等离子处理装置的检查方法制造方法及图纸

提供等离子处理装置，多个原料气体提供路各自具备：将该原料气体提供路开闭的第1阀以及配置于该第1阀的上游侧的第2阀；配置于这些第1阀以及第2阀之间并调节流过内部的原料气体的流量的流量调节器；和在第2阀与流量调节器之间的部位连接的与在内部被提供惰性气体的惰性气体提供路的连接部，为了使等离子处理装置的处理的效率提升，在多个原料气体提供路的检查中进行：第1检查的工序，在各自将第1阀关闭并从惰性气体提供路提供惰性气体的状态下，对多个原料气体提供路各自依次使用经过该原料气体提供路上的流量调节器的惰性气体的流量来判定该原料气体提供路上的第1阀的泄漏的有无；和第2检查的工序，在该第1检查的工序中未判定为有第1阀的泄漏的情况下，对多个原料气体提供路各自依次在将第1阀以及第2阀关闭的状态下从与该原料气体提供路连接的惰性气体提供路提供惰性气体，并使用对该惰性气体提供路提供的惰性气体的压力的变化量来检测该原料气体提供路上的第1阀的泄漏。该原料气体提供路上的第1阀的泄漏。该原料气体提供路上的第1阀的泄漏。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子处理装置的检查方法


[0001]本专利技术涉及检查等离子处理装置的所述处理用的气体的提供的量的检查方法，其中等离子处理装置通过使用对处理室内提供的处理用的气体而形成的等离子来对对配置于真空容器内部的处理室内的半导体晶片等基板状的样品进行处理，特别涉及检查多种类的气体以给定的组成构成的处理用的气体在与处理室连结的气体提供管线的内部流通的量的方法。

