可见光发光二极管的沉积制造方法技术

本发明专利技术是提供一种可见光发光二极管的沉积制造方法，其包括固晶、焊线、半成型及覆层等，藉由使荧光体层直接覆盖于隔层之外，令荧光体沉积至该隔层表面内，即是荧光体在隔层尚停留在液态时以沉积法混入隔层表面内，使荧光体均匀分布于发光二极管外侧，而可简化制程、提升产能，降低生产成本外，更可使成品的品质均一。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种发光二极管的制造方法，尤指一种藉由沉积方法将萤光体混入发光二极管表面，以便萤光体吸收发光晶片的光而发出与吸收光波长相异的光，并与发光晶片发出的光相互混合为可见光如白、红、绿光等的。发光二极管因体积轻小且具有省电、优良的耐震性等优点，而逐渐广为运用，尤其，以发白色光波长的发光二极管近来更有取代一般灯管而为照明使用的趋势。然而，现有可发出白色光波长的发光二极管是利用发光二极管具单色性波长峰值的特性，而将红、绿、蓝即三原色或黄、蓝两色的发光晶片并排配置，并控制电流电压使之扩散混合呈现出白色的光，但此种以二种以上颜色发光晶片并排混光的发光二极管却有混光不均匀的情形，而导致产生色斑。因此，如图9、10所示，是为另一种发出白色光波长的发光二极管9，其包括下列步骤1.固晶81于发光二极管9的支架91上以导电胶粘固蓝色的发光晶片93；2.焊线82于发光晶片93与支架91上焊接可导电的导线96；3.混合83将萤光体941与硅胶预先混合为涂覆胶94；4.点胶84将前项所得的涂覆胶94点覆于发光晶片93的外侧面；5.成型85于支架91外侧以模具射出成型一层环氧树脂的壳体95而为一发光二极管9；6.测试86再对所得的发光二极管9作必要的测试，如其发光光谱等；此种发光二极管9藉由使发光晶片93发出蓝色光，而令萤光体941吸收其一部份的光而激发出黄色光，再使蓝光与黄光混色为白色的光。然而，此种发光二极管9却有以下的缺点1.须先进行固晶、焊线的动作，涂覆胶94须另外预先混合，再将已预先混合为适当浓度的涂覆胶94涂覆于其上，制程相当繁复，相对地生产的成本亦无法降低。2.由于涂覆胶94必须均匀完整地分布于发光晶片93外侧，因此点胶的浓度、膜厚及均匀度的差异会影响涂覆胶94含有萤光体941量的多寡，进而影响发光二极管9发出光的形状与特性，如光形偏椭圆或不完整等，成品的优劣差异大。3.点胶后须先进烤箱中，将涂覆胶94略为烤干使之胶化，此后才能继续成型外观的壳体95，制作耗时，产能无法提升。4.由于涂覆胶94与壳体95的折射率不同，所以会对发光二极管9发出的光造成影响。5.若将萤光体941直接涂抹在发光晶片93外侧，如涂在壳体95上，则萤光体941相当容易脱落，如因碰撞而刮落等，就无法达成均匀混光的效果，而使光色局部偏蓝，甚至只发出蓝光。6.萤光体941因光线中紫外线的照射使晶片93温度提高，而会产生老化的情形，对发光二极管9产生不良的影响。本专利技术的主要目的，在于解决上述的问题而提供一种，藉由萤光体层直接覆盖于隔层之外，令萤光体沉积至该隔层表面内，使萤光体均匀分布于发光晶片外侧，即是萤光体在隔层尚停留在液态时混入隔层表面内，因此除不需要涂覆胶的硅胶外，亦不须将萤光体另外预先混合，既可简化制程，相对地降低生产成本外，更可减少困涂覆胶混合浓度梯度不同所造成的品质差异，同时对于晶片本身热源亦有降温的好处。本专利技术的另一目的，在于藉由萤光体层直接覆盖于隔层，进而使萤光体层均匀沉积至隔层表面内，不但可藉控制萤光体层的多寡，以便萤光体的浓度均匀分布，而易于操作、并提高产能外，更可减少萤光体量的差异，而提供一种使成品的品质更为均一的。本专利技术的再一目的，在于藉由使萤光体层均匀沉积至隔层表面内，而提供一种萤光体不易脱落而可均匀混光的。本专利技术的更一目的，在于藉由隔层外侧涂覆一层抗紫外线的涂料，以将紫外线滤除，提供一种萤光体不致因光线中紫外线的照射而老化，可以避免因萤光体老化产生的不良影响的。本专利技术一种，该制造方法包括固晶于一以上的连接件粘固一发光晶片，该连接件可供与电源导通；焊线于发光晶片与连接件的适当位置焊接可导电的导线；半成型于发光晶片外侧成型一具预定厚度且可透光的隔层；覆层于该隔层未完全固化前将一萤光体层覆于其上，而使该萤光体层的萤光体沉积至该隔层表面内。其中该隔层为环氧树脂。其中该萤光体层为萤光粉。其中该萤光体层为萤光液。其中该覆层的手段为喷雾。其中该方法并包括于发光晶片、隔层外以模具射出成型一层壳体。其中该方法并包括于该壳体外涂覆一层抗紫外线的涂料。其中该方法并包括将之配置为点矩阵显示器。其中该方法并包括将的配置为七段式显示器。