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一种外延生长装置的工艺腔室，其是反应处理半导体基板的工艺腔室，具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在所述工艺腔室中，所述基座上载置所述半导体基板；指板晶圆升降机，配置在所述基座的下方并且被构成为可在所述轴构件的轴...
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