技术介绍

[0002]过去以来，在制造半导体器件的工序中，为了对硅等半导体晶片、LCD基板等基板状的样品实施所期望的加工来形成器件的电路的结构，广泛利用干式蚀刻装置。该干式蚀刻装置典型地是如下那样的等离子处理装置：将导入到配置于真空容器的内部的室即处理室内的由反应性高的单一或多种类构成的工艺用气体用对处理室内提供的电场或磁场激发来形成等离子，使用该等离子中的离子等带电粒子以及反应性高的粒子来进行蚀刻等处理。
[0003]在这样的等离子处理装置中，存在对相同晶片实施多个工序的蚀刻处理的情况。在这样的多个工序的各自中，对处理室内提供使气体的种类、组成不同的处理用的气体，来在不同的处理的条件下进行晶片的处理。等离子处理装置为了进行这样的晶片的处理(工艺)，需要具有能切换不同种类的气体并进行提供的气体提供管线。
[0004]等离子处理装置中的气体提供管线包含：与存积不同种类的气体的多个气体提供源的各自连结并连通、在内部流通多种类的气体的多个配管；和与该多个配管连接并将内部的气体合流的单一的共通配管。在多个配管的各自上具备调节流过内部的气体的流量或速度的流量调节器以及将配管的内部开闭的阀。根据这样的气体提供管线，通过将多个配管的阀选择性地开闭，能将多个气体提供源的气体当中所选择的气体以给定的组成提供到等离子处理装置的处理室。
[0005]在具有这样的气体提供管线的等离子处理装置中，若在配管上的阀发生泄漏，就有可能将与所期望不同的组成的处理用的气体提供到处理室内。其结果，会给工艺处理带来不良影响。据此，在等离子处理装置中，每隔预先确定的期间检查这样的气体提供管线的阀的泄漏的有无或其量，对检测到出现容许范围外的量的泄漏的配管上的阀实施修理、更换等维护。
[0006]作为与这样的气体提供管线的阀的泄漏的检查相关的现有技术，已知JP特开2017
‑
32305号公报(专利文献1)公开的技术。在该现有技术中，公开了如下那样的进行检查的技术：使用与各气体提供管线连接的气体提供源的气体，以将成为检查对象的单体或多个阀关闭的状态流过气体，通过用压力计检测压力的上升来检测阀的泄漏。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：JP特开2017
‑
32305号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的课题
[0011]但在上述现有技术中，关于如下点并未进行充分的考虑。
[0012]即，在对气体提供管线的多个气体提供用的配管上的阀进行检查的情况下，在多个阀有泄漏的情况下，在检查中有可能漏出的气体会混合。另一方面，在将其他阀关闭的状态下对每1个阀单独检查泄漏的有无的情况下，虽然不会出现上述气体的混合的问题，但在近年的对半导体晶片进行蚀刻处理来制造半导体器件的工序中，一般将多种类的气体混合，作为处理用气体而提供到处理室内，气体的种类的数量也处于增大的倾向。因此，等离子处理装置若对具备不同种类的气体各自所流通的配管而构成的气体提供管线的多个配管的各个依次进行检查，检查的作业所需的时间就会变得庞大。由于在实施这样的检查的期间要停止等离子处理装置的用于半导体器件制造的运转，会有损装置的运行率、处理的效率，关于这样的问题，上述现有技术中并未考虑到。
[0013]本专利技术的目的在于，提供使运行率、处理的效率提升的等离子处理装置的检查方法。
[0014]用于解决课题的手段
[0015]上述目的通过等离子处理装置的检查方法达成，所述等离子处理装置具备：处理室，其使用对配置于真空容器内部的处理室内提供混合了多种类的气体的处理用的气体而形成的等离子来对晶片进行处理；和处理用气体提供路，其具有使所述多种类的气体各自流过内部而提供的多个原料气体提供路以及这多个原料气体的提供路在与所述处理室之间合流成1个流路的合流路，所述等离子处理装置的检查方法的特征在于，所述多个原料气体提供路各自具备：将该原料气体提供路开闭的第1阀以及配置于该第1阀的上游侧的第2阀；配置于这些第1以及第2阀之间并调节流过内部的所述原料气体的流量的流量调节器；和在所述第2阀与所述流量调节器之间的部位连接的与在内部被提供惰性气体的惰性气体提供路的连接部，所述等离子处理装置的检查方法进行如下的工序：第1检查的工序，在对所述多个原料气体提供路各自将所述第1阀关闭并从所述惰性气体提供路提供了惰性气体的状态下，对所述多个原料气体提供路各自依次使用经过该原料气体提供路上的所述流量调节器的所述惰性气体的流量来判定该原料气体提供路上的所述第1阀的泄漏的有无；和第2检查的工序，在该第1检查的工序中未判定为有所述第1阀的泄漏的情况下，对所述多个原料气体提供路各自依次在将所述第1阀以及第2阀关闭的状态下从与该原料气体提供路连接的所述惰性气体提供路提供所述惰性气体，并使用对该惰性气体提供路提供的惰性气体的压力的变化量来检测该原料气体提供路上的所述第1阀的泄漏。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本专利技术，能抑制气体的混合且短时间内高精度地检测设于与多个气体提供源连接的多个配管的阀的泄漏，缩短了等离子处理装置的保养、检修所需的时间，从而运行率、处理的效率得到提升。
附图说明
[0018]图1是示意表示本专利技术的实施例所涉及的等离子处理装置的结构的概略的图。
[0019]图2是表示在图1所示的实施例中使用惰性气体来检查工艺气体导入阀的泄漏的
动作的流程的流程图。
[0020]图3是示意表示图2所示的第1检查的工序中的气体提供管线内的气体的流动的图。
[0021]图4是示意表示图2所示的第2检查的工序中的气体提供管线内的气体的流动的图。
具体实施方式
[0022]以下使用附图来说明本申请专利技术的实施方式。
[0023]本实施方式中，等离子处理装置具备：连结排气装置的真空容器内部的处理室；提供用于置换处理室内部的气体的清洗用的惰性气体的惰性气体提供管线；向处理室内提供多个工艺气体的工艺气体提供管线；控制配置于各气体提供管线内的各个阀以及流量调节器的动作的控制部，在该等离子处理装置中，使用惰性气体来一齐检查多个工艺气体用阀的泄漏。特别在一齐检查时用处理室内的压力计检测阀的泄漏导致的气体的泄漏时，确认流过各工艺气体提供管线的流量调节器的气体流量值，确定有泄漏的阀。进而，在未用流量调节器确认到气体流量的情况下，将各工艺气体提供管线用惰性气体进行加压填充，在每个工艺气体提供管线确认配置于惰性气体提供管线的压力计的压力值，由此确定有泄漏的阀。
[0024]实施例1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子处理装置的检查方法，所述等离子处理装置具备：处理室，其使用对配置于真空容器内部的处理室内提供混合了多种类的气体的处理用的气体而形成的等离子来对晶片进行处理；和处理用气体提供路，其具有使所述多种类的气体各自流过内部而提供的多个原料气体提供路以及这多个原料气体的提供路在与所述处理室之间合流成1个流路的合流路，所述等离子处理装置的检查方法的特征在于，所述多个原料气体提供路各自具备：将该原料气体提供路开闭的第1阀以及配置于该第1阀的上游侧的第2阀；配置于这些第1阀以及第2阀之间并调节流过内部的所述原料气体的流量的流量调节器；和在所述第2阀与所述流量调节器之间的部位连接的与在内部被提供惰性气体的惰性气体提供路的连接部，所述等离子处理装置的检查方法进行如下的工序：第1检查的工序，在对所述多个原料气体提供路各自将所述第1阀关闭并从所述惰性气体提供路提供了惰性气体的状态下，对所述多个原料气体提供路各自依次使用经过该原料气体提供路上的所述流量调节器的所述惰性气体的流量来判定该原料气体提供路上的所述第1阀的泄漏的有无；和第2检查的工序，在该第1检查的工序中...

【专利技术属性】
技术研发人员：垣元宏太，长谷征洋，武川祐亮，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：