移动正离子污染的测试装置及方法制造方法及图纸

一种移动正离子污染（ＰＭＩＣ）的测量装置，设置于半导体基底上。半导体基底上设置有ＭＯＳ晶体管。移动正离子污染的测量装置则是由加热装置、温度测量装置、栅极所构成。加热装置是设置在等场氧化层的表面。温度测量装置是设置在加热装置的表面，以测量的温度作为调整的依据。闸极是设置在加热装置的上方。其中，加热装置可以是多晶硅层；温度测量装置可以是Ｋｅｌｖｉｎ结构的铝线；外接电流计则可以在各种条件下测量半导体基底的电荷抽运电流，藉以推得移动正离子污染的数量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种测试装置及方法，特别是有关于一种移动正离子污染(Positive Mobile Ion Contamination，以下简称为PMIC)的测试装置及方法。早期MOS技术发展所面临的最严重问题之一，便是被称为″移动离子问题(Mobile ion problem)″的电性不稳定性(Electricalinstability)。亦即，利用平面工艺(Planar technology)制成的MOS晶体管组件，其门限电压(VT)将会更负于理论预测值。另外，在升温的偏压操作中，MOS晶体管组件亦会变得十分不稳定。MOS晶体管组件的门限电压(VT)会随着正栅极偏压的增加而往更负的方向偏移。门限电压(VT)的偏移大小及偏移速率则会随着温度而增加。不过，负栅极偏压却不会产生门限电压的偏移效应，且可以维持电性稳定。因此，大部分学者乃将电性不稳定性的成因归吝于栅氧化层中移动正离子(特别是Na+及K+)的漂移。不过，移动正离子(Positive mobile ion)却常会在金属和平面化蚀刻(Metals and planarization etching)及光敏电阻移除(Pho本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移动正离子污染（ＰＭＩＣ）的测量装置，其特征在于：该测量装置设置于一半导体基底上，该半导体基底是以场氧化层定义一主动区，该主动区中则设置一ＭＯＳ晶体管，包括： 一加热装置，设置于该等场氧化层的表面以加热该半导体基底； 一温度测量装置，设置于该加热装置的表面以测量该半导体基底的温度，进而作为调整的依据；以及 一栅极，设置于该ＭＯＳ晶体管的上方以施加偏压。

【技术特征摘要】
1.一种移动正离子污染(PMIC)的测量装置，其特征在于该测量装置设置于一半导体基底上，该半导体基底是以场氧化层定义一主动区，该主动区中则设置一MOS晶体管，包括一加热装置，设置于该等场氧化层的表面以加热该半导体基底；一温度测量装置，设置于该加热装置的表面以测量该半导体基底的温度，进而作为调整的依据；以及一栅极，设置于该MOS晶体管的上方以施加偏压。2.如权利要求1所述的移动正离子污染的测量装置，其中，该加热装置是一多晶硅层。3.如权利要求1所述的移动正离子污染的测量装置，其中，该温度测量装置是Kelvin结构的金属绕线。4.如权利要求3所述的移动正离子污染的测量装置，其中，该Kelvin结构的金属绕线是由铝线所构成。5.如权利要求1所述的移动正离子污染的测量装置，更包括一外接电流计，用以测量该半导体基底的电荷抽运电流。6.如权利要求1所述的移动正离子污染的测量装置，其中该栅极是金属栅极。7.如权利要求1所述的移动正离子污染的测量装置，其中该栅极是多晶硅栅极。8.一种移动正离子污染的测量方法，其特征在于包括提供一半导体基底，利用场氧化层定义一主动区，该主动区中设置一MOS晶体管，该等场氧化层表面设置一加热装置，该MOS晶体管上方则设置一栅极；分别经由该栅极施加一负向偏压及一正向偏压，藉以将移动正离子污染吸引至该栅极界面及推斥至该MOS晶体管界面；以该加热装置加温该半导体基底一段时间后，再降...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟梵，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]