防止曝光光罩污染的装置及曝光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种防止曝光光罩污染的装置及曝光装置，所述防止曝光光罩污染的装置包括：气体供给模块，包括上层出风口和下层出风口，所述上层出风口和下层出风口形成包括上层等离子气流和下层压缩空气流的双层气幕；气体回收模块，设置在与供气模块相对的一侧，所述气体回收模块回收并排放所述气体供给模块形成的气流、大部分挥发物和非污染的小分子物质。本实用新型专利技术利用气体供给模块形成的压缩空气气流所产生的气体剪切力将大部分污染物带走；部分没被剪切力带走的挥发物与上层等离子气流进行化学反应而转变为非污染的小分子物质，由此产生的双重保护以在线防止光罩受到污染。

Device for preventing exposure mask pollution and exposure device

The utility model provides a device for preventing pollution and exposure device for exposure mask, the mask exposure device to prevent pollution include: gas supply module, including the upper outlet and a lower outlet, the upper and lower outlet outlet formed including the upper plasma flow and lower flow of compressed air double gas curtain; gas recovery module is arranged on one side and the relative supply module, the small molecules of the gas recovery module recycling and emissions to the air flow, the gas supply module form most of the volatiles and non pollution. The shear force of gas flow of compressed air of the utility model using a gas supply module of most of the pollutants are not taken away; some small molecules of volatile compounds and the upper plasma flow shear stress were taken into chemical reaction and non pollution, double protection arises to prevent contamination of the mask online.

【技术实现步骤摘要】
防止曝光光罩污染的装置及曝光装置
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种防止曝光光罩污染的装置及曝光装置。
技术介绍
光罩(或掩模)已经普遍应用于半导体制造的曝光装置中，曝光装置通常包括以下两种：使用透镜将光罩的图案投影到基板上的投影式曝光装置和在掩模与基板之间设置微小缝隙而将光罩的图案转印到基板的接近式曝光装置。然而，生产过程中的挥发物和微尘容易致使光罩受到污染，尤其是曝光过程中所使用的光阻由于其极易挥发而污染光罩，从而导致产品会有微观缺陷或宏观色差，严重影响良率。曝光装置的光罩污染是一直以来困扰业界的一个问题，尤其是对于接近式曝光装置，由于接近式曝光装置的光罩和载台上产品的间隙较小，一般在300um以下，更容易受到挥发物和微尘污染。现有的解决方案通常是在光罩污染后进行检查并采用光罩清洗剂或气体洗涤的方式来清洁光罩，目前市场上在售或者相关文献提及的曝光设备中，没有在线防止光罩污染的装置。而且，在生产过程中，处理光罩污染引起的停机时间会极大地影响产能，并且光罩污染后的检查、清洁和修补成本也很高。因此，需要提供一种防止曝光光罩污染的装置及曝光装置。需要说明的是，公开于该技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本技术的一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术提供一种防止曝光光罩污染的装置及曝光装置，能够在线阻隔污染，大幅度降低光罩污染几率，从而减少光罩清洗频度并提高产能。为了达到上述目的，在本申请的一个方面，提供一种防止曝光光罩污染的装置，所述防止曝光光罩污染的装置包括：气体供给模块，设置在曝光光罩下方并且包括上层出风口和下层出风口，所述上层出风口和下层出风口形成包括上层等离子气流和下层压缩空气流的双层气幕，所述下层压缩空气流产生的剪切力带走大部分挥发物，所述上层等离子气流与进人其中的剩余的挥发物发生化学反应以将所述剩余的挥发物转变成非污染的小分子物质；气体回收模块，与所述气体供给模块相对地设置，所述气体回收模块回收并排放所述气体供给模块形成的气流、大部分挥发物和非污染的小分子物质。在一些实施例中，所述上层出气口和下层出气口是能够按需改变孔径的可调式出风口。在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置还包括气流检测单元、气流调控单元和控制单元，所述气流检测单元和气流调控单元均连接至所述控制单元，所述气流检测单元检测所述等离子气流的流速和压缩空气流的流速并将检测到的流速发送给所述控制单元，所述气流调控单元在所述控制单元的控制下改变所述可调式出风口的孔径以调节所述等离子气流的流速和所述压缩空气流的流速。在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置还包括用于检测挥发物的浓度的挥发物浓度检测单元，所述挥发物浓度检测单元连接至所述控制单元，所述控制单元根据检测到的挥发物的浓度来设定所述等离子气流的流速和所述压缩空气流的流速。在一些实施例中，所述气体供给模块包括供气模块和气刀，所述供气模块用于向所述气刀提供等离子气体和压缩空气，所述上层出风口和下层出风口设置在所述气刀上。在一些实施例中，所述上层出气口和下层出气口各包括一排出气孔，每排出气孔沿所述气刀的宽度方向均匀排列。在一些实施例中，每个出气孔上安装有喷嘴。在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置还包括支架，所述支架用于将所述气刀固定在曝光光罩的下方。在一些实施例中，所述气刀的宽度大于或等于曝光场的尺寸。在一些实施例中，所述支架上设置有导轨，所述导轨在控制单元的控制下调节所述气刀的位置。在本申请的又一方面，还提供一种曝光装置，所述曝光装置包括前述一个方面中所述的防止曝光光罩污染的装置。在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置安装在所述曝光装置的光罩的下方。在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置与所述曝光装置集成。本技术的有益效果是：本技术所提出的一种防止曝光光罩污染的装置及曝光装置利用气刀(或风刀)在光罩下方形成双层气幕，下层是压缩空气，压缩空气所产生的合适的气体剪切力将大部分污染物带走；部分没被剪切力带走而穿过此气流层的污染物在到达光罩之前会与上层等离子气幕进行化学反应而转变为非污染的小分子物质，同时，下层压缩空气还起到了阻隔基板光阻层与等离子气体反应的作用，由此产生的双重保护以提前防止光罩受到污染。而且，本技术还根据在线光罩污染的频度和程度，智能地进行气流调控，形成大小合适的气体流速和气体剪切力保证挥发物的彻底消除，以大幅度降低光罩污染，减少清洗频度，从而提高产能并且降低光罩清洗与修补成本。因此，本技术可在线提前防止光罩污染，对污染进行在线阻隔，大大改善现有技术方案中光罩污染后再进行检查并清洗的后处理方式；同时，可大大节省现有方式中清洗和修补光罩的成本。附图说明通过说明书附图以及随后与说明书附图一起用于说明本技术某些原理的具体实施方式，本技术所具有的其它特征和优点将变得清楚或得以更为具体地阐明。图1示出了根据本技术实施例的防止曝光光罩污染的装置的结构示意图；图2示出了根据本技术实施例的防止曝光光罩污染的装置中的气刀(或风刀)的结构示意图；图3示出了根据本技术实施例的出气孔可采用的不同孔径的网格板示意图；图4示出了防止曝光光罩污染的方法流程图；图5示出了包括防止曝光光罩污染的方法的曝光流程图。应当了解，说明书附图并不一定按比例地显示本技术的具体结构，并且在说明书附图中用于说明本技术某些原理的图示性特征也会采取略微简化的画法。本文所公开的本技术的具体设计特征包括例如具体尺寸、方向、位置和外形将部分地由具体所要应用和使用的环境来确定。在说明书附图的多幅附图中，相同的附图标记表示本技术的相同或等同的部分。具体实施方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。下面，结合附图对本技术的具体实施例进行描述。请参阅图1-5所示，本技术提供一种防止曝光光罩污染的装置和方法。图1示出了根据本技术实施例的防止曝光光罩污染的装置的结构示意图。本技术所提出的防止曝光光罩污染的装置包括供气模块3、气刀4和气体回收模块7。所述供气模块3设置在曝光装置的一侧并与所述气刀4的进气端气体连通，所述供气模块3向所述气刀提供压缩空气和等离子气体。所述气体回收模块7设置在与供气模块3相对的一侧，(即，设置在曝光装置的另一侧)，用于及时回收并排放气刀4吹出的气体，以减少气体对曝光装置空间内其它领域气场的影响，避免引起静态灰尘飞扬。所述供气模块3和气体回收模块7都连接厂务端口。所述气刀4用于形成气流平行的双层气幕，上层气幕由等离子气体构成，下层气幕由压缩空气构成。优选地，所述气刀4可采用不锈钢或铝等金属材质制成，所述气刀4的宽度大于或等于曝光装置的曝光场的尺寸。在一些实施例中，所述供气模块3和所述气刀4可集成在气体供给模块中。进一步，所述防止曝光光罩污染的装置还可包括气流检测单元5、气流调控单元6和控制系统(所述控制系统嵌入曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止曝光光罩污染的装置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的装置包括：气体供给模块，设置在曝光光罩下方并且包括上层出风口和下层出风口，所述上层出风口和下层出风口形成包括上层等离子气流和下层压缩空气流的双层气幕，所述下层压缩空气流产生的剪切力带走大部分挥发物，所述上层等离子气流与进入其中的剩余的挥发物发生化学反应以将所述剩余的挥发物转变成非污染的小分子物质；气体回收模块，与所述气体供给模块相对地设置，所述气体回收模块回收并排放所述气体供给模块形成的气流、大部分挥发物和非污染的小分子物质。

