载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、接触晶圆(WF)的背面的外边缘来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的环状，在基座(112)、或基座(112)及载具(C)处，设置有将被晶圆(WF)、载具(C)及基座(112)间隔的空间和基座(112)的背面之间贯通的气体排出孔(1121，1122，C15)。C15)。C15)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相成长装置及用于该气相成长装置的载具
[0001]本专利技术涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置及用于该气相成长装置的载具。
技术介绍
[0002]在用于外延晶圆的制造等的气相成长装置中，为使对硅晶圆背面的损伤为最小限度，提出在将硅晶圆搭载于环状的载具的状态下在从装载锁定室至反应室的工序中搬运的方案(专利文献1)。
[0003]这种气相成长装置中，在装载锁定室中待机的环状的载具搭载处理前的晶圆来向反应室搬运，另一方面，处理后的晶圆在搭载于环状的载具的状态下被从反应室向装载锁定室搬运。
[0004]专利文献1 : 美国专利申请公开2017/0110352号公报。
[0005]反应室中将搭载有晶圆的状态的环状载具载置于基座，在该状态下进行外延成长等的处理。然而，上述现有技术中，在反应室中，被晶圆、环状载具及基座间隔的空间被大致密闭，所以将搭载有晶圆的状态的环状载具载置于基座上时，有晶圆滑动而位置偏离的可能。
[0006]此外，反应处理中，若反应气体从晶圆和环状载具的接触部分的些许间隙向上述密闭空间流入，则反应膜在晶圆的背面的外周堆积，这对晶圆的平坦度造成影响，所以需要尽可能使反应气体朝向晶圆的背面的流动均匀。
技术实现思路
[0007]本专利技术所要解决的问题是，提供防止将搭载有晶圆的载具载置于基座时的晶圆的滑动且能够使反应气体向晶圆背面的流动均匀的气相成长装置及用于该气相成长装置的载具。
[0008]本专利技术是一种气相成长装置，具备支承晶圆的外边缘(包括端部或外周部的范围，以下在本说明书中相同。)的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室顺次搬运，并且在前述反应室设置有支承前述载具的基座，其特征在于，前述载具形成为具有底面、上表面、外周侧壁面、内周侧壁面的环状，前述底面被载置于前述基座的上表面，前述上表面接触前述晶圆的背面的外边缘来支承，在前述基座、或前述基座及前述载具处，设置有将被前述晶圆、前述载具及前述基座间隔的空间和前述基座的背面之间贯通的气体排出孔。
[0009]在本专利技术中，更优选为，使用前述多个载具将多个处理前的晶圆经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向前述反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室向前述工厂接口顺次搬运，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载
锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室处结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，搬运至前述装载锁定室，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳至前述晶圆收纳容器，在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。
[0010]在本专利技术中，更优选为，前述气体排出孔仅设置于前述基座，被设置成将前述基座及前述载具贯通。
[0011]在本专利技术中，更优选为，前述气体排出孔被设置成将前述基座及前述载具贯通的情况下，构成为，形成于前述基座的气体排出孔和形成于前述载具的气体排出孔的直径不同。该情况下，形成于前述基座的气体排出孔的直径可以比形成于前述载具的气体排出孔的直径大，也可以比形成于前述载具的气体排出孔的直径小。
[0012]此外本专利技术是一种气相成长装置用载具，是支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用前述多个载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室顺次搬运，其特征在于，形成为具有底面、上表面、外周侧壁面、内周侧壁面的环状，前述底面被载置于前述反应室的基座的上表面，前述上表面接触前述晶圆的背面的外边缘来支承，并且，设置有将被前述晶圆、前述载具及前述基座间隔的空间和前述基座的背面之间贯通的气体排出孔。
[0013]在本专利技术中，更优选为，使用前述载具，将多个处理前的晶圆经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向前述反应室顺次搬运，并且，将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室向前述工厂接口顺次搬运。
[0014]专利技术效果根据本专利技术，将搭载有晶圆的载具载置于基座时，能够将被晶圆、环状载具及基座间隔的空间的气体从气体排出孔向基座的背面排出，所以能够防止晶圆的滑动。此外，反应处理中，若反应气体从晶圆和环状载具的接触部分的些许间隙向被晶圆、环状载具及基座间隔的空间流入，则能够将它们向基座的背面排出，所以能够使反应气体朝向晶圆背面的流动均匀。
附图说明
[0015]图1是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的框图。
[0016]图2A是表示本专利技术的实施方式的载具的俯视图。
[0017]图2B是包括晶圆及反应炉的基座的载具的剖视图。
[0018]图3A是表示设置于装载锁定室的架的俯视图。
[0019]图3B是包括晶圆及载具的架的剖视图。
[0020]图4是表示装载锁定室的晶圆及载具的移载流程的俯视图及剖视图。
[0021]图5是表示反应室内的晶圆及载具的移载流程的俯视图及剖视图。
[0022]图6的图6(A)是表示在第1机器人的手的末端装配的第1叶片的一例的俯视图，图6(B)是包括载具及晶圆的第1叶片的剖视图。
[0023]图7是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其
1)。
[0024]图8是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其2)。
[0025]图9是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其3)。
[0026]图10是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其4)。
[0027]图11A是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的反应室的晶圆、载具及基座的一例的俯视图。
[0028]图11B是沿着图11A的XI
‑
XI线的剖视图。
[0029]图12A是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的反应室的晶圆、载具及基座的其他例的俯视图。
[0030]图12B是沿着图12A的XII
‑
XII线的剖视图。
[0031]图13A是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置的反应室的晶圆、载具及基座的又一其他例的俯视图。
[0032]图13B是沿着图13A的XIII
‑
XIII线的剖视图。
具体实施方式
[0033]以下，基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1是表示本专利技术的实施方式的气相成长装置1的框图，中央所示的气相成长装置1的主体由俯视图表示。本实施方式的气相成长装置1是所谓的CVD装置，具备一对反应炉11、11、设置有处理单晶硅晶圆等的晶圆WF的第1机器人1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气相成长装置，具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室顺次搬运，并且在前述反应室设置有支承前述载具的基座，其特征在于，前述载具形成为具有底面、上表面、外周侧壁面、内周侧壁面的环状，前述底面被载置于前述基座的上表面，前述上表面接触前述晶圆的背面的外边缘来支承，在前述基座、或前述基座及前述载具处，设置有将被前述晶圆、前述载具及前述基座间隔的空间和前述基座的背面之间贯通的气体排出孔。2.如权利要求1所述的气相成长装置，其特征在于，使用前述多个载具将多个处理前的晶圆经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向前述反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室向前述工厂接口顺次搬运，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室处结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，搬运至前述装载锁定室，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳至前述晶圆收...
【专利技术属性】
技术研发人员：和田直之，南出由生，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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