半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法和被洗涤的成型制品制造方法及图纸

提供一种能够获得清洁化的半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的新型并且有效的洗涤方法。用金属含量在１．０ｐｐｍ以下、且含有粒径在０．２μｍ以上的微粒不超过３００个／ｍｌ的超纯水洗涤氟橡胶类密封材料至少１次。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造装置用密封材料等的氟橡胶类成型制品的洗涤方法和被洗涤的成型制品、以及装配该成型制品的蚀刻装置等半导体制造装置。
技术介绍
过去，在半导体产业领域中，半导体制造装置用的密封材料等成型制品，一般使用由硅酮类材料、氟硅酮类材料、乙烯／丙烯／二烯三元共聚物(EPDM)等制成的密封材料，但从耐热性、耐等离子体性、耐腐蚀气体性等性能优良的观点考虑，特别是作为在严酷使用条件下的成型制品，使用偏氟乙烯／六氟丙烯共聚物橡胶、偏氟乙烯／四氟乙烯／六氟丙烯共聚物橡胶、四氟乙烯／全氟(烷基乙烯基醚)共聚物橡胶、四氟乙烯／丙烯共聚物橡胶等氟橡胶材料。但是，在半导体制造工序中，产生光刻胶残渣、有机溶剂残渣、合成蜡、来自人体的脂肪酸等有机类残渣、以及钠、钾、金、铁、铜等无机类污染物和微细颗粒。要想除去这些杂质，重要的是不在高温热处理工序中带入这些杂质，因此，硅片的洗涤中需要特别当心，要求严格管理该过程中使用的药品类。但是，由于例如64 Mbit DRAM的最小电路图案(pattern)为0．35μm，因此必须将0．02～0．03μm左右的微粒作为管理对象，但目前很难在技术上将硅片洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，该方法是用金属含量在１．０ｐｐｍ以下、且含有粒径在０．２μｍ以上的微粒不超过３００个／ｍｌ的超纯水洗涤氟橡胶类成型制品１次或２次以上。

【技术特征摘要】
JP 1998-6-10 161988/1998;JP 1999-1-12 5878/1999;JP1．一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，该方法是用金属含量在1．0ppm以下、且含有粒径在0．2μm以上的微粒不超过300个／ml的超纯水洗涤氟橡胶类成型制品1次或2次以上。2．权利要求1中所述的洗涤方法，其中，在70℃以上的温度下进行洗涤。3．一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，该方法是用金属含量在1．0ppm以下、且含有粒径在0．5μm以上的微粒不超过200个／ml的在洗涤温度下为液态的有机化合物或无机化合物，洗涤氟橡胶类成型制品1次或2次以上。4．权利要求3中所述的洗涤方法，其中，上述有机化合物或无机化合物为具有氧化能力的化合物。5．权利要求3中所述的洗涤方法，其中，上述无机化合物为金属溶解能力高的化合物。6．一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，它是采用干式蚀刻法洗涤氟橡胶类成型制品。7．一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，它是采用萃取法洗涤氟橡胶类成型制品。8．一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，该方法是，按不同顺序进行权利要求4中所述的洗涤方法和权利要求5中所述的洗涤方法，然后再进行权利要求1中所述的洗涤方法，接着，在清洁的惰性气体或空气环境气氛下除去水分。9．权利要求8中所述的洗涤方法，用于除去水分的清洁的惰性气体，含有粒径在0．...

【专利技术属性】
技术研发人员：东野克彦，野口刚，岸根充，长谷川雅典，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]