【技术特征摘要】
1.一种防止曝光光罩污染的装置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的装置包括：气体供给模块，设置在曝光光罩下方并且包括上层出风口和下层出风口，所述上层出风口和下层出风口形成包括上层等离子气流和下层压缩空气流的双层气幕，所述下层压缩空气流产生的剪切力带走大部分挥发物，所述上层等离子气流与进入其中的剩余的挥发物发生化学反应以将所述剩余的挥发物转变成非污染的小分子物质；气体回收模块，与所述气体供给模块相对地设置，所述气体回收模块回收并排放所述气体供给模块形成的气流、大部分挥发物和非污染的小分子物质。2.如权利要求1所述的防止曝光光罩污染的装置，其特征在于，所述上层出气口和下层出气口是能够按需改变孔径的可调式出风口。3.如权利要求2所述的防止曝光光罩污染的装置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的装置还包括气流检测单元、气流调控单元和控制单元，所述气流检测单元和气流调控单元均连接至所述控制单元，所述气流检测单元检测所述等离子气流的流速和压缩空气流的流速并将检测到的流速发送给所述控制单元，所述气流调控单元在所述控制单元的控制下改变所述可调式出风口的孔径以调节所述等离子气流的流速和所述压缩空气流的流速。4.如权利要求3所述的防止曝光光罩污染的装置，其特征在于，所述防止曝光光罩污染的装置还包括用于检测挥发物的浓度的挥发物浓度检测单元，所述挥发物浓度检测单元连接至所述控制单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：李会丽，李喆，李志丹，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31