改进的多晶硅-硅化物制造技术

一种用于形成一动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）的方法，该ＤＲＡＭ包括一具有多晶硅－硅化物栅的晶体管，此方法包括：在衬底上形成一氧化物层；在氧化物层之上形成一多晶硅层；和在多晶硅层之上沉积一金属硅化物层，该金属硅化物层是用掺杂剂就地掺杂的，以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面；和给氧化物，多晶硅和金属硅化物层构图以形成栅。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体制造，更具体地说，涉及具有多晶硅-硅化物(polycide)栅极的晶体管。在器件制造中，绝缘，半导电和导电层形成于一衬底上。这些层被构图以产生图形(features)和间隔(spaces)。这些图形和间隔被构图以形成器件，诸如晶体管，电容和电阻。然后将这些器件内部连接以实现一个期望的电子功能，产生一个集成电路(IC)。为减小表面电阻，一金属氧化物半导体(MOS)晶体管采用一多晶硅-硅化物栅。该多晶硅-硅化物栅包括在重掺杂多晶硅(poly)之上的金属硅化物，比如钨硅化物(WSix)。典型地，该多晶硅掺杂有磷(P)。该多晶硅应包括一高度掺杂浓度以降低其表面电阻。然而，重掺杂多晶硅之上的金属硅化物存在化学配化的控制问题，表现出一富金属的界面。富金属界面是不期望的，因为它不耐受后续的热过程。结果，该界面被氧化。氧化引起表面粗糙，而且，在某些情况下会引起硅化物薄膜的脱层。传统地，富金属界面的不利影响是通过在重掺杂多晶硅和金属硅化物之间提供一本征(无掺杂)层来避免的。无掺杂多晶硅层的添加增大了栅堆积的高度，增大了栅堆积的高宽比(aspect ratio)。降低基本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成一动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）的方法，该ＤＲＡＭ包括一具有多晶硅－硅化物栅的晶体管，此方法包括以下步骤：在衬底上形成一氧化物层；在氧化物层之上形成一多晶硅层；和在多晶硅层之上沉积一金属硅化物层，该金属硅化物层是用掺 杂剂就地掺杂的，以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面；和给氧化物，多晶硅和金属硅化物层构图以形成栅。

【技术特征摘要】
US 1998-1-21 0100811．一种用于形成一动态随机存取存储器(DRAM)的方法，该DRAM包括一具有多晶硅-硅化物栅的晶体管，此方法包括以下步骤在衬底上形成一氧化物层；在氧化物层之上形成一多晶硅层；和在多晶硅层之上沉积一金属硅化物层，该金属硅化物层是用掺杂剂就地掺杂的，以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面；和给氧化物，多晶硅和金属硅化物层构图以形成栅。2．一种包括一多晶硅-硅化物栅的晶体管，包括一栅极氧化物层；一多晶硅层；和一就地掺杂的金属硅化物，金属硅化物中的掺杂剂减少了多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面。3．一种制造半导体器件的方法，包括在一衬底上形成一多晶硅层；和在多晶硅层上沉积一金属硅化物层，该金属硅化物层是用掺杂剂就地掺杂的，以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面。4．如权利要求3所述的方法，其中掺杂剂是从由n-型或p-型掺杂剂组成的组中选择的。5．如权利要求4所述的方法，其中n型掺杂剂是从由砷或磷组成的组中选择的，p型掺杂剂包括硼。6．如权利要求5所述的方法，其中多晶硅层包括掺杂剂。7．如权利要求6所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：马赛厄斯伊尔克，乔纳森福尔特迈耶，雷德希卡斯里尼瓦森，
申请(专利权)人：西门子公司，国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]