0012]另外，指板晶圆升降机具有沿上下方向延伸的支撑管，及从支撑管的上端部沿径向延伸的多个支撑臂。支撑臂的径向方向上的外端部形成有与升降销沿上下方向对置的顶端部。顶端部的周方向的尺寸可以大于支撑臂的除了顶端部之外的部分。
[0013]另外，基座的上表面的除了外周缘部以外的部分，在载置半导体基板的同时，形成比外周缘部凹陷的载置面，贯通孔可以形成在载置面上沿径向方向的外端部处。
[0014]专利技术的效果
[0015]根据本专利技术的外延生长装置的工艺腔室，具有仅支撑径向中心部的基座。然后，通过提升穿过基座的贯通孔的升降销，可以使半导体基板向上方位移。
[0016]因此，与例如将基座大幅升高以将半导体基板向上方位移的构成相比，可以减小在上下方向上位移部分的构成，抑制工艺腔室的上下方向的增大。
附图说明
[0017]图1是根据本专利技术的一种实施方式的具备外延生长装置的工艺腔室的半导体制造装置的纵断面图。
[0018]图2是在图1所示的工艺腔室中，(a)是显示基座单元的立体图，(b)是(a)中的基座的透视图。
[0019]图3(a)是基座单元的正视图，(b)是指板晶圆升降机的平面图。
[0020]图4是表示将半导体基板运送到图1所示的工艺腔室内的工序图。
[0021]图5是表示在图1所示的工艺腔室中反应处理半导体基板的工序图。
[0022]图6是表示从图1所示的工艺腔室内取出半导体基板的工序图。
具体实施方式
[0023]其次，参照附图对根据本专利技术的实施方式的外延生长装置的工艺腔室2进行说明。
[0024]本实施方式的工艺腔室2是在半导体制造装置1中，进行通过热处理等在半导体基板S上成膜的反应处理的腔室。首先，描述半导体制造装置1的构成。
[0025]如图1所示，半导体制造装置1具有工艺腔室2，将半导体基板S运送至工艺腔室2的内部的运送腔室3，和与运送腔室3连接的负载锁定腔室4。
[0026]运送腔室3配置在工艺腔室2和负载锁定腔室4之间。
[0027]运送腔室3具有运送机器人7。运送机器人7具有三个机器人臂5a、5b和5c。机器人臂5a、5b和5c围绕旋转轴A可旋转地配置。机器人臂5a、5b和5c可以通过绕旋转轴A旋转而在水平方向上伸缩。
[0028]多个机器人臂5a、5b和5c中位于最上方的机器人臂5a的顶端，设置有刀片5A。可以以刀片5A的上表面载置有半导体基板S的状态，通过三个机械臂5a、5b和5c在水平方向上伸缩来运送半导体基板S。
[0029]L形闸阀8配置在运送腔室3中的与工艺腔室2相连的部分。由此，可以可靠地确保工艺腔室2与运送腔室3之间的气密性。
[0030]在负载锁定腔室4中，在负载锁定腔室4的与运送腔室3相连的部分中配置有气密门，从而可以将半导体基板S从运送腔室3取出和放入。由此，能够可靠地确保负载锁定腔室4和运送腔室3之间的气密。
[0031]工艺腔室2具有载置半导体基板S的基座单元10和内部配置有基座单元10的腔室主体20。
[0032]用于加热半导体基板S的热源(未示出)配置在腔室本体20的上侧及下侧。热源，例如，可以采用卤素灯，但不限于该示例。
[0033]接下来，将详细说明基座单元10的构成。
[0034]基座单元10具有：载置半导体基板S的基座11、配置在基座11下方的指板晶圆升降机12、及随指板晶圆升降机12接近基座11，从基座11的上表面向上方位移半导体基板S的升降销13。
[0035]如图2和3所示，基座11被支撑并配置在工艺腔室2中。基座11的上表面上载置半导体基板S。基座11仅在径向中心部由基座轴(轴构件)15从下方支撑。基座11在平面图中呈现圆板形状。
[0036]在以下说明中，与基座11正交并通过中心的直线称为中心轴线O1。另外，与中心轴线O1正交的方向称为径向，绕中心轴线O1旋转的方向称为周方向。
[0037]在基座11的下表面的径向中心部形成有向下方突出并且下端部向下开口的嵌合筒11A。基座轴15的上端部嵌合在嵌合筒11A的内侧。
[0038]基座11的上表面的除了外周缘部以外的部分，在载置半导体基板S的同时，形成比外周缘部凹陷的载置面11B。
[0039]基座11和基座轴15被构造为可在周方向上旋转。基座11形成有沿上下方向穿透基座11的贯通孔14。贯通孔14形成在基座11的载置面11B上的径向外端部。
[0040]多个贯通孔14沿周方向间隔排列。在图示的例子中，三个贯通孔14沿周方向等间隔排列。贯通孔14上端部的内径朝向上方逐渐增大。采用这种形状，可以防止升降销13从贯通孔14中脱落。
[0041]基座轴15沿上下方向延伸并且与中心轴线O1同轴配置。如图1所示，基座轴15由轴基座支撑件15A和热电偶15B组成。
[0042]轴基座支撑件15A呈筒状，热电偶15B插入其内侧。轴基座支撑件15A和热电偶15B与中心轴线O1同轴配置。
[0043]轴基座支撑件15A的上端部直径向上方逐渐缩小。热电偶15B沿上下方向笔直延伸。
[0044]在轴基座支撑件15A的上端部中，缩小的部分嵌合在基座11的嵌合筒11A的内侧。基座11和基座轴15在周方向上的相互的位置固定。
[0045]指板晶圆升降机12被配置为可在基座轴15的轴向方向上移动并且被配置为可相对于基座11和基座轴15上升。指板晶圆升降机12连接在沿上下方向延伸的轴晶圆升降机16的上方。
[0046]指板晶圆升降机12连接于轴晶圆升降机16的上端部，其具有沿上下方向延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种反应处理半导体基板的外延生长装置的工艺腔室，具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在所述工艺腔室中，所述基座上载置所述半导体基板；指板晶圆升降机，配置在所述基座的下方并且被构成为可在所述轴构件的轴向方向上移动；升降销，随着所述指板晶圆升降机接近所述基座，使所述半导体基板从所述基座的上表面向上位移；所述基座中形成有所述升降销穿过的贯通孔。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于：所述指板...

【专利技术属性】
技术研发人员：岡部晃，竹永幸生，
申请(专利权)人：爱必克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：