为进一步说明本专利技术的结构及其特征，以下结合附图对本专利技术作进一步的详细描述，其中附图说明图1是本专利技术第一实施例的流程图；图2是本专利技术第一实施例的覆层示意图；图3是本专利技术第一实施例的沉积及成型示意图；图4是本专利技术第二实施例的覆层示意图5是本专利技术第二实施例的沉积示意图；图6是本专利技术第三实施例的沉积及成型示意图；图7是本专利技术第四实施例的立体图；图8是本专利技术第五实施例的立体图；图9是习用发光二极管的流程图；图10是习用发光二极管的平面示意图。请参阅图1至图3，图中所示者为本专利技术所选用的第一实施例，本专利技术是提供一种，该制造方法是包括下列步骤第一步骤11，固晶于一以上的连接件2以导电胶粘固一发光晶片3，该连接件2可供与电源(图中未示)导通，于本实施例中，该连接件2是为一基座，而该发光晶片3可为以蓝宝石为基座的氮化铟镓(InGaN on Sapphire Substrate)或以碳化硅为基座的氮化锢镓(InGaN onSiC Substrate)，其可激发出蓝色波长的光线；以及各种不同材料及颜色的晶片；第二步骤12，焊线于发光晶片3与连接件2的适当位置焊接可导电的导线4第三步骤13，半成型于发光晶片3外侧成型一具预定厚度且可透光的隔层5，该隔层5可为环氧树脂；第四步骤14，覆层于该隔层5未完全固化前将一萤光体层6覆于其上，该萤光体层6可为干式的萤光粉或湿式的萤光液等，覆层的手段可为各种方式而不限于喷洒、涂覆等，而使该萤光体层6的萤光体61沉积至该隔层5表面内；第五步骤15，成型于发光晶片3、隔层5外以模具射出成型一层塑胶壳体7；并可于该隔层5或壳体7外侧涂覆一层抗紫外线的涂料(图中未示)，该涂料可以将紫外线滤除，使萤光体61不致因光线中紫外线的照射而老化，可以避免因萤光体61老化产生的不良影响，同时对于发光晶片3本身热源亦有降温的好处；第六步骤16，测试对所得的发光二极管作必要的测试，如其发光光谱等本专利技术是藉由使发光晶片3发出蓝色光，而令沉积于隔层5的萤光体61吸收发光晶片3一部份的光而激发出黄色光，使蓝光与黄光混色为白色光，即该萤光体61吸收发光晶片3的光而发出与吸收光波长相异的光，并与发光晶片3发出的光相互混合为可见光如白、红、绿光等。值得注意的是，本专利技术是使萤光体层6于该隔层5未完全固化前直接覆盖于隔层5之外，藉萤光体61沉积至该隔层5内使萤光体61均匀分布于发光晶片3外侧，即是萤光体61在隔层5尚停留在液态时混入隔层5表面内，如图3所示，因此除不需要习用涂覆胶的硅胶外，亦不须将萤光体61另外预先混合，既可简化制程，相对地降低生产成本外，更可减少因涂覆胶混合浓度悌度不同所造成的品质差异，而且不须要先进烤箱略烤胶化的步骤，得以缩短制作时间，以提升产能。另外，使萤光体层6直接覆盖于隔层5，进而使萤光体层6均匀沉积至隔层5内，不但可藉控制萤光体层6的多寡，以便萤光体61的浓度均匀分布，而易于操作外，更可减少萤光体61量的差异，使成品的品质更为均一。再者，该萤光体61沉积后是与该隔层5混合在一起，萤光体61本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可见光发光二极管的沉积制造方法，其特征在于，该制造方法包括： 固晶：于一以上的连接件粘固一发光晶片，该连接件可供与电源导通； 焊线：于发光晶片与连接件的适当位置焊接可导电的导线； 半成型：于发光晶片外侧成型一具预定厚度且可透光的隔层； 覆层：于该隔层未完全固化前将一萤光体层覆于其上，而使该萤光体层的萤光体沉积至该隔层表面内。

【技术特征摘要】
1.一种可见光发光二极管的沉积制造方法，其特征在于，该制造方法包括固晶于一以上的连接件粘固一发光晶片，该连接件可供与电源导通；焊线于发光晶片与连接件的适当位置焊接可导电的导线；半成型于发光晶片外侧成型一具预定厚度且可透光的隔层；覆层于该隔层未完全固化前将一萤光体层覆于其上，而使该萤光体层的萤光体沉积至该隔层表面内。2.根据权利要求1所述的可见光发光二极管的沉积制造方法，其特征在于，其中该隔层为环氧树脂。3.根据权利要求1所述的可见光发光二极管的沉积制造方法，其特征在于，其中该萤光体层为萤光粉。4.根据权利要求1所述的可见光发光二极管的沉积制造方法，其特征在于，其中该萤光体层为萤光液。5.根据权利要求1所述的可见光发光二极管的沉积制造方法，其特征在于，其中该覆层的手段为喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴庆辉，周春吉，
申请(专利权)人：东贝光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]