【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相生长装置以及磊晶晶圆的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种使半导体单结晶薄膜气相生长在单结晶基板的主表面用的气相生长装置，与利用此气相生长装置而被实现的磊晶晶圆的制造方法。
技术介绍
[0002]将半导体单结晶薄膜形成在单结晶基板上的磊晶晶圆，例如，通过气相生长法将硅单结晶薄膜(以下，简单地简称为“薄膜”)形成在硅单结晶基板(以下，简单地简称为“基板”)的表面的硅磊晶晶圆是广泛地被用于双极IC或MOS
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IC等的电子元件。近年，例如，在直径为200mm，乃至更大的磊晶晶圆的制造中，取代对多片的晶圆进行批量处理的方法的单晶片型气相生长装置已成为主流。这种装置是在反应容器内使1片的基板呈水平地加以旋转保持，并且从反应容器的一端向另一端地略呈水平，而且单方向地一面供给原料气体，一面使薄膜气相生长的装置。在通常的硅磊晶晶圆的制造之际，在基板的加热中，红外线辐射加热，高频感应加热或电阻加热等的方式被使用，虽然硅基板与承载盘是升温，但将反应容器的壁面的温度保持在低温，即以所谓形成冷壁的环境的方式进行着。>[0003]在单晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气相生长装置，使半导体单结晶薄膜气相生长在单结晶基板的主表面上，其特征在于，具有反应容器本体，其水平方向之中的第1末端侧形成有气体导入口，同样地，第2末端侧形成有气体排出口，在该反应容器本体的内部空间之中，在被旋转驱动的圆盘状的承载盘上，所述单结晶基板被略呈水平地加以保持而在旋转的状态下，从所述气体导入口被导入的所述反应容器本体内的半导体单结晶薄膜形成用的原料气体是在沿着所述单结晶基板的所述主表面流过之后，以从所述气体排出口排出的方式加以构成，且以围绕所述承载盘的方式设置预热环，该气相生长装置更具备：承载盘位置变更机构，为了阶段性或无段地变更并设定所述安装在承载盘上的所述单结晶基板的所述主表面、与所述反应容器本体的天花板底面之间所形成的原料气体流通空间的高度方向尺寸，其基于所述承载盘的升降而变更所述反应容器本体内的所述承载盘的高度方向保持位置；及预热环位置变更机构，以跟随所述承载盘的所述高度方向保持位置的变更的方式，其基于所述预热环的升降而变更所述反应容器本体内的所述预热环的高度方向保持位置。2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，所述预热环位置变更机构随着所述承载盘的高度方向保持位置的变更，而使所述承载盘上的所述单结晶基板的主表面与所述预热环的上表面呈一致的方式变更所述预热环的高度方向保持位置。3.根据权利要求1或2所述的气相生长装置，其中，所述承载盘位置变更机构使所述承载盘的高度方向保持位置，在所述原料气体流通空间的高度方向尺寸为第1尺寸的承载盘侧第1位置、与所述原料气体流通空间的高度方向尺寸为小于所述第1尺寸的第2尺寸的承载盘侧第2位置之间进行变更，所述预热环位置变更机构使所述预热环的高度方向保持位置，在各相对应于所述承载盘侧第1位置以及所述承载盘侧第2位置的环侧第1位置与环侧第2位置之间进行变更。4.根据权利要求1至3中任一项所述的气相生长装置，其中，所述承载盘除了通过其上端与该承载盘的底面结合的旋转轴构件而被旋转驱动之外，所述承载盘位置变更机构还使所述承载盘与所述旋转轴构件一起升降，所述预热环位置变更机构允许所述旋转轴构件的旋转驱动，同时具备升降轴套、结合构件、及升降驱动部，其中该升降轴套与所述旋转轴构件的外侧同轴，并且被配置成可以沿着所述旋转轴构件的轴线进行升降，该结合构件使该升降轴套与所述预热环结合，且该升降驱动部一体地升降驱动所述升降轴套与所述结合构件。5.根据权利要求4所述的气相生长装置，其中，采用从下方将所述承载盘上的所述单结晶基板向上顶的方式而使其升起的升降销以下端侧从所述承载盘朝下凸出的方式被设置，用以将所述升降销从下方朝上地驱使用的升降销驱动臂的末端侧结合于所述升降轴套。6.根据权利要求4或5所述的气相生长装置，其中，在所述反应容器本体内的所述承载盘的周围，具备环状的下半部衬套及环状的上半部衬套，其中将该环状的下半部衬套配置在面对外围面的所述气体导入口的位置、且使环状的上半部衬套相对于该下半部衬套的上方的方式加以配置，...
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