半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制造方法及图纸

具有重复进行下述(a)和(b)的工序：(a)执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对衬底进行处理；和，(b)执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容衬底的经加热的状态的处理容器内供给清洁气体，并对处理容器内进行清洁，并且，将(b)结束后至开始(a)的时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序


[0001]本公开文本涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时重复进行下述工序：向收容有衬底的处理容器内供给处理气体而对衬底进行处理的工序；和，向未收容衬底的处理容器内供给清洁气体而对处理容器内进行清洁的工序(例如参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2002
‑
222805号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]本公开文本的目的在于提高形成在衬底上的膜的特性。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其包括重复进行下述(a)和(b)的工序：
[0010](a)执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对上述衬底进行处理；
[0011](b)执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容上述衬底的经加热的状态的上述处理容器内供给清洁气体，并对上述处理容器内进行清洁，
[0012]将(b)结束后至开始(a)的时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。
[0013]专利技术的效果
[0014]根据本公开文本，能够提高形成在衬底上的膜的特性。
附图说明
[0015]图1为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且为以纵向剖视图示出处理炉部分的图。
[0016]图2为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且为以图1的A
‑
A线剖视图示出处理炉部分的图。
[0017]图3为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，并且是以框图示出控制器的控制系统的图。
[0018]图4的(a)为示意性地示出本公开文本的一个方式中的衬底处理顺序的图，图4的(b)为示意性地示出参考例中的衬底处理顺序的图。
具体实施方式
[0019]<本公开文本的一个方式>
[0020]以下，针对本公开文本的一个方式，主要使用图1～图4的(a)进行说明。
[0021](1)衬底处理装置的构成
[0022]如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调节部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承于保持板而被垂直组装。加热器207也作为利用热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
[0023]在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状地配设有反应管203。反应管203由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，并形成为上端闭塞且下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，以与反应管203呈同心圆状地配设有歧管209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属材料构成，并形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部以与反应管203的下端部卡合并支承反应管203的方式构成。在歧管209与反应管203之间，设置有作为密封部件的O型圈220a。反应管203与加热器207同样地被垂直组装。主要由反应管203和歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成有处理室201。处理室201构成为能够收容作为衬底的晶片200。在该处理室201内，进行对晶片200的处理。
[0024]在处理室201内，以贯穿歧管209的侧壁的方式分别设置有作为第1供给部、第2供给部的喷嘴249a、249b。也将喷嘴249a、249b分别称为第1喷嘴、第2喷嘴。喷嘴249a、249b各自由石英或SiC等作为耐热性材料的非金属材料构成。喷嘴249a、249b各自构成为多种气体的供给中使用的共用喷嘴。
[0025]在喷嘴249a、249b上，分别连接有作为第1配管、第2配管的气体供给管232a、232b。气体供给管232a、232b各自构成为多种气体的供给中使用的共用配管。在气体供给管232a、232b上，从气体流的上游侧起依次分别设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a、241b及作为开闭阀的阀243a、243b。在气体供给管232a的较阀243a更靠下游侧，连接有气体供给管232c、232d。在气体供给管232c、232d上，从气体流的上游侧起依次分别设置有MFC241c、241d、阀243c、243d。在气体供给管232b的较阀243b更靠下游侧，连接有气体供给管232e。在气体供给管232e上，从气体流的上游侧起依次设置有MFC241e、阀243e。气体供给管232a～232e由例如SUS等金属材料构成。
[0026]如图2所示，喷嘴249a、249b以从反应管203的内壁的下部沿着上部、朝向晶片200的排列方向上方竖立的方式，分别设置于反应管203的内壁与晶片200之间的俯视下呈圆环状的空间。即，在排列有晶片200的晶片排列区域的侧方的、水平包围晶片排列区域的区域中，以沿着晶片排列区域的方式分别设置有喷嘴249a、249b。在喷嘴249a、249b的侧面，分别设置有供给气体的气体供给孔250a、250b。气体供给孔250a、250b分别以在俯视时朝向晶片200的中心的方式打开开口，能够朝向晶片200供给气体。气体供给孔250a、250b在反应管203的遍及由下部至上部的范围内设置有多个。
[0027]从气体供给管232a，通过MFC241a、阀243a、喷嘴249a向处理室201内供给例如含有硅(Si)(其为构成形成于晶片200上的膜的主元素)的硅烷系气体作为处理气体(原料气体)。所谓原料气体，是指气体状态的原料，例如，通过使常温常压下为液体状态的原料气化而得到的气体、常温常压下为气体状态的原料等。作为硅烷系气体，例如，可以使用作为氢化硅气体的单硅烷(SiH4，简称：MS)气体。
[0028]从气体供给管232b，通过MFC241b、阀243b、喷嘴249b向处理室201内供给例如含有杂质(掺杂剂)的气体作为掺杂剂气体。作为掺杂剂气体，可以使用含有III族元素(第13族元素)及V族元素(第15族元素)中的任一元素的气体，例如为含有磷(P)作为V族元素的气体的膦(PH3，简称：PH)气体。
[0029]从气体供给管232c，通过MFC241c、阀243c、气体供给管232a、喷嘴249a向处理室201内供给例如含卤素气体作为清洁气体。卤素包括氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等。作为含卤素气体，例如，可以使用作为含F气体的氟(F2)气体。
[0030]从气体供给管232d、232e，分别经由MFC241d、241e、阀243d、243e、气体供给管232a、232b、喷嘴249a、249b向处理室201内供给例如氮(N2)气体作为非活性气体。N2气体作为吹扫气体、载气、稀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.半导体器件的制造方法，其包括重复进行下述(a)和(b)的工序：(a)执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对所述衬底进行处理；和，(b)执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容所述衬底的经加热的状态的所述处理容器内供给清洁气体，并对所述处理容器内进行清洁，将(b)结束后至开始(a)的时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还包括：(c)在不向未收容所述衬底的经加热的状态的所述处理容器内供给所述处理气体及所述清洁气体中的任意的情况下，维持所述处理容器内经加热的状态的工序，在(b)结束后至开始(a)的期间，不实施(c)。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)结束后至开始(b)的期间，实施(c)。4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)结束后至开始(b)的期间，不实施(c)。5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)刚结束后即开始(a)。6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)结束后，经过规定时间，然后开始(b)。7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)刚结束后即开始(b)。8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，使(b)结束后至开始(a)的时间为0小时。9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，使(a)结束后至开始(b)的时间为0小时。10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中的所述处理容器内的最大温度与(b)中的所述处理容器内的最大温度不同。11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，(b)中的所述处理容器内的最大温度高于(a)中的所述处理容器内的最大温度。12.如权利要求10或11所述的半导体器件的制造方法，其中，(b)包括：(b1)向设为第1温度的所述处理容器内供给所述清洁气体的工序；(b2)使所述处理容器内从所述第1温度升温至第2温度的工序；和，(b3)使所述处理容器内从所述第2温度降温至(a)中的处理温度的工序。13.如权利要求12所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡桥由悟，女川靖浩，村上孝太郎，芳贺健佑，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：